格羅方德

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格羅方德：「3D鰭式晶體管」技術(shù)領(lǐng)先臺(tái)積電

晶圓代工大廠格羅方德（Globalfoundries）昨（28）日宣布，旗下以3D鰭式晶體管（FinFET）導(dǎo)入的14納米元件，預(yù)計(jì)2013年試產(chǎn)，2014年量產(chǎn)，「已可直接與英特爾競(jìng)爭(zhēng)」，技術(shù)層次更領(lǐng)先臺(tái)積電半個(gè)世代。格羅方德由微處

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2012-09-29

臺(tái)積電晶體管格羅方德晶圓代工
挑戰(zhàn)臺(tái)積電！格羅方德強(qiáng)攻行動(dòng)市場(chǎng)14奈米明年試產(chǎn)

GLOBALFOUNDRIES(格羅方德)近期持續(xù)展現(xiàn)挑戰(zhàn)臺(tái)積電(2330-TW)與英特爾(INTC-US)的企圖心。該公司宣稱，3D FinFET導(dǎo)入的14奈米元件將于明年導(dǎo)入試產(chǎn)，直接跳過(guò)28奈米，要與臺(tái)積電所稱的20奈米SoC應(yīng)用互別苗頭，并鎖定行

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2012-09-29

恩智浦 FINFET 臺(tái)積電格羅方德
GF：3D FinFET技術(shù)領(lǐng)先臺(tái)積電

晶圓代工大廠格羅方德（Globalfoundries）昨（28）日宣布，旗下以3D鰭式晶體管（FinFET）導(dǎo)入的14納米元件，預(yù)計(jì)2013年試產(chǎn)，2014年量產(chǎn)，“已可直接與英特爾競(jìng)爭(zhēng)”，技術(shù)層次更領(lǐng)先臺(tái)積電半個(gè)世代。格羅方德由微

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2012-09-29

FINFET 臺(tái)積電格羅方德晶圓代工
追英特爾！格羅方德：14nm-XM制程2014年量產(chǎn)

GLOBALFOUNDRIES(格羅方德)今(28日)召開記者會(huì)，說(shuō)明其于14 nm-XM制程技術(shù)的最新進(jìn)展。格羅方德全球行銷暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Michael Noonen(見(jiàn)左圖)指出，格羅方德的14 nm-XM技術(shù)將在2013年底有第1個(gè)客戶的tape-out，

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2012-09-29

英特爾 IMAGE FAB 格羅方德
格羅方德?lián)屖?優(yōu)化電晶體架構(gòu)

半導(dǎo)體晶圓代工大廠格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)推出14nm-XM技術(shù)，可提供 3D「鰭式場(chǎng)效記憶體」(FinFET)電晶體的效能及能源優(yōu)勢(shì)，是專為成長(zhǎng)快速的行動(dòng)市場(chǎng)所設(shè)計(jì)。格羅方德透過(guò)資料發(fā)布表市，新的14nm-XM技術(shù)不僅

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2012-09-22

晶片電晶體 GLOBALFOUNDRIES 格羅方德
緊追臺(tái)積電格羅方德推14奈米結(jié)合20奈米LPM

不讓臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)專美于前。GLOBALFOUNDRIES(格羅方德)今(21)日宣布推出專為成長(zhǎng)快速的行動(dòng)市場(chǎng)所設(shè)計(jì)的新技術(shù)14nm-XM，加速其頂尖的發(fā)展藍(lán)圖并采優(yōu)化新世代行動(dòng)裝置的FinFET電晶體架構(gòu)；并結(jié)合將量產(chǎn)的2

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2012-09-21

FINFET GLOBALFOUNDRIES 臺(tái)積電格羅方德
投片案破百件GF 28nm耕耘有成

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)28奈米制程投片試產(chǎn)的設(shè)計(jì)案已突破一百件。隨著紐約八廠即將于明年開始上線運(yùn)作，格羅方德已陸續(xù)接獲客戶投片試產(chǎn)的合作案，包括超微(AMD)、高通(Qualcomm)、意法半導(dǎo)體(ST)、Adapteva和Ra

充電吧
2012-08-27

先進(jìn)制程 GLOBALFOUNDRIES 格羅方德晶圓代工
投片案破百件GF 28nm耕耘有成

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)28奈米制程投片試產(chǎn)的設(shè)計(jì)案已突破一百件。隨著紐約八廠即將于明年開始上線運(yùn)作，格羅方德已陸續(xù)接獲客戶投片試產(chǎn)的合作案，包括超微(AMD)、高通(Qualcomm)、意法半導(dǎo)體(ST)、Adapteva和Ra

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2012-08-27

先進(jìn)制程 GLOBALFOUNDRIES 格羅方德晶圓代工
格羅方德晶圓代工全球排第2

根據(jù)IC Insights最新報(bào)告，晶圓代工第2季表現(xiàn)，格羅方德以11.15億美元超越聯(lián)電的9.7億美元，成為全球第2大晶圓代工廠；第1名仍是臺(tái)積電，第2季營(yíng)收43.37億美元。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights 報(bào)告也公布，今年上半年

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2012-08-24

IC INSIGHT 格羅方德晶圓代工
晶圓代工格羅方德擠下聯(lián)電

市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights公布最新2012年晶圓代工廠排名預(yù)估，臺(tái)積電穩(wěn)居龍頭，格羅方德(GlobalFoundries)擠下聯(lián)電成為晶圓代工二哥，與聯(lián)電間的營(yíng)收差距預(yù)估將拉大到5.1億美元。至于臺(tái)積電眼中「可畏的對(duì)手」韓國(guó)三星電子

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2012-08-23

蘋果聯(lián)電格羅方德晶圓代工
晶圓代工格羅方德擠下聯(lián)電

市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights公布最新2012年晶圓代工廠排名預(yù)估，臺(tái)積電穩(wěn)居龍頭，格羅方德（GlobalFoundries）擠下聯(lián)電成為晶圓代工二哥，與聯(lián)電間的營(yíng)收差距預(yù)估將拉大到5.1億美元。至于臺(tái)積電眼中「可畏的對(duì)手」韓國(guó)三星電

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2012-08-23

蘋果聯(lián)電格羅方德晶圓代工
晶圓代工格羅方德擠下聯(lián)電

市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights公布最新2012年晶圓代工廠排名預(yù)估，臺(tái)積電穩(wěn)居龍頭，格羅方德（GlobalFoundries）擠下聯(lián)電成為晶圓代工二哥，與聯(lián)電間的營(yíng)收差距預(yù)估將拉大到5.1億美元。至于臺(tái)積電眼中「可畏的對(duì)手」韓國(guó)

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2012-08-23

蘋果聯(lián)電格羅方德晶圓代工
晶圓代工格羅方德擠下聯(lián)電

市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights公布最新2012年晶圓代工廠排名預(yù)估，臺(tái)積電穩(wěn)居龍頭，格羅方德（GlobalFoundries）擠下聯(lián)電成為晶圓代工二哥，與聯(lián)電間的營(yíng)收差距預(yù)估將拉大到5.1億美元。至于臺(tái)積電眼中「可畏的對(duì)手」韓國(guó)三星電

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2012-08-23

蘋果聯(lián)電格羅方德晶圓代工
左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

繼日前與臺(tái)積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國(guó)際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)

消費(fèi)電子
2012-08-17

ARM IP FINFET 格羅方德
左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

繼日前與臺(tái)積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國(guó)際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)

消費(fèi)電子
2012-08-17

ARM IP FINFET 格羅方德
左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

繼日前與臺(tái)積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國(guó)際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)

單片機(jī)
2012-08-16

ARM IP FINFET 格羅方德
格羅方德?lián)寙?加碼擴(kuò)產(chǎn)

晶圓代工廠格羅方德（Globalfoundries）本月起在紐約的晶圓8廠（Fab8）啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)，該廠資本預(yù)算從46億美元提升至69億美元（約新臺(tái)幣2,070億元），幅度高達(dá)五成，明年完工后月產(chǎn)能上看6萬(wàn)片，拉近與臺(tái)積電差距，企圖自

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2012-08-15

ARM 平板臺(tái)積電格羅方德
格羅方德?lián)寙?加碼擴(kuò)產(chǎn)

晶圓代工廠格羅方德（Globalfoundries）本月起在紐約的晶圓8廠（Fab8）啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)，該廠資本預(yù)算從46億美元提升至69億美元（約新臺(tái)幣2,070億元），幅度高達(dá)五成，明年完工后月產(chǎn)能上看6萬(wàn)片，拉近與臺(tái)積電差距，企圖自

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2012-08-15

ARM 平板臺(tái)積電格羅方德
左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

繼日前與臺(tái)積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國(guó)際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)

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2012-08-15

ARM IP FINFET 格羅方德
左擁臺(tái)積右抱格羅方德ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

繼日前與臺(tái)積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國(guó)際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)

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2012-08-15

ARM IP FINFET 格羅方德

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格羅方德

格羅方德：「3D鰭式晶體管」技術(shù)領(lǐng)先臺(tái)積電

挑戰(zhàn)臺(tái)積電！格羅方德強(qiáng)攻行動(dòng)市場(chǎng)14奈米明年試產(chǎn)

GF：3D FinFET技術(shù)領(lǐng)先臺(tái)積電

追英特爾！格羅方德：14nm-XM制程2014年量產(chǎn)

格羅方德?lián)屖?優(yōu)化電晶體架構(gòu)

緊追臺(tái)積電格羅方德推14奈米結(jié)合20奈米LPM

投片案破百件GF 28nm耕耘有成

投片案破百件GF 28nm耕耘有成

格羅方德晶圓代工全球排第2

晶圓代工格羅方德擠下聯(lián)電

晶圓代工格羅方德擠下聯(lián)電

晶圓代工格羅方德擠下聯(lián)電

晶圓代工格羅方德擠下聯(lián)電

左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

格羅方德?lián)寙?加碼擴(kuò)產(chǎn)

格羅方德?lián)寙?加碼擴(kuò)產(chǎn)

左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

左擁臺(tái)積右抱格羅方德ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

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