格羅方德

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格羅方德明年推14nm制程縮短與臺(tái)積電制程技術(shù)差距

晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)今年將投入44~45億美元資本支出，除了加速美國(guó)紐約州12寸廠Fab8導(dǎo)入量產(chǎn)時(shí)程，也計(jì)劃明年開(kāi)始提供客戶14納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程，縮短與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電之間的制程技術(shù)差

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-04-26

格羅方德臺(tái)積電制程技術(shù) FAB
格羅方德明年提供14納米制程

晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)今年將投入44~45億美元資本支出，除了加速美國(guó)紐約州12寸廠Fab8導(dǎo)入量產(chǎn)時(shí)程，也計(jì)劃明年開(kāi)始提供客戶14納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程，縮短與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電之間的制程技術(shù)差

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-04-26

晶圓代工格羅方德制程技術(shù) FAB
格羅方德明年提供14納米制程

晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)今年將投入44~45億美元資本支出，除了加速美國(guó)紐約州12寸廠Fab8導(dǎo)入量產(chǎn)時(shí)程，也計(jì)劃明年開(kāi)始提供客戶14納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程，縮短與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電之間的制程技術(shù)差

消費(fèi)電子
2013-04-26

晶圓代工格羅方德制程技術(shù) FAB
格羅方德加緊研發(fā) 明年量產(chǎn)14奈米FinFET晶圓

有鑒于晶圓代工的競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈，包括臺(tái)積電與英特爾紛紛打出先進(jìn)制程與FinFET技術(shù)來(lái)吸引客戶，特別是英特爾開(kāi)始跨足晶圓代工市場(chǎng)，并為自己量身打造行動(dòng)裝置專用的低功耗運(yùn)算處理器，造成其他手機(jī)晶片廠不小壓力，也

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2013-04-25

晶圓代工晶圓 FINFET 格羅方德
晶圓先進(jìn)制程全球四強(qiáng)爭(zhēng)戰(zhàn)

格羅方德技術(shù)長(zhǎng)蘇比昨（24）日談到晶圓代工產(chǎn)業(yè)前景時(shí)，認(rèn)為移動(dòng)通信驅(qū)動(dòng)晶圓代工2.0時(shí)代（Foundry2.0）來(lái)臨，未來(lái)有能力投入晶圓先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)的廠商只有臺(tái)積電、格羅方德、三星與英特爾。格羅方德今年資本支出約45億

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2013-04-25

先進(jìn)制程晶圓格羅方德臺(tái)積電
格羅方德明年提供14納米制程

晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries）今年將投入44~45億美元資本支出，除了加速美國(guó)紐約州12寸廠Fab8導(dǎo)入量產(chǎn)時(shí)程，也計(jì)劃明年開(kāi)始提供客戶14納米鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程，縮短與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電之間的制程技

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2013-04-25

晶圓代工格羅方德制程技術(shù) FAB
晶圓先進(jìn)制程全球四強(qiáng)爭(zhēng)戰(zhàn)

格羅方德技術(shù)長(zhǎng)蘇比昨（24）日談到晶圓代工產(chǎn)業(yè)前景時(shí)，認(rèn)為移動(dòng)通信驅(qū)動(dòng)晶圓代工2.0 時(shí)代（Foundry2.0）來(lái)臨，未來(lái)有能力投入晶圓先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)的廠商只有臺(tái)積電、格羅方德、三星與英特爾。格羅方德今年資本支出

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2013-04-25

先進(jìn)制程晶圓格羅方德臺(tái)積電
格羅方德嗆聲臺(tái)積后年推10納米制程

晶圓代工廠格羅方德（Globalfoundries）技術(shù)長(zhǎng)蘇比（Subi Kengeri）昨（24）日來(lái)臺(tái)，喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭，繼14納米XM明年量產(chǎn)，10納米2015年推出，此進(jìn)度比臺(tái)積電領(lǐng)先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還

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2013-04-25

晶圓代工先進(jìn)制程格羅方德臺(tái)積電
格羅方德明年提供14納米制程

晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries）今年將投入44~45億美元資本支出，除了加速美國(guó)紐約州12寸廠Fab8導(dǎo)入量產(chǎn)時(shí)程，也計(jì)劃明年開(kāi)始提供客戶14納米鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程，縮短與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電之間的制程技

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2013-04-25

晶圓代工格羅方德制程技術(shù) FAB
力晶P3廠傳金士頓標(biāo)下

力晶P3廠標(biāo)售案已于上周五截標(biāo)，據(jù)悉，銀行團(tuán)已經(jīng)將所有標(biāo)單看過(guò)，將在出價(jià)最高、條件最好，符合力晶最大利益下，決定最后的對(duì)象，并在今(24)日正式對(duì)外公告，市場(chǎng)傳出，將由金士頓拿下。至于上回已投標(biāo)，但來(lái)不

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2013-04-24

半導(dǎo)體 DRAM 金士頓格羅方德
力晶賣(mài)設(shè)備臺(tái)積競(jìng)標(biāo)

力晶旗下P3廠機(jī)器設(shè)備進(jìn)行第二度標(biāo)售，據(jù)了解，包括臺(tái)積電（2330）及大陸晶圓大廠中芯等共21家廠商投標(biāo)，總標(biāo)售金額超過(guò)1.5億美元，約折合新臺(tái)幣45億元以上。主要債權(quán)銀行華南銀行預(yù)計(jì)明（24）日公布得標(biāo)者。

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2013-04-23

DRAM 中芯格羅方德臺(tái)積電
GlobalFoundries擴(kuò)產(chǎn) 狠砸44億美元

彭博社報(bào)導(dǎo)，隨著智慧型手機(jī)和平板電腦需求攀升，晶圓代工廠格羅方德半導(dǎo)體公司（GlobalFoundries Inc.）今年計(jì)劃斥資44億美元擴(kuò)產(chǎn)。格羅方德發(fā)言人金波（Kevin Kimball）15日透過(guò)電郵表示：「我們?cè)诘聡?guó)、新加坡

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2013-04-19

半導(dǎo)體晶圓代工 GLOBALFOUNDRIES 格羅方德
12寸晶圓廠機(jī)會(huì)之窗關(guān)閉，世界遭花旗降評(píng)

世界(5347) Q1營(yíng)收微幅季增0.7%為47.86億元、年增51.75%，符合公司于法說(shuō)會(huì)上提出，Q1營(yíng)運(yùn)將能淡季不淡的看法。不過(guò)，外資花旗(Citi)出具的最新報(bào)告，卻將世界從中立(Neutral)降評(píng)至賣(mài)出(Sell)，主要是第一、世界目前

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2013-04-17

晶圓廠電源管理IC 驅(qū)動(dòng)IC 格羅方德
半導(dǎo)體銷售臺(tái)積電成長(zhǎng)第三

市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights公布最新2012年全球半導(dǎo)體(包括光電元件、傳感器與離散元件)供應(yīng)商排行榜，去年銷售成長(zhǎng)幅度最多的是高通，臺(tái)灣的臺(tái)積電、聯(lián)發(fā)科居第3及第5名。ICInsights報(bào)告指出，去年銷售業(yè)績(jī)成長(zhǎng)最多的是高通

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2013-04-16

半導(dǎo)體 INSIGHT 格羅方德臺(tái)積電
半導(dǎo)體銷售臺(tái)積電成長(zhǎng)第3

市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights公布最新2012年全球半導(dǎo)體(包括光電元件、傳感器與離散元件)供應(yīng)商排行榜，去年銷售成長(zhǎng)幅度最多的是高通，臺(tái)灣的臺(tái)積電、聯(lián)發(fā)科居第3及第5名。 IC Insights 報(bào)告指出，去年銷售業(yè)績(jī)成長(zhǎng)最多

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2013-04-15

半導(dǎo)體 INSIGHT 格羅方德臺(tái)積電
急甩聯(lián)電　格羅方德大舉收購(gòu)晶圓設(shè)備

日前茂德12寸晶圓廠出售標(biāo)案，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)從世界先進(jìn)手中搶親成功，先取得約千件專攻90、65奈米(nm)以下制程的蝕刻、曝光等設(shè)備；分析師解讀，格羅方德此舉主要為補(bǔ)強(qiáng)先進(jìn)制程完整性，同時(shí)以較低成本購(gòu)

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2013-04-09

晶圓聯(lián)電格羅方德臺(tái)積電
臺(tái)積資本支出估將上調(diào)

顧能研究副總裁王端昨天指出，晶圓代工龍頭臺(tái)積電面臨三星和格羅方德直接跨入14納米FinFET（鰭式場(chǎng)效晶體管）制程，可能上修資本支出，加速16納米FinFET制程量產(chǎn)腳步，推估今年資本支出恐逾百億美元。王端推測(cè)，臺(tái)

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2013-04-09

三星 FINFET 格羅方德臺(tái)積電
格羅方德買(mǎi)下茂德12寸設(shè)備

晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)28日宣布買(mǎi)下茂德位于中科12寸晶圓廠部份設(shè)備，由世界先進(jìn)手中搶親成功。然據(jù)業(yè)內(nèi)人士指出，該設(shè)備收購(gòu)案總成交金額超過(guò)新臺(tái)幣60億元，格羅方德后續(xù)還會(huì)再買(mǎi)下茂德廠房及聘雇

消費(fèi)電子
2013-04-01

晶圓廠半導(dǎo)體制造格羅方德臺(tái)積電
格羅方德買(mǎi)下茂德12寸設(shè)備

晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)28日宣布買(mǎi)下茂德位于中科12寸晶圓廠部份設(shè)備，由世界先進(jìn)手中搶親成功。然據(jù)業(yè)內(nèi)人士指出，該設(shè)備收購(gòu)案總成交金額超過(guò)新臺(tái)幣60億元，格羅方德后續(xù)還會(huì)再買(mǎi)下茂德廠房及聘雇現(xiàn)有

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-04-01

晶圓廠半導(dǎo)體制造格羅方德臺(tái)積電
日晶圓廠重組臺(tái)積、格羅方德想入股

格羅方德?lián)尀﹣喼?，外電指出，瑞薩電子（Renesas）、富士通（Fujitsu）與松下（Panasonic）上月傳出重組，將分割所屬系統(tǒng)芯片事業(yè)，再各自把旗下制造廠整合成一家公司賣(mài)出，除了主動(dòng)接觸臺(tái)積電外，格羅方德也有意入資

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2013-03-29

富士通晶圓廠格羅方德臺(tái)積電

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格羅方德

格羅方德明年推14nm制程縮短與臺(tái)積電制程技術(shù)差距

格羅方德明年提供14納米制程

格羅方德明年提供14納米制程

格羅方德加緊研發(fā) 明年量產(chǎn)14奈米FinFET晶圓

晶圓先進(jìn)制程全球四強(qiáng)爭(zhēng)戰(zhàn)

格羅方德明年提供14納米制程

晶圓先進(jìn)制程全球四強(qiáng)爭(zhēng)戰(zhàn)

格羅方德嗆聲臺(tái)積后年推10納米制程

格羅方德明年提供14納米制程

力晶P3廠傳金士頓標(biāo)下

力晶賣(mài)設(shè)備臺(tái)積競(jìng)標(biāo)

GlobalFoundries擴(kuò)產(chǎn) 狠砸44億美元

12寸晶圓廠機(jī)會(huì)之窗關(guān)閉，世界遭花旗降評(píng)

半導(dǎo)體銷售臺(tái)積電成長(zhǎng)第三

半導(dǎo)體銷售臺(tái)積電成長(zhǎng)第3

急甩聯(lián)電　格羅方德大舉收購(gòu)晶圓設(shè)備

臺(tái)積資本支出估將上調(diào)

格羅方德買(mǎi)下茂德12寸設(shè)備

格羅方德買(mǎi)下茂德12寸設(shè)備

日晶圓廠重組臺(tái)積、格羅方德想入股

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