-
多款內(nèi)置PI PowiGaN芯片氮化鎵充電器成為京東暢銷產(chǎn)品
八款熱銷產(chǎn)品任你選~
-
ST 和Exagan開啟GaN發(fā)展新篇章
氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4 eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。
-
意法半導(dǎo)體針對高能效功率變換應(yīng)用，推出新的 45W和150W MasterGaN 產(chǎn)品
中國，2021 年 8 月 27 日——為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝，分別面向高達 45W 和 150W的功率變換應(yīng)用。
-
Microchip推出用于衛(wèi)星通信終端的高線性度Ka波段單片微波集成電路(MMIC)，進一步豐富氮化鎵(GaN)射頻產(chǎn)品組合
GMICP2731-10器件有助于保持信號保真度，讓地面站在不影響信號質(zhì)量的情況下進行高射頻電平的傳輸
-
Nexperia計劃在2021和2022年投資7億美元提高產(chǎn)能
新增的技術(shù)、實驗室和人員顯示Nexperia對全球半導(dǎo)體市場復(fù)蘇充滿信心
-
大聯(lián)大世平集團推出基于ON Semiconductor產(chǎn)品的小型工業(yè)電源供應(yīng)器方案
2021年6月16日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美半導(dǎo)體的小型工業(yè)電源供應(yīng)器方案。
-
關(guān)于氮化鎵合封趨勢以及LLC架構(gòu)普及解析，你了解嗎？
隨著社會的快速發(fā)展，我們的氮化鎵也在快速發(fā)展，那么你知道氮化鎵的詳細資料解析嗎?接下來讓小編帶領(lǐng)大家來詳細地了解有關(guān)的知識。氮化鎵(galliumnitride，GaN)是下一代半導(dǎo)體材料，其運行速度比舊式傳統(tǒng)硅(Si)技術(shù)快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快速充電器產(chǎn)品時，可以實現(xiàn)遠遠超過現(xiàn)有產(chǎn)品的性能，在尺寸相同的情況下，輸出功率提高了三倍。
-
氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體，將通過與Live Oak II特殊目的收購公司合并的方式，以10.4億美元的企業(yè)價值上市
氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，納微半導(dǎo)體(“公司”或“納微”)近日宣布，其已簽訂一份最終協(xié)議，將與Live Oak Acquisition Corp. II(“Live Oak II”)合并。
-
年產(chǎn)36萬片砷化鎵/氮化鎵微波射頻芯片！立昂微5億元設(shè)子公司，推進微波射頻項目
近日，杭州立昂微電子股份有限公司(以下簡稱“立昂微”)發(fā)布公告，投資5億元在浙江海寧市設(shè)子公司，海寧立昂東芯微電子有限公司(暫定名，以下簡稱“海寧公司”)。專項負責(zé)推進、實施微波射頻集成電路芯片項目。
-
縮小高效充電器的尺寸
提供最緊湊、最高效的US-PD充電器已成為渴望在這個競爭激烈的市場中搶占份額的配件廠商的要求。隨著手持設(shè)備的功能不斷增加，以及快速充電協(xié)議成為標準，提供更多的電力已是一項關(guān)鍵要求。這些相互制約的設(shè)計要求正在催生一系列新的解決方案，這些方案當(dāng)中要求離線反激式電源設(shè)計中PCB電路空間使用率必須最大化，此類標準解決方案要滿足高達100W的充電器應(yīng)用。
-
迎接氮化鎵的新浪潮
ST在接受EE-Times采訪時強調(diào)了這個新平臺如何通過提供更輕的方案，3倍充電時間以及80%的系統(tǒng)體積縮小。
-
針對電動汽車應(yīng)用，氮化鎵的優(yōu)勢有哪些
為了解決諸如行駛距離，充電時間和價格等消費者關(guān)注的問題，以加速電動汽車(EV)的采用，全球的汽車制造商都要求增加電池容量和更快的充電能力，而尺寸，重量或組件成本卻不能增加。
-
氮化鎵功率器件增長達 90.6% ,為什么GaN器件得到了發(fā)展?
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。TrendForce 集邦咨詢近日發(fā)布了 GaN 氮化鎵市場調(diào)查報告。
-
Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達成深度合作
滿足新能源汽車動力系統(tǒng)不斷提升的技術(shù)需求
-
碳化硅、氮化鎵有什么差別？
人工智能（AI）、邊緣運算與萬物聯(lián)網(wǎng)趨勢，帶來無所不在的感測、通訊與功率解決方案需求，化合物半導(dǎo)體的重要性也隨之暴增。從資料中心里的服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備，到手機上的 RF 功率放大器，以及為所有電子元件供應(yīng)電力的功率元件，都將因化合物半導(dǎo)體的普遍運用，在性能上出現(xiàn)重大突破。
-
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)在全數(shù)字國際消費電子展(CES?)展示基于氮化鎵技術(shù)的消費電子應(yīng)用
歡迎您與氮化鎵(GaN)技術(shù)專家一起在CES的EPC虛擬展臺中，探索基于更高效、更小尺寸和更低成本的氮化鎵場效應(yīng)晶體管和集成電路的解決方案，如何增強消費電子產(chǎn)品的功能和性能。
-
采用氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN?FET)實現(xiàn)薄型且高效的同步降壓轉(zhuǎn)換器
隨著計算機、顯示器、智能電話和其它消費類電子系統(tǒng)變得越來越纖薄且功能越來越強大，對更纖薄的DC/DC功率解決方案的需求日益增長之同時，需要保持高功率密度和高效率。
-
第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片研發(fā)成功
據(jù)昨日報道，我國成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片，該芯片實驗室來自重慶郵電大學(xué)。
-
采用氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN?FET)實現(xiàn)薄型且高效的同步降壓轉(zhuǎn)換器
隨著計算機、顯示器、智能電話和其它消費類電子系統(tǒng)變得越來越纖薄且功能越來越強大，對更纖薄的DC/DC功率解決方案的需求日益增長之同時，需要保持高功率密度和高效率。
-
一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場效應(yīng)管解析
隨著全球多樣化的發(fā)展，我們的生活也在不斷變化著，包括我們接觸的各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你一定不知道這些產(chǎn)品的一些組成，比如氮化鎵場效應(yīng)管。
