晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非?？?，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。

350億晶體管的SoC能否測(cè)試？

【導(dǎo)讀】350億晶體管的SoC能否測(cè)試？近日，在法國(guó)南部尼斯市舉行的“DATE 2007（Design， Automation and Test in Europe 2007”的學(xué)術(shù)分會(huì)上，關(guān)于測(cè)試及故障診斷的精彩演講接連不斷。其中，以測(cè)試范疇的

半導(dǎo)體
2014-06-09

SoC 晶體管 BSP 集成
模擬芯片與晶體管需求回升，價(jià)格趨穩(wěn) 但距離下滑前的銷(xiāo)售水平仍然很遠(yuǎn)

【導(dǎo)讀】模擬芯片，晶體管需求回升，價(jià)格趨穩(wěn)，銷(xiāo)售水平，很遠(yuǎn) 雖然全球模擬半導(dǎo)體與晶體管市場(chǎng)形勢(shì)趨于穩(wěn)定，需求上升而且價(jià)格下降速度放緩，但距離真正的產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇仍很遙遠(yuǎn)。據(jù)iSuppli公司，雖然全球模擬半

半導(dǎo)體
2014-06-09

芯片模擬晶體管 BSP
臺(tái)灣研出16納米SRAM技術(shù) 使電子設(shè)備更輕薄

【導(dǎo)讀】臺(tái)灣科研機(jī)構(gòu)今天宣布，開(kāi)發(fā)出全球第一個(gè)16納米的SRAM新組件，由于可容納晶體管是現(xiàn)行45納米的10倍，這可使未來(lái)電子設(shè)備更輕薄. 臺(tái)灣科研機(jī)構(gòu)今天宣布，開(kāi)發(fā)出全球第一個(gè)16納米的SRAM新組件，由于可容納晶

半導(dǎo)體
2014-06-09

電子設(shè)備組件 SRAM 晶體管
臺(tái)灣研制出最新芯片筆記本重量減至500克

【導(dǎo)讀】12月17日消息，據(jù)研究人員和分析人士17日稱，位于臺(tái)灣新竹北部的“國(guó)研院”納米元件實(shí)驗(yàn)室成功地在一個(gè)小型芯片中封裝了更多的晶體管。 12月17日消息，據(jù)研究人員和分析人士17日稱，位于臺(tái)灣新竹北部的“

半導(dǎo)體
2014-06-09

芯片筆記本電腦 AN 晶體管
美韓科學(xué)家制成世界上首個(gè)分子晶體管

【導(dǎo)讀】美國(guó)耶魯大學(xué)23日發(fā)表新聞公報(bào)稱，該校及韓國(guó)光州科學(xué)技術(shù)研究院科學(xué)家最近合作制成世界上首個(gè)分子晶體管，制作分子晶體管的材料是單個(gè)苯分子。美國(guó)耶魯大學(xué)23日發(fā)表新聞公報(bào)稱，該校及韓國(guó)光州科學(xué)技術(shù)

半導(dǎo)體
2014-06-09

電流控制觸點(diǎn) 晶體管
富士通：可在任何材料表面生產(chǎn)電源供應(yīng)晶體管

【導(dǎo)讀】不久前，科技大廠富士通發(fā)表了一項(xiàng)非常特別的半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)幾乎可以在任何材料表面上生產(chǎn)電源供應(yīng)晶體管（power-supply transistors），包含傳統(tǒng)的硅晶圓、玻璃，甚至是銅片上。不久前，科技

半導(dǎo)體
2014-06-06

富士通電源供應(yīng) POWER 晶體管
爾必達(dá)瑞晶垂直晶體管結(jié)構(gòu)DDR3芯片試產(chǎn)成功

【導(dǎo)讀】日本爾必達(dá)與臺(tái)灣瑞晶公司近日發(fā)表聯(lián)合聲明稱兩家公司已經(jīng)成功完成了4F2架構(gòu)設(shè)計(jì)1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的試產(chǎn)，這次試產(chǎn)是由瑞晶的研發(fā)中心主導(dǎo)的。瑞晶的研發(fā)中心自去年開(kāi)始正式運(yùn)作，他們一直在和爾必達(dá)公

半導(dǎo)體
2014-06-06

芯片爾必達(dá) DDR3 晶體管
功耗為硅的十萬(wàn)分之一？瑞士開(kāi)發(fā)新半導(dǎo)體材料“輝鉬礦”

【導(dǎo)讀】有一種新開(kāi)發(fā)的半導(dǎo)體材料輝鉬礦(molybdenite，MoS2)，其功耗據(jù)說(shuō)僅有硅材料的十萬(wàn)分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶體管。瑞士洛桑理工學(xué)院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人員并

半導(dǎo)體
2014-06-06

電子石墨烯半導(dǎo)體材料晶體管
臺(tái)積電:暫不采用3D晶體管技術(shù)

【導(dǎo)讀】分析師們表示，上述計(jì)劃或能幫助英特爾與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手抗衡，之前，英特爾的芯片大多被高增長(zhǎng)的智能手機(jī)市場(chǎng)拒之門(mén)外。摘要：分析師們表示，上述計(jì)劃或能幫助英特爾與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手抗衡，之前，英特爾的芯片大多

半導(dǎo)體
2014-06-06

英特爾臺(tái)積電晶體管 BSP
三柵極3D晶體管，無(wú)法左右英特爾ARM之爭(zhēng)

【導(dǎo)讀】。英特爾 VS AMD就是熱議多年的話題，然后又變成微軟 VS 谷歌?，F(xiàn)在最有趣的一對(duì)是英特爾 VS ARM。英特爾發(fā)布三柵極3D晶體管之后，關(guān)于該技術(shù)能否左右二者之間的戰(zhàn)局業(yè)界已有很多評(píng)論文章。摘要：。英

半導(dǎo)體
2014-06-06

英特爾 ARM 柵極晶體管
應(yīng)用材料公司完成對(duì)維利安半導(dǎo)體設(shè)備有限公司的收購(gòu)

【導(dǎo)讀】近日，應(yīng)用材料公司宣布已成功完成對(duì)維利安半導(dǎo)體設(shè)備有限公司的收購(gòu)。此次收購(gòu)使應(yīng)用材料公司獲得了維利安公司市場(chǎng)領(lǐng)先的離子注入技術(shù)，進(jìn)一步拓寬了其廣泛的產(chǎn)品組合，并為其帶來(lái)每年近15億美元的市場(chǎng)機(jī)遇

半導(dǎo)體
2014-06-06

應(yīng)用材料公司半導(dǎo)體設(shè)備晶體管 BSP
先進(jìn)移動(dòng)平臺(tái)用戶采用Soitec全耗盡(Fully Depleted)技術(shù)

【導(dǎo)讀】日前，Soitec (Euronext)今天宣布，無(wú)線平臺(tái)和半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè) ST-Ericsson 已選擇全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)其下一代移動(dòng)處理器。，摘要：日前，Soitec (Euronext)今天宣布，無(wú)線平臺(tái)和半

半導(dǎo)體
2014-06-06

移動(dòng)平臺(tái) TE 晶體管 BSP
知名半導(dǎo)體廠商3D工藝眾生相：掀半導(dǎo)體業(yè)模式風(fēng)暴

【導(dǎo)讀】2012年4月23日，英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設(shè)計(jì)，最小線寬為22納米的Ivy Bridge微處理器量產(chǎn)成功，并于4月29日開(kāi)始全球銷(xiāo)售。摘要： 2012年4月23日，英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設(shè)計(jì)，最小線寬為

半導(dǎo)體
2014-06-06

半導(dǎo)體廠商英特爾晶體管
奈米碳管或?qū)⑻娲砂雽?dǎo)體新寵

【導(dǎo)讀】在10月28日美國(guó)出版的「自然-奈米技術(shù)」期刊中指出，奈米碳管，將替代數(shù)十億晶片中矽所占有的地位，包含使用量及大的微處理器與記憶晶片。摘要：在10月28日美國(guó)出版的「自然-奈米技術(shù)」期刊中指出，奈

半導(dǎo)體
2014-06-06

半導(dǎo)體晶片晶體管 BSP
SoC無(wú)需3D晶體管便可微細(xì)化至10nm

【導(dǎo)讀】SoC(systemonachip)是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開(kāi)始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicono

半導(dǎo)體
2014-06-06

意法半導(dǎo)體 DSO SoC 晶體管
碳納米管將替代硅芯片成下一代材料?

【導(dǎo)讀】在未來(lái)十年左右的時(shí)間里，蝕刻在硅基電腦芯片上的電路預(yù)計(jì)就將變得小無(wú)可小，從而促使人們尋找替代品來(lái)取代硅基芯片的地位。在使用什么材料作為替代品的問(wèn)題上，有些研究者正對(duì)碳納米管寄予厚望。在本周一，

半導(dǎo)體
2014-06-06

硅芯片碳納米管斯坦福晶體管
硅的日子屈指可數(shù) 芯片公司考慮用其它材料取代

【導(dǎo)讀】加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù)，下一代或下下一代人將不會(huì)再使用硅，將會(huì)有更好的材料去取代硅。摘要：加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù)，下一代或下下一代人將不會(huì)再使

半導(dǎo)體
2014-06-06

半導(dǎo)體芯片晶體管 BSP
寧波出臺(tái)石墨烯中長(zhǎng)期規(guī)劃：千億產(chǎn)值待開(kāi)發(fā)

作為全國(guó)七大新材料基地的寧波市將在本月28日舉行《寧波石墨烯技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)中長(zhǎng)期發(fā)展規(guī)劃》發(fā)布會(huì)以及石墨烯戰(zhàn)略合作等簽約儀式。與此同時(shí)，近日國(guó)內(nèi)外石墨烯研究也獲多項(xiàng)突破：英國(guó)利物浦大學(xué)的科學(xué)家開(kāi)發(fā)出與石

顯示光電
2014-06-04

石墨烯金屬新材料晶體管
一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路

本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示，被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè)：BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí)，三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此時(shí)S1

電源電路
2014-06-03

三極管測(cè)試電路單結(jié)晶體管晶體管
TTL電平、CMOS電平和EIA電平的一些總結(jié)

手機(jī)串口一般是CMOS電平，當(dāng)把a(bǔ)ndroid手機(jī)當(dāng)做開(kāi)發(fā)板上的一個(gè)器件(比如利用android系統(tǒng)自帶的GPRS模塊，wifi模塊，語(yǔ)音視頻模塊等等)看待時(shí)，常常會(huì)涉及到自己重寫(xiě)底層協(xié)議和驅(qū)動(dòng)的情況，同時(shí)也會(huì)涉及到不同開(kāi)發(fā)板不

模擬
2014-05-30

邏輯電平 CMOS TTL電平晶體管

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GB20
天命風(fēng)流
小小Lotous
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黔驢技窮
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晶體管

350億晶體管的SoC能否測(cè)試？

模擬芯片與晶體管需求回升，價(jià)格趨穩(wěn) 但距離下滑前的銷(xiāo)售水平仍然很遠(yuǎn)

臺(tái)灣研出16納米SRAM技術(shù) 使電子設(shè)備更輕薄

臺(tái)灣研制出最新芯片筆記本重量減至500克

美韓科學(xué)家制成世界上首個(gè)分子晶體管

富士通：可在任何材料表面生產(chǎn)電源供應(yīng)晶體管

爾必達(dá)瑞晶垂直晶體管結(jié)構(gòu)DDR3芯片試產(chǎn)成功

功耗為硅的十萬(wàn)分之一？瑞士開(kāi)發(fā)新半導(dǎo)體材料“輝鉬礦”

臺(tái)積電:暫不采用3D晶體管技術(shù)

三柵極3D晶體管，無(wú)法左右英特爾ARM之爭(zhēng)

應(yīng)用材料公司完成對(duì)維利安半導(dǎo)體設(shè)備有限公司的收購(gòu)

先進(jìn)移動(dòng)平臺(tái)用戶采用Soitec全耗盡(Fully Depleted)技術(shù)

知名半導(dǎo)體廠商3D工藝眾生相：掀半導(dǎo)體業(yè)模式風(fēng)暴

奈米碳管或?qū)⑻娲砂雽?dǎo)體新寵

SoC無(wú)需3D晶體管便可微細(xì)化至10nm

碳納米管將替代硅芯片成下一代材料?

硅的日子屈指可數(shù) 芯片公司考慮用其它材料取代

寧波出臺(tái)石墨烯中長(zhǎng)期規(guī)劃：千億產(chǎn)值待開(kāi)發(fā)

一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路

TTL電平、CMOS電平和EIA電平的一些總結(jié)

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