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英飛凌 CoolGaN?功率晶體管賦能SounDigital放大器，更小尺寸、更高保真
【2025年3月3日, 德國慕尼黑訊】由于市場對于音頻設(shè)備的緊湊、輕便、高集成度和節(jié)能的需求越來越高，領(lǐng)先的音頻設(shè)備制造商在不斷提高音質(zhì)的同時，也在努力滿足這一需求。另外，他們還必須實現(xiàn)無縫連接、保證成本效益，并提供對用戶友好的功能，這使得音頻產(chǎn)品的開發(fā)變得更加復(fù)雜。為了解決這些難題，SounDigital在其全新1500 W D類放大器中集成了英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的 CoolGaN?晶體管，支持800 kHz開關(guān)頻率和五個通道，借助英飛凌先進(jìn)的氮化鎵（GaN）技術(shù)，將其能效提升了 5%，能量損耗降低了 60%。
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碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN 器件的介紹及未來市場
在半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)迭代的進(jìn)程中，碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)器件作為第三代半導(dǎo)體的杰出代表，憑借其卓越的性能優(yōu)勢，正逐步改寫著電子產(chǎn)業(yè)的格局，成為推動眾多領(lǐng)域變革的關(guān)鍵力量。深入了解這兩種器件的特性、應(yīng)用現(xiàn)狀以及未來市場走向，對于把握半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展脈搏意義重大。
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Bourns 全新推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級高隔離反激式變壓器系列
全新變壓器在緊湊組件尺寸中實現(xiàn)卓越的隔離和電氣間隙/爬電距離
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英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件
【2024年11月20日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G5晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費和工業(yè)開關(guān)電源（SMPS）、可再生能源，以及家用電器中的電機驅(qū)動器。
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資本加速涌入!GaN和SiC時代即將到來
隨著全球科技產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料作為信息技術(shù)的基石，正經(jīng)歷著前所未有的變革。其中，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，正憑借其出色的性能吸引著大量資本的涌入。這標(biāo)志著GaN和SiC時代即將到來，將為電子、通信、能源等多個領(lǐng)域帶來革命性的變化。
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化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點：策略與實踐
第三代半導(dǎo)體，以其獨特的寬禁帶特性，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，在功率電子、射頻電子和光電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。然而，盡管這些材料在性能上遠(yuǎn)超傳統(tǒng)半導(dǎo)體，其廣泛應(yīng)用仍面臨諸多挑戰(zhàn)和痛點。
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解鎖多個“業(yè)界第一”，PI推出全新1700V氮化鎵開關(guān)IC
為了填補開關(guān)IC市場高壓電源技術(shù)的空白，近日PI公司擴充了旗下產(chǎn)品組合，推出了一款額定耐壓為1700V的氮化鎵開關(guān)IC——InnoMux?-2 1700V IC，旨在為業(yè)界提供更高能效、更低成本的解決方案。
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CGD和QORVO將徹底改變電機控制解決方案
評估套件具有 Qorvo 的高性能無刷直流/永磁同步電機控制器/驅(qū)動器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
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Power Integrations推出1700V氮化鎵開關(guān)IC， 為氮化鎵技術(shù)樹立新標(biāo)桿
1700V額定耐壓的氮化鎵InnoMux-2 IC可在1000VDC母線電壓下實現(xiàn)高于90%的效率， 并通過三路精確調(diào)整的輸出提供高達(dá)70W的功率
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德州儀器擴大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍
德州儀器采用當(dāng)前先進(jìn)的 GaN 制造技術(shù)，現(xiàn)啟用兩家工廠生產(chǎn) GaN 功率半導(dǎo)體全系列產(chǎn)品 新聞亮點： 德州儀器增加了 GaN 制造投入，將兩個工廠的 GaN 半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍。 德州儀器基于 GaN 的半導(dǎo)體現(xiàn)已投產(chǎn)上市。 憑借德州儀器品類齊...
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英飛凌攜手AWL-Electricity通過氮化鎵功率半導(dǎo)體優(yōu)化無線功率
【2024年10月21日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布與總部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作關(guān)系，后者是兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN? GS61008P，幫助該公司開發(fā)先進(jìn)的無線功率解決方案，為各行各業(yè)開辟解決功率難題的新途徑。
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英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動行業(yè)變革
憑借這一突破性的?300 mm GaN技術(shù)，英飛凌將推動GaN市場快速增長 利用現(xiàn)有的大規(guī)模300 mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率 300 mm GaN的成本將逐漸與硅的成本持平 德國慕尼黑和奧地利菲拉赫2024年9月12日 /美...
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英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動行業(yè)變革
【2024年9月11日，德國慕尼黑和奧地利菲拉赫訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項300 mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項突破將極大地推動GaN功率半導(dǎo)體市場的發(fā)展。相較于 200 mm晶圓，300 mm晶圓芯片生產(chǎn)不僅在技術(shù)上更先進(jìn)，也因為晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的芯片數(shù)量增加了 2.3 倍，效率也顯著提高。
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羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。
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Peregrine 推出支持氮化鎵功率放大器頻率的新型單片相位和振幅控制器
在當(dāng)今快速發(fā)展的通信技術(shù)領(lǐng)域，高效、穩(wěn)定的功率放大器及其配套控制設(shè)備是確保數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量和效率的關(guān)鍵。近日，Peregrine Semiconductor(派更半導(dǎo)體公司)憑借其強大的技術(shù)實力和創(chuàng)新精神，成功推出了兩款支持氮化鎵(GaN)功率放大器頻率的新型單片相位和振幅控制器(MPAC)——PE46130和PE46140。這兩款產(chǎn)品的問世，不僅為無線通信、雷達(dá)技術(shù)等領(lǐng)域的發(fā)展注入了新的活力，還進(jìn)一步鞏固了Peregrine在射頻解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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探索硅摻雜對塊體 GaN 熱導(dǎo)率的影響
寬帶隙半導(dǎo)體材料氮化鎵 (GaN) 具有出色的電氣和光學(xué)特性，可用于各種電子和光電設(shè)備。然而，與其他半導(dǎo)體相比，其固有熱導(dǎo)率明顯較低。硅摻雜可以顯著影響塊狀氮化鎵 (GaN) 的熱導(dǎo)率。
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什么是氮化鎵充電器?如何選擇氮化鎵充電器?
氮化鎵基發(fā)光二極管，電子學(xué)術(shù)語，GaN 是一種寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料，具有發(fā)射藍(lán)光、高溫、高頻、高壓、大功率和耐酸、耐堿、耐腐蝕等特點，是繼鍺、硅和砷化鎵之后最主要的半導(dǎo)體材料之一。
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Nexperia將在漢堡投資2億美元
擴大研發(fā)和生產(chǎn)能力，支持未來技術(shù)的發(fā)展
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GaN， “鎵”馭全功率 ——高壓大功率應(yīng)用，氮化鎵前景可期
功率半導(dǎo)體領(lǐng)域已有很多年未發(fā)生系統(tǒng)性技術(shù)變革，目前熱門的寬禁帶（WBG）功率器件已經(jīng)開始占據(jù)自己所“擅長”的市場領(lǐng)域——氮化鎵（GaN）功率器件應(yīng)用從快充起步已獲得顯著的商業(yè)化進(jìn)展，EV的逆變器則率先采用了碳化硅（SiC）。
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
該筆交易有利于高電壓、高功率氮化鎵技術(shù)的持續(xù)發(fā)展
