晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

半導(dǎo)體大廠低調(diào)進(jìn)行18寸晶圓計(jì)劃

英特爾(Intel)的發(fā)言人透露，該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計(jì)劃自2013年1月起「順利展開」，該座代號(hào)為D1X第二期(module2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動(dòng)土。據(jù)了解，英特爾打算將D1X第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠；該

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2013-08-20

半導(dǎo)體晶圓英特爾晶圓廠
半導(dǎo)體大廠低調(diào)進(jìn)行18寸晶圓計(jì)劃

英特爾(Intel)的發(fā)言人透露，該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計(jì)劃自2013年1月起「順利展開」，該座代號(hào)為 D1X第二期( module 2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動(dòng)土。據(jù)了解，英特爾打算將D1X 第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-08-20

半導(dǎo)體晶圓英特爾晶圓廠
16納米建置… 臺(tái)積電繼續(xù)沖

臺(tái)積電28納米制程預(yù)定第4季減產(chǎn)，也使臺(tái)積電有更多的資源及人力投入20納米及16納米等先進(jìn)制程建置腳步，設(shè)備端感受到來自臺(tái)積電的先進(jìn)制程設(shè)備訂單仍然強(qiáng)勁，但28納米制程相關(guān)耗材及設(shè)備將受影響。臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，今

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2013-08-19

先進(jìn)制程臺(tái)積電 ASML 晶圓
半導(dǎo)體大廠低調(diào)進(jìn)行18寸晶圓計(jì)劃

英特爾(Intel)的發(fā)言人透露，該公司第一座 18寸(450mm)晶圓廠計(jì)劃自2013年1月起「順利展開」，該座代號(hào)為 D1X第二期( module 2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動(dòng)土。據(jù)了解，英特爾打算將D1X 第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓

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2013-08-19

半導(dǎo)體晶圓英特爾晶圓廠
臺(tái)積電追加573億擴(kuò)先進(jìn)制程

晶圓龍頭臺(tái)積電13日董事會(huì)通過573.65億元資本支出，連同上次核準(zhǔn)金額，合計(jì)為2033.65億元，約占臺(tái)積電全年資本支出上限100億美元的68%，顯示臺(tái)積電加速先進(jìn)制程腳步。臺(tái)積電將今年資本支出上修至95至100億美元(約新臺(tái)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-08-15

晶體管先進(jìn)制程臺(tái)積電晶圓
臺(tái)積電追加573億擴(kuò)先進(jìn)制程

晶圓龍頭臺(tái)積電昨（13）天董事會(huì)通過573.65億元資本支出，連同上次核準(zhǔn)金額，合計(jì)為2033.65億元，約占臺(tái)積電全年資本支出上限100億美元的68%，顯示臺(tái)積電加速先進(jìn)制程腳步。臺(tái)積電將今年資本支出上修至95至100億美元

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2013-08-14

晶體管先進(jìn)制程臺(tái)積電晶圓
臺(tái)積電追加573億擴(kuò)先進(jìn)制程

晶圓龍頭臺(tái)積電昨（13）天董事會(huì)通過573.65億元資本支出，連同上次核準(zhǔn)金額，合計(jì)為2033.65億元，約占臺(tái)積電全年資本支出上限100億美元的68%，顯示臺(tái)積電加速先進(jìn)制程腳步。臺(tái)積電將今年資本支出上修至95至100億

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2013-08-14

晶體管先進(jìn)制程臺(tái)積電晶圓
GlobalFoundries收獲高通28nm晶圓訂單

高通在移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的處理器工藝普遍已經(jīng)進(jìn)入到28nm階段，而且此前均由臺(tái)積電代工生產(chǎn)；受制于臺(tái)積電產(chǎn)能的影響以及價(jià)格因素，有消息稱高通將會(huì)在9月份起將五分之一的28nm晶圓訂單轉(zhuǎn)交給28nm工藝同樣已經(jīng)成熟的Globa

半導(dǎo)體
2013-08-13

臺(tái)積電 GLOBALFOUNDRIES 晶圓
搞定晶圓貼合/堆疊材料 3D IC量產(chǎn)制程就位

三維晶片(3DIC)商用量產(chǎn)設(shè)備與材料逐一到位。3DIC晶圓貼合與堆疊制程極為復(fù)雜且成本高昂，導(dǎo)致晶圓廠與封測(cè)業(yè)者遲遲難以導(dǎo)入量產(chǎn)。不過，近期半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者已陸續(xù)發(fā)布新一代3DIC制程設(shè)備與材料解決方案，有助突破

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2013-08-13

供應(yīng)鏈晶片 IC 晶圓
搞定晶圓貼合/堆疊材料 3D IC量產(chǎn)制程就位

三維晶片(3D IC)商用量產(chǎn)設(shè)備與材料逐一到位。3D IC晶圓貼合與堆疊制程極為復(fù)雜且成本高昂，導(dǎo)致晶圓廠與封測(cè)業(yè)者遲遲難以導(dǎo)入量產(chǎn)。不過，近期半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者已陸續(xù)發(fā)布新一代3D IC制程設(shè)備與材料解決方案，有助突

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-08-13

供應(yīng)鏈晶片 IC 晶圓
7月營(yíng)收臺(tái)積電悶、聯(lián)電樂

晶圓雙雄7月營(yíng)收不同調(diào)，臺(tái)積電（2330）7月合并營(yíng)收521.03億元，較6月減少3.6％；聯(lián)電（2303）7月合并營(yíng)收115.58億元，則比前月成長(zhǎng)7.4％。雖然7月消長(zhǎng)不一，但對(duì)于第3季的預(yù)期則是差異不大，由于今年半導(dǎo)體業(yè)第3季旺

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2013-08-12

聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
GlobalFoundries收獲高通28nm晶圓訂單

高通在移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的處理器工藝普遍已經(jīng)進(jìn)入到28nm階段，而且此前均由臺(tái)積電代工生產(chǎn)；受制于臺(tái)積電產(chǎn)能的影響以及價(jià)格因素，有消息稱高通將會(huì)在9月份起將五分之一的28nm晶圓訂單轉(zhuǎn)交給28nm工藝同樣已經(jīng)成熟的Globa

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2013-08-12

臺(tái)積電 GLOBALFOUNDRIES 晶圓
7月營(yíng)收臺(tái)積電悶、聯(lián)電樂

晶圓雙雄7月營(yíng)收不同調(diào)，臺(tái)積電(2330)7月合并營(yíng)收521.03億元，較6月減少3.6%;聯(lián)電(2303)7月合并營(yíng)收115.58億元，則比前月成長(zhǎng)7.4%。雖然7月消長(zhǎng)不一，但對(duì)于第3季的預(yù)期則是差異不大，由于今年半導(dǎo)體業(yè)第3季旺季不明

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-08-12

聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
搞定晶圓貼合/堆疊材料　3D IC量產(chǎn)制程就位

三維晶片(3D IC)商用量產(chǎn)設(shè)備與材料逐一到位。3D IC晶圓貼合與堆疊制程極為復(fù)雜且成本高昂，導(dǎo)致晶圓廠與封測(cè)業(yè)者遲遲難以導(dǎo)入量產(chǎn)。不過，近期半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者已陸續(xù)發(fā)布新一代3D IC制程設(shè)備與材料解決方案，有助突

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2013-08-12

供應(yīng)鏈晶片 IC 晶圓
晶圓雙雄臺(tái)積電小跌、聯(lián)電成長(zhǎng)

晶圓雙雄昨公布7月業(yè)績(jī)，因客戶庫(kù)存去化狀況不一，臺(tái)積電（2330）7月意外「滑跤」，合并營(yíng)收521.03億元，較6月小減3.6%，雖中止連4個(gè)月成長(zhǎng)走勢(shì)，但仍為單月歷史次高；法人表示，半導(dǎo)體未來2季持續(xù)調(diào)整庫(kù)存，預(yù)料本季

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2013-08-10

聯(lián)電臺(tái)積電半導(dǎo)體晶圓
7月營(yíng)收臺(tái)積電悶、聯(lián)電樂

晶圓雙雄7月營(yíng)收不同調(diào)，臺(tái)積電（2330）7月合并營(yíng)收521.03億元，較6月減少3.6％；聯(lián)電（2303）7月合并營(yíng)收115.58億元，則比前月成長(zhǎng)7.4％。雖然7月消長(zhǎng)不一，但對(duì)于第3季的預(yù)期則是差異不大，由于今年半導(dǎo)體業(yè)第3季旺

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2013-08-10

聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
GlobalFoundries收獲高通28nm晶圓訂單

高通在移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的處理器工藝普遍已經(jīng)進(jìn)入到28nm階段，而且此前均由臺(tái)積電代工生產(chǎn);受制于臺(tái)積電產(chǎn)能的影響以及價(jià)格因素，有消息稱高通將會(huì)在9月份起將五分之一的28nm晶圓訂單轉(zhuǎn)交給28nm工藝同樣已經(jīng)成熟的Global

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-08-09

臺(tái)積電 GLOBALFOUNDRIES 晶圓
勤友半導(dǎo)體設(shè)備結(jié)盟IBM

設(shè)備商勤友6日宣布與IBM簽署共同開發(fā)協(xié)議，藉由IBM擁有的復(fù)合雷射剝離制程和技術(shù)，開發(fā)全新生產(chǎn)線用半導(dǎo)體晶圓貼合(Bounder)和剝離設(shè)備(Debounder)，進(jìn)軍半導(dǎo)體2.5D、3D封裝技術(shù)。聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(zhǎng)宣明智也到場(chǎng)祝賀，

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-08-08

IBM 半導(dǎo)體設(shè)備半導(dǎo)體晶圓
聯(lián)電Q2 EPS 0.15元 40nm以下營(yíng)收占比2成

聯(lián)電舉辦線上法說并公布第2季財(cái)務(wù)報(bào)告，第2季歸屬母公司凈利為新臺(tái)幣18.1億元，每股普通股獲利為新臺(tái)幣0.15元;當(dāng)中40奈米及以下制程的營(yíng)收比重從第1季的18%提升到2成。聯(lián)電第2季營(yíng)業(yè)收入為新臺(tái)幣319.1億元，與上季的

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-08-08

IBM 聯(lián)電 EPS 晶圓
GlobalFoundries收獲高通28nm晶圓訂單

高通在移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的處理器工藝普遍已經(jīng)進(jìn)入到28nm階段，而且此前均由臺(tái)積電代工生產(chǎn)；受制于臺(tái)積電產(chǎn)能的影響以及價(jià)格因素，有消息稱高通將會(huì)在9月份起將五分之一的28nm晶圓訂單轉(zhuǎn)交給28nm工藝同樣已經(jīng)成熟的Globa

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2013-08-08

臺(tái)積電 GLOBALFOUNDRIES 晶圓

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晶圓

半導(dǎo)體大廠低調(diào)進(jìn)行18寸晶圓計(jì)劃

半導(dǎo)體大廠低調(diào)進(jìn)行18寸晶圓計(jì)劃

16納米建置… 臺(tái)積電繼續(xù)沖

半導(dǎo)體大廠低調(diào)進(jìn)行18寸晶圓計(jì)劃

臺(tái)積電追加573億擴(kuò)先進(jìn)制程

臺(tái)積電追加573億擴(kuò)先進(jìn)制程

臺(tái)積電追加573億擴(kuò)先進(jìn)制程

GlobalFoundries收獲高通28nm晶圓訂單

搞定晶圓貼合/堆疊材料 3D IC量產(chǎn)制程就位

搞定晶圓貼合/堆疊材料 3D IC量產(chǎn)制程就位

7月營(yíng)收臺(tái)積電悶、聯(lián)電樂

GlobalFoundries收獲高通28nm晶圓訂單

7月營(yíng)收臺(tái)積電悶、聯(lián)電樂

搞定晶圓貼合/堆疊材料　3D IC量產(chǎn)制程就位

晶圓雙雄臺(tái)積電小跌、聯(lián)電成長(zhǎng)

7月營(yíng)收臺(tái)積電悶、聯(lián)電樂

GlobalFoundries收獲高通28nm晶圓訂單

勤友半導(dǎo)體設(shè)備結(jié)盟IBM

聯(lián)電Q2 EPS 0.15元 40nm以下營(yíng)收占比2成

GlobalFoundries收獲高通28nm晶圓訂單

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