(全球TMT2021年12月17日訊)汽車動(dòng)力總成技術(shù)公司hofer powertrain和高壓汽車應(yīng)用氮化鎵(GaN)解決方案領(lǐng)域企業(yè)VisIC Technologies Ltd.宣布建立合作,共同開(kāi)發(fā)用于800V汽車應(yīng)用的基于氮化鎵的逆變器。 氮化鎵半導(dǎo)體是...
如今,越來(lái)越多的設(shè)計(jì)者在各種應(yīng)用中使用基于氮化鎵的反激式AC/DC電源。氮化鎵之所以很重要,是由于其有助于提高功率晶體管的效率,從而減小電源尺寸,降低工作溫度。
近日,一批半導(dǎo)體項(xiàng)目落地、開(kāi)工、投產(chǎn),涉及第三代半導(dǎo)體氮化鎵、存儲(chǔ)封測(cè)、以及硅晶圓外延片等領(lǐng)域。60億,第三代半導(dǎo)體氮化鎵項(xiàng)目落地福州近期,4個(gè)重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目落地福州長(zhǎng)樂(lè)區(qū),涉及新材料、大數(shù)據(jù)、第三代半導(dǎo)體等,投資額超396億元,其中包括第三代半導(dǎo)體氮化鎵項(xiàng)目。據(jù)福州新聞網(wǎng)報(bào)道,第...
全新單片微波集成電路(MMIC)和分立器件,可滿足5G、衛(wèi)星通信和國(guó)防應(yīng)用的性能要求
注:原載于Bodos功率系統(tǒng),2021年11月22日作者:DougBailey,PowerIntegrations市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁如今,越來(lái)越多的設(shè)計(jì)者在各種應(yīng)用中使用基于氮化鎵的反激式AC/DC電源。氮化鎵之所以很重要,是由于其有助于提高功率晶體管的效率,從而減小電源尺寸,降低工...
注:原載于電源網(wǎng)訂閱號(hào),2021年10月26日目前市面上出現(xiàn)了一個(gè)新的芯片組,它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成,能夠?yàn)槭謾C(jī)、平板電腦和筆記本電腦設(shè)計(jì)出額定功率高達(dá)110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來(lái)自PowerIn...
InnoSwitch3系列IC采用PowiGaN?技術(shù),在各種負(fù)載條件下的效率均高達(dá) 95%,且在封閉式適配器應(yīng)用中無(wú)需散熱片就可實(shí)現(xiàn)高達(dá)100W的輸出功率
中國(guó)上海2021年11月24日 /美通社/ -- 今日,環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼:601231)的全資子公司環(huán)鴻電子股份有限公司與氮化鎵系統(tǒng)有限公司(GaN Systems Inc.,簡(jiǎn)稱“氮化鎵公司”)簽訂了一份股份認(rèn)購(gòu)協(xié)議,并成為氮化鎵公司新一輪融資的戰(zhàn)略投資者。 ...
(全球TMT2021年11月25日訊)環(huán)旭電子的全資子公司環(huán)鴻電子股份有限公司與氮化鎵系統(tǒng)有限公司(GaN Systems Inc.,簡(jiǎn)稱“氮化鎵公司”)簽訂了一份股份認(rèn)購(gòu)協(xié)議,并成為氮化鎵公司新一輪融資的戰(zhàn)略投資者。氮化鎵公司是一家功率半導(dǎo)體公司,從事第三代半導(dǎo)體氮化鎵(Ga...
增加GaNSense?技術(shù),全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過(guò)實(shí)時(shí)智能傳感和保護(hù),為40億美元的手機(jī)充電器和消費(fèi)市場(chǎng)帶來(lái)最高效率和可靠性
注:原載于電源網(wǎng)訂閱號(hào),2021年10月26日目前市面上出現(xiàn)了一個(gè)新的芯片組,它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成,能夠?yàn)槭謾C(jī)、平板電腦和筆記本電腦設(shè)計(jì)出額定功率高達(dá)110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來(lái)自PowerIn...
大家覺(jué)得氮化鎵充電器好用嗎?有什么推薦的品牌嗎?
關(guān)于氮化鎵充電器
現(xiàn)在越來(lái)越多充電器開(kāi)始換成氮化鎵充電器了,氮化鎵充電器看起來(lái)很小,但是功率一般很大,可以給手機(jī)平板,甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么,氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn),下文簡(jiǎn)單做個(gè)分析。
目前市面上出現(xiàn)了一個(gè)新的芯片組,它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成,能夠?yàn)槭謾C(jī)、平板電腦和筆記本電腦設(shè)計(jì)出額定功率高達(dá)110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來(lái)自Power Integrations,包含內(nèi)部集成PowiGaN?開(kāi)關(guān)的InnoSwitch?4-CZ零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)反激式控制器和提供有源鉗位解決方案的ClampZero?產(chǎn)品系列。這些新IC可用于設(shè)計(jì)效率高達(dá)95%且在不同輸入電壓條件下保持恒定的反激式電源。
美東時(shí)間10月20日,GaN功率半導(dǎo)體廠商N(yùn)avitasSemiconductor(“納微半導(dǎo)體”)成功在納斯達(dá)克全球市場(chǎng)交易,股票代碼為“NVTS”。有媒體報(bào)道稱,納微半導(dǎo)體的市值已超16億美元(16.17億美元)。資料顯示,納微半導(dǎo)體成立于2014年,是全球知名的氮化鎵功率芯...
快充設(shè)計(jì)范例:DER-928PI于近期推出了一款USBPD快充設(shè)計(jì)范例報(bào)告(DER-928),這款設(shè)計(jì)范例使用了兩顆PowiGaN芯片實(shí)現(xiàn)了30.3W/in3的功率密度。設(shè)計(jì)范例用使用了高效率ACF拓?fù)?,使用新款I(lǐng)nnoSwitch4-CZ零電壓開(kāi)關(guān)和ClampZero芯片芯片組...
EPC 推出了 40 V、1.6 m?的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN? FET),器件型號(hào)為 ,專為設(shè)計(jì)人員而設(shè),EPC2069比目前市場(chǎng)上可選的器件更小、更高效、更可靠,適用于高性能且空間受限的應(yīng)用。
八款熱銷產(chǎn)品任你選~
氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料,能隙為3.4 eV,電子遷移率為1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。