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GaN Systems 推出第四代氮化鎵平臺 突破能源效率瓶頸 加速應(yīng)用版圖拓展
【新竹訊 – 2023年9月27日】全球氮化鎵功率半導體領(lǐng)導廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit)。以GaN Systems 在 2022 年發(fā)表的 3.2kW 人工智能(AI) 服務(wù)器電源供應(yīng)器來看，改采用最新第四代平臺，不僅效率超過鈦金級能效標準，功率密度更從 100W/in3 提升至 120W/in3。
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長電科技加速擴充中大功率器件成品制造產(chǎn)能，面向第三代半導體市場解決方案營收有望大幅增長
新能源汽車和光伏,儲能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機。長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿,多年來面向第三代半導體功率器件開發(fā)完成的高密度成品制造解決方案進入產(chǎn)能擴充階段,預計2024年起相關(guān)產(chǎn)品營收規(guī)模翻番,將有利促進第三代半導體器件在全球應(yīng)用市場的快速上量。
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意法半導體GaN 驅(qū)動器集成電流隔離功能，具有卓越的安全性和可靠性
2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
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首款氮化鎵充電樁發(fā)布：7KW功率 四種充電方式
8月29日消息，倍思發(fā)布了星云系列交流充電樁，首次將GaN氮化鎵技術(shù)引入家用充電樁，提供更低待機功效、更少熱損耗的環(huán)保家充方案。
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Transphorm氮化鎵器件率先達到對電機驅(qū)動應(yīng)用至關(guān)重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑
與安川電機公司合作取得的這項成果，充分利用了 Transphorm 常關(guān)型平臺的基本優(yōu)勢。
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意法半導體量產(chǎn)PowerGaN器件，讓電源產(chǎn)品更小巧、更清涼、更節(jié)能
氮化鎵(GaN)產(chǎn)品讓消費電子、工業(yè)和汽車系統(tǒng)更高效、更緊湊
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GaN Systems 與上海安世博能源科技結(jié)盟 推進氮化鎵進入中國電動車應(yīng)用市場
【中國上海 – 2023年8月3日】氮化鎵功率半導體全球領(lǐng)導廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結(jié)盟，共同致力于加速并擴大氮化鎵功率半導體于電動車應(yīng)用的發(fā)展。安世博能源科技為電源行業(yè)領(lǐng)導廠商，擁有完整電源供應(yīng)器、電動車充電模塊及車載充電器產(chǎn)品解決方案。結(jié)合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車用領(lǐng)域所累積的應(yīng)用實績，與安世博能源科技在高功率電源系統(tǒng)設(shè)計及批量生產(chǎn)的卓越能力，此次策略合作將為中國電動車行業(yè)帶來突破性革新。
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硬核拆解 | 拓爾微65W 2C1A氮化鎵多口快充
隨著身邊智能設(shè)備的增多，一個充電頭對應(yīng)一個設(shè)備，出門需要攜帶多個充電器已經(jīng)成為日常，有時還會忘帶匹配的充電頭，無法充電造成困擾......多口快充的出現(xiàn)解決了這一難題，出門僅需攜帶一個充電頭，減輕背包的負擔，還可以滿足多個設(shè)備同時快速充電的需求。一款令人放心的多口快充必須具備安全性能好、可靠性高、兼容性強的特點，這對選擇的芯片解決方案具有高要求。拓爾微電子自有品牌65W 2C1A氮化鎵快充，內(nèi)置協(xié)議芯片和降壓轉(zhuǎn)換器均為自家解決方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多種快速充電協(xié)議，兼容性強，可滿足各類設(shè)備的充電需求，且具備多種保護功能。
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EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅(qū)動器參考設(shè)計，適用于電動出行、叉車和大功率無人機
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅(qū)動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農(nóng)業(yè)機械、叉車和大功率無人機等應(yīng)用。
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EPCGaN FET配以ADI控制器可實現(xiàn)具有最高功率密度的穩(wěn)壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)和Analog Devices(ADI)公司攜手新推的參考設(shè)計采用經(jīng)過全面優(yōu)化的新型模擬控制器來驅(qū)動EPC的氮化鎵場效應(yīng)晶體管，可實現(xiàn)超過96.5%的效率。
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EPC發(fā)布第十五階段產(chǎn)品可靠性測試報告：根據(jù)實際應(yīng)用經(jīng)驗，預測氮化鎵器件壽命
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第十五階段產(chǎn)品可靠性測試報告，進一步豐富了關(guān)于氮化鎵器件可靠性的知識庫和展示了EPC eGaN產(chǎn)品的穩(wěn)健耐用性已在實際應(yīng)用中得到驗證。
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PI家族再添一員，全新900V氮化鎵反激式開關(guān)IC發(fā)布！
近日Power Integrations發(fā)布的全新900V氮化鎵器件，再一次將初級功率開關(guān)的性能提升到一個新的高度。
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Power Integrations推出900V氮化鎵反激式開關(guān)IC
新款PowiGaN InnoSwitch IC面向工業(yè)應(yīng)用和400V系統(tǒng)汽車電源，輸出功率可高達100W。
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英飛凌將收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems），在擴充氮化鎵產(chǎn)品線的同時，進一步鞏固自身在全球功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位
【2023 年 03 月 03日，德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）聯(lián)合宣布，雙方已簽署最終協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，英飛凌將斥資 8.3 億美元收購氮化鎵系統(tǒng)公司。氮化鎵系統(tǒng)公司是全球領(lǐng)先的科技公司，致力于為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用開發(fā)基于氮化鎵的解決方案。該公司總部位于加拿大渥太華，擁有 200 多名員工。
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泰克助力VisIC Technologies公司推動電動汽車動力系統(tǒng)技術(shù)進步
隨著世界各國都在努力降低碳排量，電動汽車（EV）的市場容量正不斷擴大。推動這一增長的關(guān)鍵因素將是最大限度地減少電動汽車動力系統(tǒng)的開關(guān)損耗，并通過使用更小、續(xù)航時間更長的電池來實現(xiàn)顯著的效率提升。正因如此，VisIC Technologies公司倡導采用氮化鎵（GaN）功率晶體管，并使用泰克強大的測試設(shè)備來確保實現(xiàn)杰出的性能。
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新型80 V、40 A eToF?激光驅(qū)動器GaN IC可實現(xiàn)更高功率密度和更具成本效益的激光雷達系統(tǒng)
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出新型氮化鎵集成電路EPC21701，這是一款80 V激光驅(qū)動器IC，可提供15 A脈沖電流，適用于飛行時間激光雷達應(yīng)用(ToF激光雷達應(yīng)用)，包括真空吸塵器、機器人、3D安全攝像頭和3D傳感器。
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立锜科技與宜普電源轉(zhuǎn)換攜手推出小型化、140 W快充解決方案
宜普電源轉(zhuǎn)換公司和立锜科技宣布推出4開關(guān)雙向降壓-升壓控制器參考設(shè)計，可將12 V~24 V的輸入電壓轉(zhuǎn)換為5 V~20 V的穩(wěn)壓輸出電壓，并提供高達5 A的連續(xù)電流和6.5 A的最大電流。與高功率密度應(yīng)用的傳統(tǒng)解決方案相比，新型RT6190控制器與EPC的超高效氮化鎵場效應(yīng)晶體管EPC2204相結(jié)合，使得解決方案尺寸可縮小20%以上，而且在20 V和12 V輸出電壓下，可實現(xiàn)超過98%的效率。在不需使用散熱器和5 A連續(xù)電流下，20 V轉(zhuǎn)5 V的最大升溫低于攝氏15度，而12 V轉(zhuǎn)20 V的最高升溫則低于攝氏55度。
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英諾賽科蘇州基地實現(xiàn)8英寸氮化鎵晶圓大規(guī)模量產(chǎn)，預計年產(chǎn)值120億元
6月5日，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司舉辦量產(chǎn)暨研發(fā)樓奠基儀式，宣布英諾賽科蘇州8英寸硅基氮化鎵研發(fā)生產(chǎn)基地正式進入量產(chǎn)階段。該項目位于江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新區(qū)，一期投資80億元，用地213畝，按當前計劃，到2021年底，產(chǎn)能可達6000片每月。項目全部達產(chǎn)后，預計將實現(xiàn)年產(chǎn)能78萬片8英寸硅基氮化鎵晶圓，年產(chǎn)值120億元，利稅15億元以上。
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基于氮化鎵(GaN) 技術(shù)的新型節(jié)能設(shè)備
工程研究人員創(chuàng)造了比以前的技術(shù)更節(jié)能的新型大功率電子設(shè)備。這些器件是通過一種以受控方式“摻雜”氮化鎵 (GaN) 的獨特技術(shù)實現(xiàn)的。
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能訊半導體：5G時間窗口只有三年
“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口，但只有三年?！蹦苡嵃雽w總經(jīng)理任勉表示，在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年，能訊半導體迎來關(guān)鍵時間節(jié)點，抓住5G基站建設(shè)機會，就可以在競爭中占據(jù)有利位置。
