晶體管
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IBM試產5nm芯片：指甲蓋大小可容納300億晶體管
當前商用晶體管柵極大小在 10nm 左右，但是 IBM 早已開始了 7nm、甚至 5nm 工藝的研究。不過為了制造 5nm 芯片，IBM 也拋棄了標準的 FinFET 架構，取而代之的是四層堆疊納
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電機驅動集成的故事
就像每個MOSFET需要一個柵極驅動器來切換它，每個電機后面總是有一個驅動力。根據復雜程度和系統(tǒng)成本、尺寸和性能要求，驅動電機的方式多樣。
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EPC eGaN 技術在性能及成本上實現質的飛躍
EPC公司宣布推出EPC2045及EPC2047氮化鎵場效應晶體管(eGaN® FET)，對比前一代的產品，這些晶體管的尺寸減半，而且性能顯著提升。
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Diodes公司帶高壓晶體管的開關穩(wěn)壓器提高線式充電器效率
Diodes公司(Diodes Incorporated)推出的AP3984是一款用于線式(line-powered)充電器和適配器的高性能開關穩(wěn)壓器(power switcher)，它通過獨特的集成式高壓(HV)啟動電路為
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三極管的開關速度
晶體管的開關速度即由其開關時間來表征，開關時間越短，開關速度就越快。BJT的開關過程包含有開啟和關斷兩個過程，相應地就有開啟時間ton和關斷時間toff，晶體管的總開關時間就是ton與toff之和。 如何提高晶體管的開關速度?——可以從器件設計和使用技術兩個方面來加以考慮。
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能自我修復的晶體管 太空探索又一大突破
據美國電氣與電子工程師協會《光譜》雜志網站11日報道，美國國家航空航天局(NASA)與韓國科學技術研究院(KAIST)合作，研制出了一款能自我修復的晶體管。
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計算機技術重大突破：1nm晶體管誕生
據外媒報道，今天，沉寂已久的計算技術界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計算技術進步的硬指標。晶體管越小
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計算技術界的重大突破：1nm晶體管誕生
現有22nm晶體管北京時間10月7日消息，據外媒報道，今天，沉寂已久的計算技術界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現有最精尖的晶體管制
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突破摩爾定律，1nm晶體管誕生
多年以來，技術的發(fā)展都在遵循摩爾定律，即當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18-24個月翻一倍以上。眼下
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2021年后半導體晶體管不再縮小 摩爾定律要失效
在過去幾十年中，摩爾定律主導了IT科技行業(yè)的發(fā)展趨勢。每隔一年半，用戶同一價格能夠買到的半導體性能將會翻一番，半導體廠商單位面積整合的晶體管數量也會翻一番。
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e絡盟針對汽車與工業(yè)應用擴充ROHM獨有汽車級產品系列
e絡盟日前宣布新增來自ROHM的250多種全新半導體產品，進一步擴展其汽車級產品范圍。新增系列產品包括LSI、二極管、晶體管及電源管理解決方案等，適用于各類汽車細分領域應用
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Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統(tǒng)功率性能
移動應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.(納斯達克代碼：QRVO)今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設計用于優(yōu)
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雙層石墨烯晶體管打造100GHz超高頻處理器
多年來，石墨烯一直被視為最有前途的材料，尤其是能讓電子設備變得更小、更高效?，F在，科學家們制造了一種新型石墨烯晶體管，使用它打造的處理器未來將能夠跑到100GHz的超高頻率。 這一技術突破來自莫斯科物理技術學
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不容錯過！場效應晶體管使用詳解
我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應管就陌生一點，但是，由于場效應管有其獨特的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管的
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三極管基極下拉電阻的作用是什么
本文介紹了三極管基極下拉電阻的作用以及在接下拉電阻時還要注意的兩個問題。1)防止三極管受噪聲信號的影響而產生誤動作，使晶體管截止更可靠!三極管的基極不能出現懸空，
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14nm LPP工藝密度翻倍 Polaris 11核心或擁有86億晶體管
AMD官方之前提到他們目前開發(fā)的新一代顯卡有Polaris 11和Polaris 10兩款，將使用三星/GlobalFoundries公司的14nm LPP高性能工藝。這幾天AMD市場營銷總監(jiān)在推特上隱晦證實了某個Polaris核心會擁有86億晶體管，再結合之
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內含200V氮化鎵場效應晶體管的開發(fā)板可實現高達30MHz的效率
宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出高頻、基于氮化鎵晶體管并采用差分模式的開發(fā)板，可以在高達30 MHz下工作。 推出開發(fā)板的目的是幫助功率系統(tǒng)設計師利用簡易方法對氮化鎵晶體管的優(yōu)越性能進行評估，使得他們的產品可以快速量產。
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采用氮化鎵場效應晶體管的包絡跟蹤電源支持20MHz LTE帶寬
本篇文章將進一步闡述面向使用第四代移動通信技術(4G)LTE頻帶的無線通信基站基礎設施并采用EPC8004高頻氮化鎵場效應晶體管設計的包絡跟蹤電源。包絡跟蹤電源是以多相位、采用零電壓開關模式(ZVS)的同步降壓轉換器為基礎，它可以支持20 MHz的大信號帶寬，并且以30 V電壓源提供60 W以上的平均負載功率。當跟蹤峰均比(PAPR)為7 dB的20 MHz LTE包絡信號，可實現的平均總效率可高達92%。
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這個叫“達爾文”的芯片 有人一樣的大腦
“你看到的，其實是一個生物?！币坏┬盘栭_始在它的“血管”里流淌，小家伙就能像生物的大腦一樣進行思維，并作出反應。
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簡單的電平轉換電路圖
電平轉換電路包括快速切換的晶體管Q1和Q2。用戶選擇電平轉換為高和轉換為低，這是直流偏置電壓，連接到晶體管的射極，以匹配于所需要的輸出高邏輯電平和低邏輯電平。C1、R1
