晶圓

關注人關注

我要報錯

晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。

臺積電新晶圓制程技術加速實現(xiàn)三維芯片

臺積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺積電除攜手硅智財業(yè)者，推進鰭式晶體管 (FinFET)制程商用腳步外，亦計劃從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手，加

電子設計自動化
2013-07-08

晶圓芯片臺積電制程技術
IC Insights：2017年12寸晶圓產(chǎn)能占比將達70%

半導體采用12寸晶圓制造的比例將持續(xù)攀升。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計，2012年12月12寸晶圓產(chǎn)能占總半導體晶圓產(chǎn)能的比重已達55.7%，預估2013年底將增加至57.8%；未來幾年仍會穩(wěn)定成長，并于2017年12月達到70.4%。同時期8寸

半導體
2013-07-07

半導體 IC INSIGHT 晶圓
山東集成電路公共研發(fā)平臺取得良好經(jīng)濟社會效益

山東省投資6000多萬元，在山東信息通信研究院重點打造的集成電路公共研發(fā)服務平臺基本建設完成，并發(fā)揮了良好經(jīng)濟社會效益。平臺配備了國際先進的EDA設計軟件，包括集成電路設計及仿真、半定制/全定制集成電路實現(xiàn)與

模擬
2013-07-05

集成電路 FPGA 仿真晶圓
臺積新晶圓制程技術加速實現(xiàn)3D IC

臺積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺積電除攜手硅智財業(yè)者，推進鰭式晶體管(FinFET)制程商用腳步外，亦計劃從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手，加

模擬
2013-07-05

IC 晶圓臺積電制程技術
臺積新晶圓制程技術加速實現(xiàn)三維芯片

臺積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺積電除攜手硅智財業(yè)者，推進鰭式晶體管(FinFET)制程商用腳步外，亦計劃從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手，加

模擬
2013-07-05

晶圓芯片臺積電制程技術
12寸晶圓需求大臺積受惠

研調(diào)機構(gòu)IC Insights最新報告指出，12寸晶圓市場需求仍大，預計2017年占全球晶圓總產(chǎn)能，將提高到七成，目前產(chǎn)能滿載的臺積電（2330）可望持續(xù)受惠。至于18寸晶圓的全球產(chǎn)能比重，到2017年時，仍只有0.1%。牽動臺

模擬
2013-07-05

DRAM INSIGHT 晶圓臺積電
臺積新晶圓制程技術加速實現(xiàn)3D IC

臺積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺積電除攜手硅智財業(yè)者，推進鰭式晶體管(FinFET)制程商用腳步外，亦計劃從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手，加

模擬
2013-07-05

IC 晶圓臺積電制程技術
IC Insights:全球?qū)H有10家廠商推進至18英寸晶圓

研調(diào)機構(gòu)IC Insights預期，全球?qū)H有10家廠商推進至18英寸晶圓，至2017年底18英寸晶圓產(chǎn)能占整體晶圓產(chǎn)能比重將僅約0.1%。 IC Insights表示，目前全球晶圓產(chǎn)能以12英寸晶圓為大宗，預期至今年底12英寸晶圓產(chǎn)能比重將

顯示光電
2013-07-05

IC INSIGHT 晶圓
IC Insights：2017年12寸晶圓產(chǎn)能占比將達70%

半導體采用12寸晶圓制造的比例將持續(xù)攀升。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計，2012年12月12寸晶圓產(chǎn)能占總半導體晶圓產(chǎn)能的比重已達55.7%，預估2013年底將增加至57.8%；未來幾年仍會穩(wěn)定成長，并于2017年12月達到70.4%。同時期8寸

模擬
2013-07-04

半導體 IC INSIGHT 晶圓
GlobalFoundries計劃擴大晶圓產(chǎn)能

GlobalFoundries位于新加坡的Fab 7工廠目前產(chǎn)能為每月5萬片硅晶圓，當2014年年底前完成產(chǎn)能擴展后，用于制造40～95納米硅芯片的200毫米和300毫米晶圓年產(chǎn)能將接近3百萬片，其中300毫米晶圓年產(chǎn)能將達1百萬片。 Globa

消費電子
2013-07-04

數(shù)字化新加坡 GLOBALFOUNDRIES 晶圓
格羅方德公司計劃擴大晶圓產(chǎn)能

[據(jù)阿拉伯國家報網(wǎng)站2013年7月1日報道]格羅方德公司位于新加坡的Fab7工廠目前產(chǎn)能為每月5萬片硅晶圓，當2014年年底前完成產(chǎn)能擴展后，用于制造40～95納米硅芯片的200毫米和300毫米晶圓年產(chǎn)能將接近3百萬片，其中300毫

半導體
2013-07-04

數(shù)字化新加坡格羅方德晶圓
多管齊下臺積電新晶圓制程技術加速實現(xiàn)3D IC

臺積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺積電除攜手硅智財業(yè)者，推進鰭式晶體管(FinFET)制程商用腳步外，亦計劃從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手，加

電子設計自動化
2013-07-04

IC 晶圓臺積電制程技術
臺積新晶圓制程技術加速實現(xiàn)3D IC

臺積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺積電除攜手硅智財業(yè)者，推進鰭式晶體管(FinFET)制程商用腳步外，亦計劃從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手，加

電子設計自動化
2013-07-04

IC 晶圓臺積電制程技術
IC Insights：2017年12寸晶圓產(chǎn)能占比將達70%

半導體采用12寸晶圓制造的比例將持續(xù)攀升。根據(jù)IC Insights統(tǒng)計，2012年12月12寸晶圓產(chǎn)能占總半導體晶圓產(chǎn)能的比重已達55.7%，預估2013年底將增加至57.8%；未來幾年仍會穩(wěn)定成長，并于2017年12月達到70.4%。同時期8寸

模擬
2013-07-04

半導體 IC INSIGHT 晶圓
Diodes推出首款采用晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基二極管實現(xiàn)雙倍功率密度

21ic訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky) 二極管，為智能手機及平板電腦的設計提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇

電源-LED驅(qū)動
2013-07-03

封裝肖特基二極管 DIODES 晶圓
GlobalFoundries計劃擴大晶圓產(chǎn)能

GlobalFoundries位于新加坡的Fab 7工廠目前產(chǎn)能為每月5萬片硅晶圓，當2014年年底前完成產(chǎn)能擴展后，用于制造40～95納米硅芯片的200毫米和300毫米晶圓年產(chǎn)能將接近3百萬片，其中300毫米晶圓年產(chǎn)能將達1百萬片。Global

模擬
2013-07-03

數(shù)字化新加坡 GLOBALFOUNDRIES 晶圓
格羅方德公司計劃擴大晶圓產(chǎn)能

[據(jù)阿拉伯國家報網(wǎng)站2013年7月1日報道]格羅方德公司位于新加坡的Fab7工廠目前產(chǎn)能為每月5萬片硅晶圓，當2014年年底前完成產(chǎn)能擴展后，用于制造40～95納米硅芯片的200毫米和300毫米晶圓年產(chǎn)能將接近3百萬片，其中300毫

模擬
2013-07-02

數(shù)字化新加坡格羅方德晶圓
格羅方德公司計劃擴大晶圓產(chǎn)能(圖)

[據(jù)阿拉伯國家報網(wǎng)站2013年7月1日報道]格羅方德公司位于新加坡的Fab 7工廠目前產(chǎn)能為每月5萬片硅晶圓，當2014年年底前完成產(chǎn)能擴展后，用于制造40～95納米硅芯片的200毫米和300毫米晶圓年產(chǎn)能將接近3百萬片，其中300

模擬
2013-07-02

數(shù)字化新加坡格羅方德晶圓
催生新世代處理器　臺積電翻新晶圓制程技術

臺積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善電晶體漏電流問題，臺積電除攜手矽智財(IP)業(yè)者，推進鰭式電晶體(FinFET)制程商用腳步外，亦計劃從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手

模擬
2013-07-01

處理器晶圓臺積電制程技術
大尺寸晶圓生產(chǎn)遇困 GaN-on-Si基板發(fā)展受阻

今年硅基氮化鎵（GaN-on-Si）基板市場發(fā)展急凍。去年5月底，普瑞光電（Bridgelux）與東芝（Toshiba）風光宣布，共同成功開發(fā)出基于8吋GaN-on-Si基板技術的發(fā)光二極體（LED）晶片，該元件採用350毫安培（mA）電流，電

半導體
2013-06-28

元件基板 GAN 晶圓

首頁上一頁 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 下一頁尾頁

晶圓

臺積電新晶圓制程技術加速實現(xiàn)三維芯片

IC Insights：2017年12寸晶圓產(chǎn)能占比將達70%

山東集成電路公共研發(fā)平臺取得良好經(jīng)濟社會效益

臺積新晶圓制程技術加速實現(xiàn)3D IC

臺積新晶圓制程技術加速實現(xiàn)三維芯片

12寸晶圓需求大臺積受惠

臺積新晶圓制程技術加速實現(xiàn)3D IC

IC Insights:全球?qū)H有10家廠商推進至18英寸晶圓

IC Insights：2017年12寸晶圓產(chǎn)能占比將達70%

GlobalFoundries計劃擴大晶圓產(chǎn)能

格羅方德公司計劃擴大晶圓產(chǎn)能

多管齊下臺積電新晶圓制程技術加速實現(xiàn)3D IC

臺積新晶圓制程技術加速實現(xiàn)3D IC

IC Insights：2017年12寸晶圓產(chǎn)能占比將達70%

Diodes推出首款采用晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基二極管實現(xiàn)雙倍功率密度

GlobalFoundries計劃擴大晶圓產(chǎn)能

格羅方德公司計劃擴大晶圓產(chǎn)能

格羅方德公司計劃擴大晶圓產(chǎn)能(圖)

催生新世代處理器　臺積電翻新晶圓制程技術

大尺寸晶圓生產(chǎn)遇困 GaN-on-Si基板發(fā)展受阻

相關標簽

關注此標簽的用戶(人)

熱門活動

課程視頻