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沖刺28nm/FinFET研發(fā) 晶圓廠資本支出創(chuàng)新高
為爭搶先進(jìn)制程商機(jī)大餅，包括臺(tái)積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠，下半年均將擴(kuò)大資本設(shè)備支出，持續(xù)擴(kuò)充28奈米制程產(chǎn)能;與此同時(shí)，受到英特爾沖刺FinFET技術(shù)研發(fā)刺激，各大晶圓廠也不斷加碼技術(shù)投資，將驅(qū)動(dòng)整體晶
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爭搶先進(jìn)制程商機(jī) 晶圓廠加大投資沖刺28nm/FinFET研發(fā)
為爭搶先進(jìn)制程商機(jī)大餅，包括臺(tái)積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠，下半年均將擴(kuò)大資本設(shè)備支出，持續(xù)擴(kuò)充28奈米制程產(chǎn)能;與此同時(shí)，受到英特爾沖刺FinFET技術(shù)研發(fā)刺激，各大晶圓廠也不斷加碼技術(shù)投資，將驅(qū)動(dòng)整體晶
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Cadence和格羅方德合作改進(jìn)20及14納米節(jié)點(diǎn)DFM簽收
益華電腦(Cadence Design Systems)宣布，晶圓代工業(yè)者格羅方德半導(dǎo)體(GLOBALFOUNDRIES)與該公司合作，為20nm與14nm制程提供樣式分析資料。GLOBALFOUNDRIES運(yùn)用Cadence樣式分類(Pattern Classification)與樣式比對(duì)(Pa
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沖刺28nm/FinFET研發(fā) 晶圓廠資本支出創(chuàng)新高
為爭搶先進(jìn)制程商機(jī)大餅，包括臺(tái)積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠，下半年均將擴(kuò)大資本設(shè)備支出，持續(xù)擴(kuò)充28奈米制程產(chǎn)能；與此同時(shí)，受到英特爾沖刺FinFET技術(shù)研發(fā)刺激，各大晶圓廠也不斷加碼技術(shù)投資，將驅(qū)動(dòng)整體
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聯(lián)電近五季營運(yùn)表現(xiàn)概況
晶圓代工廠聯(lián)電（2303）昨（8）日舉行法說，第1季稅后純益65.9億元，創(chuàng)近十季來新高，每股稅后純益（EPS）0.52元，其中，業(yè)外獲利有60億元來自收購和艦的附加商業(yè)價(jià)值利益回沖。法人預(yù)期，這意味著聯(lián)電當(dāng)初購買和艦的
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聯(lián)電近五季營運(yùn)表現(xiàn)概況
晶圓代工廠聯(lián)電（2303）昨（8）日舉行法說，第1季稅后純益65.9億元，創(chuàng)近十季來新高，每股稅后純益（EPS）0.52元，其中，業(yè)外獲利有60億元來自收購和艦的附加商業(yè)價(jià)值利益回沖。 法人預(yù)期，這意味著聯(lián)電當(dāng)初購買和
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益華電腦/格羅方德合作改善20/14奈米制程
益華電腦宣布，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)與益華電腦合作，為20與14奈米(nm)制程提供樣式分析資料。格羅方德運(yùn)用益華電腦樣式分類(Pattern Classification)與樣式比對(duì)(Pattern Matching)解決方案，因?yàn)槭褂谜吣軌蚴箍?/p>
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四強(qiáng)時(shí)代到來 全球代工競爭格局將更復(fù)雜化
臺(tái)積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開始接受Altera的14nmFPGA訂單，兩大半導(dǎo)體巨頭開始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。而另一家代工廠格羅方德近日也宣布要在兩年內(nèi)在工藝制程方面趕上臺(tái)積電。這
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聯(lián)電 世界 Q2產(chǎn)能近滿載
臺(tái)積電（2330）日前法說釋出第2季季增最高17.5%佳音，優(yōu)于外界預(yù)期，本周將舉行「2013臺(tái)灣技術(shù)論壇」，再成業(yè)界焦點(diǎn)，另世界先進(jìn)（5347）及聯(lián)電（2303）本周將接棒舉行法說，市場(chǎng)預(yù)期，世界先進(jìn)及聯(lián)電第2季產(chǎn)能利用率
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聯(lián)電 世界 Q2產(chǎn)能近滿載
【蕭文康╱臺(tái)北報(bào)導(dǎo)】臺(tái)積電（2330）日前法說釋出第2季季增最高17.5%佳音，優(yōu)于外界預(yù)期，本周將舉行「2013臺(tái)灣技術(shù)論壇」，再成業(yè)界焦點(diǎn)，另世界先進(jìn)（5347）及聯(lián)電（2303）本周將接棒舉行法說，市場(chǎng)預(yù)期，世界先進(jìn)
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GLOBALFOUNDRIES發(fā)豪語 2015年量產(chǎn)10奈米
先進(jìn)制程晶圓代工市場(chǎng)戰(zhàn)火愈演愈烈。繼臺(tái)積電宣布將分別于2015、2017年推出16和10奈米鰭式電晶體(FinFET)制程后，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)日前也喊出將超前臺(tái)積電1年，于2014年導(dǎo)入14奈米量產(chǎn)，并將發(fā)揮FinFET專利
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英飛凌與格羅方德共同開發(fā)40nm嵌入式Flash制程
英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開發(fā)并合作生產(chǎn) 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術(shù)。這項(xiàng)合作案將著重于以英飛凌 eFlash 晶片設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)的技術(shù)開發(fā)，以及採用 40nm 製
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英飛凌與格羅方德共同開發(fā)40nm嵌入式Flash制程
英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開發(fā)并合作生產(chǎn) 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術(shù)。這項(xiàng)合作案將著重于以英飛凌 eFlash 晶片設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)的技術(shù)開發(fā)，以及採用 40nm 製
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GLOBALFOUNDRIES發(fā)豪語 2015年量產(chǎn)10奈米
先進(jìn)制程晶圓代工市場(chǎng)戰(zhàn)火愈演愈烈。繼臺(tái)積電宣布將分別于2015、2017年推出16和10奈米鰭式電晶體(FinFET)制程后，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)日前也喊出將超前臺(tái)積電1年，于2014年導(dǎo)入14奈米量產(chǎn)，并將發(fā)揮FinFET專利
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超越臺(tái)積電 格羅方德稱2015推出10納米晶圓
OFweek電子工程網(wǎng)訊：晶圓代工廠格羅方德（Globalfoundries）技術(shù)長蘇比（Subi Kengeri）日前來臺(tái)，喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭，繼14納米XM明年量產(chǎn)，10納米2015年推出，此進(jìn)度比臺(tái)積電領(lǐng)先兩年，也比英特爾2
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降低先進(jìn)制程風(fēng)險(xiǎn) Foundry 2.0營運(yùn)模式興起
晶圓代工市場(chǎng)將出現(xiàn)新的Foundry 2.0經(jīng)營模式。由于先進(jìn)制程投資劇增，經(jīng)營風(fēng)險(xiǎn)愈來愈大，傳統(tǒng)專業(yè)晶圓代工廠或整合元件制造商(IDM)的營運(yùn)方式均備受挑戰(zhàn)；因此已有晶圓代工業(yè)者開始推行可兼顧兩者運(yùn)作優(yōu)點(diǎn)的Foundry
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超越臺(tái)積電 格羅方德稱2015推出10納米晶圓
晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長蘇比(SubiKengeri)日前來臺(tái)，喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭，繼14納米XM明年量產(chǎn)，10納米2015年推出，此進(jìn)度比臺(tái)積電領(lǐng)先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。
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超越臺(tái)積電 格羅方德稱2015推出10納米晶圓
晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長蘇比(SubiKengeri)日前來臺(tái)，喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭，繼14納米XM明年量產(chǎn)，10納米2015年推出，此進(jìn)度比臺(tái)積電領(lǐng)先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。
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超越臺(tái)積電 格羅方德稱2015推出10納米晶圓
—— 比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年 晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長蘇比(SubiKengeri)日前來臺(tái)，喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭，繼14納米XM明年量產(chǎn)，10納米2015年推出，此進(jìn)度比臺(tái)積電領(lǐng)先兩
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超越臺(tái)積電 格羅方德稱2015推出10納米晶圓
晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長蘇比(SubiKengeri)日前來臺(tái)，喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭，繼14納米XM明年量產(chǎn)，10納米2015年推出，此進(jìn)度比臺(tái)積電領(lǐng)先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。
