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Transphorm按功率段發(fā)布氮化鎵功率管可靠性評(píng)估數(shù)據(jù)
加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm (Nasdaq: TGAN)今日發(fā)布了針對(duì)其氮化鎵功率管的最新可靠性評(píng)估數(shù)據(jù)。評(píng)估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用中失效的器件數(shù)。迄今為止，基于超過(guò)850億小時(shí)的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用數(shù)據(jù)，該公司全系列產(chǎn)品的平均失效率(FIT)小于0.1?，F(xiàn)有氮化鎵功率解決方案的全功率可靠性評(píng)估中，這一失效率是業(yè)界報(bào)道過(guò)的最好的評(píng)估結(jié)果之一。
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電源設(shè)計(jì)說(shuō)明：分析用于高性能應(yīng)用的新型 SiC 和 GaN FET 器件
在本文中，我們分析了一些碳化硅和氮化鎵 FET器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)行為。公司正將精力集中在這些類型的組件上，以創(chuàng)建高效轉(zhuǎn)換器和逆變器。
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Transphorm拓展中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù),擴(kuò)大氮化鎵應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室
加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm (Nasdaq: TGAN)宣布在中國(guó)深圳開(kāi)設(shè)新的辦事處。作為一家外商獨(dú)資企業(yè)(WFOE)，Transphorm的深圳辦事處將負(fù)責(zé)加強(qiáng)當(dāng)?shù)乜蛻糁С?、銷售和市場(chǎng)營(yíng)銷工作，另外，該辦事處將作為當(dāng)?shù)刂С挚蛻糸_(kāi)發(fā)氮化鎵電源系統(tǒng)的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，并同時(shí)支持全球研發(fā)工作。深圳辦事處將由Transphorm現(xiàn)任亞洲銷售副總裁Kenny Yim管理，他同時(shí)也擔(dān)任中國(guó)區(qū)總經(jīng)理一職。Transphorm亞洲區(qū)應(yīng)用部門主管Chun Hung Ho 將在深圳辦事處協(xié)助Kenny，Chun Hung是Transphorm任職七年的資深員工。
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好馬配好鞍——鎵未來(lái)氮化鎵和納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器比翼雙飛，助力氮化鎵先進(jìn)應(yīng)用
本文介紹了鎵未來(lái)和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來(lái)提供的緊湊級(jí)聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器配合，隔離驅(qū)動(dòng)器保證了異常工作情況下對(duì)氮化鎵器件的有效保護(hù)，完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進(jìn)應(yīng)用中高效率低損耗的核心價(jià)值，讓工程師放心無(wú)憂采用氮化鎵。
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關(guān)于MOCVD、HTCVD 和 MBE 在內(nèi)的外延設(shè)備發(fā)展?fàn)顟B(tài)，釋放分子束外延的潛力
對(duì)更強(qiáng)大和更節(jié)能設(shè)備的空前需求刺激了對(duì)砷化鎵、氮化鎵和碳化硅等化合物半導(dǎo)體的需求。這種材料需要通過(guò)外延生長(zhǎng)的超純薄膜。盡管分子束外延 (MBE) 是三種外延設(shè)備之一，長(zhǎng)期以來(lái)一直被認(rèn)為是利基市場(chǎng)，但它已準(zhǔn)備好過(guò)渡到批量應(yīng)用。
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用于新一代電動(dòng)汽車的 SiC MOSFET功率器件介紹
電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車的設(shè)計(jì)人員致力于提高能量轉(zhuǎn)換效率，這些設(shè)備配備了緊湊型封裝和高熱可靠性電力電子模塊組裝，并降低了開(kāi)關(guān)損耗。
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EPC 在意大利開(kāi)設(shè)基于 GaN 的電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)應(yīng)用中心
新興電子應(yīng)用需要能夠從更緊湊的平臺(tái)中獲得更高性能的電機(jī)設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)人員很難滿足基于傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路的新要求。隨著硅技術(shù)達(dá)到功率密度、擊穿電壓和開(kāi)關(guān)頻率的理論極限，設(shè)計(jì)人員控制功率損耗變得更加困難。這些限制的主要影響是在高工作溫度和高開(kāi)關(guān)率下的次優(yōu)效率和額外的性能問(wèn)題。
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注意柵極驅(qū)動(dòng)器的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器電源使用
這有點(diǎn)像灰姑娘或丑小鴨的童話故事：多年來(lái)，各種類型、大小和速度的處理器都是一般媒體關(guān)注的迷人主題以及主要的研發(fā)投資。與此同時(shí)，功率器件——主要是基于硅的 MOSFET 和 IGBT——顯然被低估了，并且作為本應(yīng)乏味的功率利基市場(chǎng)的一部分在背景中萎靡不振。
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3000萬(wàn)美元芯片資金到賬，氮化鎵芯片將迎新王
據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，Global Foundries公司于獲得了3000萬(wàn)美元的芯片法案基金，而該筆資金還只是今年綜合撥款的一部分。Global Foundries公司表示將用這些錢來(lái)支持氮化鎵芯片的研發(fā)，并希望成為制造的全球領(lǐng)導(dǎo)者。
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關(guān)于氮化鎵實(shí)際使用的熱管理方面討論
所以，我想說(shuō)這個(gè)概念是完全可擴(kuò)展的。因此，我們可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或?yàn)楦吖β手谱鞣浅５偷?RDS (on) 部件。通過(guò)簡(jiǎn)單地重塑設(shè)計(jì)，它可以擴(kuò)展到低電壓，但這個(gè)概念是成立的。這就是我們基本上認(rèn)為我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了最初目標(biāo)的方式。
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我們?nèi)绾慰创磥?lái)幾年的 GaN?
我們?nèi)绾慰创磥?lái)幾年的 GaN?與 GaN 競(jìng)爭(zhēng)的其他寬帶隙材料有哪些?所以，我提到了碳化硅。因此，這些天來(lái)，我們也在談?wù)撾妱?dòng)汽車。那么，與其他解決方案相比，GaN 在哪些方面可以提供更好的價(jià)值呢?我們期望在哪里看到下一波增長(zhǎng)?
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Dieter Liesabeths將加入VisIC擔(dān)任產(chǎn)品高級(jí)副總裁
（全球TMT2022年10月12日訊）作為汽車應(yīng)用氮化鎵（GaN）解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者，VisIC Technologies LTD公司宣布： Dieter Liesabeths將加入公司，擔(dān)任產(chǎn)品高級(jí)副總裁。Dieter在半導(dǎo)體行業(yè)擁有超過(guò)30年的豐富經(jīng)驗(yàn)，他的加入將推動(dòng)氮化...
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氮化鎵技術(shù)討論，第二部分
目前有幾個(gè) GaN 器件概念。那么你能告訴我哪些是主要的，從設(shè)計(jì)的角度來(lái)看你的發(fā)展方向是什么? 所以我想說(shuō)有很多概念，遠(yuǎn)不止兩個(gè)，但不知何故，我們可以談?wù)摌O端：所謂的Cascode GaN和所謂的增強(qiáng)模式GaN。由于我的第一家公司，級(jí)聯(lián) GaN 實(shí)際上是第一個(gè)誕生的。當(dāng)功率 GaN 研究的先驅(qū) International Rectifier 首次開(kāi)始開(kāi)發(fā)基于級(jí)聯(lián)的 GaN 解決方案時(shí)，我就在那里。
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南郵王永進(jìn)團(tuán)隊(duì)研制出同質(zhì)集成光發(fā)射光接收器件的氮化鎵光電子芯片 | 《電子與信息學(xué)報(bào)》佳文速遞
光電子集成本質(zhì)上是采用兼容的制造工藝，將驅(qū)動(dòng)、光發(fā)射、光波導(dǎo)、調(diào)制、光探測(cè)、放大等器件做在一塊芯片上，實(shí)現(xiàn)邏輯電路與光子回路的融合集成，芯片內(nèi)采用光子進(jìn)行信息傳輸，與集成電子芯片相比，實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)信息傳輸速率、容量的飛躍，并降低功耗和熱效應(yīng)。
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柵極驅(qū)動(dòng)器的重要性，第一部分
碳化硅和氮化鎵開(kāi)關(guān)器件是所有電源電路中主要使用的元件。盡管它們?cè)谶\(yùn)行速度、高電壓、處理電流和低功耗等固有特性方面取得了優(yōu)異的成績(jī)，但設(shè)計(jì)人員將所有注意力都集中在此類設(shè)備上，而常常忘記將自己的精力投入到相關(guān)的驅(qū)動(dòng)器上。
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GaN半橋電源集成電路最大限度地提高性能，降低成本
氮化鎵是一種具有較大帶隙的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，已成為精密電力電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵。它比硅快20×，可以提供高達(dá)3×的功率或充電，其尺寸和重量是硅器件的一半。
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寬帶隙材料滿足 EV 功率和效率要求
碳化硅和氮化鎵技術(shù)在過(guò)去幾年中取得了巨大的發(fā)展，被證明是商業(yè)上可用的節(jié)能技術(shù)。來(lái)自領(lǐng)先半導(dǎo)體公司、大學(xué)和機(jī)構(gòu)的講師解釋了寬帶隙半導(dǎo)體如何實(shí)現(xiàn)清潔能源制造、高科技、創(chuàng)造就業(yè)和節(jié)能。
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與科創(chuàng)板共同成長(zhǎng)，中微公司迎來(lái)上市三周年
多元化產(chǎn)業(yè)布局，以"硬科技"推動(dòng)硬實(shí)力持續(xù)躍升 上海2022年7月22日 /美通社/ -- 科創(chuàng)板開(kāi)市三周年之際，作為科創(chuàng)板首批上市的25家企業(yè)之一的中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱"中微公司"，上交所股票代碼：688012）...
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老化測(cè)試提高了 SiC 和 GaN 的可靠性
新型寬帶隙半導(dǎo)體(如碳化硅和氮化鎵)在市場(chǎng)上的擴(kuò)散對(duì)傳統(tǒng)的老化和測(cè)試系統(tǒng)提出了挑戰(zhàn)，因?yàn)槁闫叽缭絹?lái)越小，并且組件可以承受更高的電壓和溫度。
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電源設(shè)計(jì)說(shuō)明：面向高性能應(yīng)用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析
在本文中，我們分析了一些碳化硅和氮化鎵 FET器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)行為。公司正在將精力集中在這些類型的組件上，這些組件允許創(chuàng)建高效轉(zhuǎn)換器和逆變器。
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