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三星與海力士紛紛提升NAND Flash芯片產量
由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。 據韓國電子新聞報導，三星和海力士2011年NAND Flash位元成長率(Bi
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三星與海力士紛紛提升NAND Flash芯片產量
據了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(TabletPC)需求暴增，三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)2011年雙雙提升NANDFlash芯片產量。據韓國電子新聞報導，三星和海力士2011年NANDFlash位元成長率(
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移動設備應用擴大NAND Flash投資
由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。 據韓國電子新聞報導，三星和海力士2011年NAND Flash位元成長率(Bi
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海力士一季度凈利潤2.54億美元 同比下降66%
據國外媒體報道，全球第二大電腦內存芯片生產商海力士周四發(fā)布了2011年第一季度財報。財報顯示，今年第一季度海力士實現凈利潤2735.4億韓元（約合2.538億美元），比去年同期大幅下降66%，這主要是受到個人電腦需求低
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海力士找買主 市場意見分歧
南韓半導體廠海力士(Hynix)股權人3度尋求買主，擬出售該公司15%股權，市價約達3.4兆韓元(31.9億美元)，為半導體產業(yè)盛事。然市場意見紛雜，有人稱海力士股權出售恐難立即出現進展，然另一方面海力士潛在買主也不少。
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海力士找買主 市場意見分歧
據Korea Times報導，南韓半導體廠海力士(Hynix)股權人3度尋求買主，擬出售該公司15%股權，市價約達3.4兆韓元(31.9億美元)，為半導體產業(yè)盛事。然市場意見紛雜，有人稱海力士股權出售恐難立即出現進展，然另一方面海
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全球DRAM產業(yè)第一季營收83億美元小跌4%
根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調查，全球DRAM產業(yè)第一季營收數字83億美元，雖然DRAM合約均價較上季下跌30%，但受惠于第一季DRAM顆?？偖a出量較前一季約成長15%，以及各DRAM廠逐步降低標準型D
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海力士看好記憶體價格反彈 臺廠注入強心針
南韓記憶體大廠海力士(Hynix)對DRAM及NANDFlash產業(yè)后市，發(fā)表脫離谷底的看法，對于臺系DRAM廠而言，可望注入強心針。在矽晶圓部分，海力士與臺廠目前都有1~2個月不等庫存，短期仍可支應生產，但中長線來看，日本地震
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海力士：DRAM市況可望進入恢復期
海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權五哲表示，DRAM價格已觸底，市況可望進入恢復期，而權五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出
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四大重要因素制約DRAM八大廠商排名
據IHSiSuppli公司的最新研究，根據過去、現在及未來的表現，三星電子不但在DRAM市場占有最大份額，而且競爭力最強。這項新的分析考慮了四個因素：DRAM廠商的現金余額，銷售現金比率，總體市場份額和產品組合實力。綜
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左右DRAM廠商排名的重要因素
根據過去、現在及未來的表現，三星電子不但在DRAM市場占有最大份額，而且競爭力最強。這項新的分析考慮了四個因素：DRAM廠商的現金余額，銷售現金比率，總體市場份額和產品組合實力。綜合考慮這些因素，韓國三星名列
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四個因素決定DRAM八大廠商排名
據IHSiSuppli公司的最新研究，根據過去、現在及未來的表現，三星電子不但在DRAM市場占有最大份額，而且競爭力最強?！ ? 這項新的分析考慮了四個因素：DRAM廠商的現金余額，銷售現金比率，總體市場份額和產品組合實
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四個重要因素 決定DRAM八大廠商排名
據IHSiSuppli公司的最新研究，根據過去、現在及未來的表現，三星電子不但在DRAM市場占有最大份額，而且競爭力最強。這項新的分析考慮了四個因素：DRAM廠商的現金余額，銷售現金比率，總體市場份額和產品組合實力。綜
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iPad 2存儲器由三星、海力士供應
蘋果（Apple） 3月2日正式對外發(fā)表iPad 2，據韓國媒體指出，此產品使用韓國零組件范圍更廣，將對韓國零組件業(yè)者的營收改善有莫大助益。iPad 2所采用的NAND Flash由三星電子（Samsung Electronics）供應。此外，蘋果
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半導體投資兩極化 三星海力士資金雄厚投資積極
韓國媒體披露，韓國半導體業(yè)者2010年營收成績亮眼，2011年也將積極進行投資計劃。相對的，日本及臺灣企業(yè)投資額則較2010年減少60~70%，投資轉為保守。在半導體事業(yè)上，投資規(guī)模與微細制程的進展及價格競爭力等息息相
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半導體投資兩極化
韓國媒體披露，韓國半導體業(yè)者2010年營收成績亮眼，2011年也將積極進行投資計劃。相對的，日本及臺灣企業(yè)投資額則較2010年減少60~70%，投資轉為保守。在半導體事業(yè)上，投資規(guī)模與微細制程的進展及價格競爭力等息息相
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海力士加入美國芯片三維互連研究計劃
韓國海力士半導體日前正式加入美國SEMATECH的一項有關芯片三維互連研究計劃，這一研究主要由美國Albany大學的實驗室承擔，SEMATECH提供組織和協(xié)調。海力士半導體研發(fā)部門主管Sung Joo博士表示，三維互連是高性能芯片
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海力士成功運用硅穿孔技術制造16GbDRAM
海力士9日對外宣布，成功運用硅穿孔(TSV)封裝技術制成40納米2GbDDR3DRAM+16GbDRAM，這是首度誕生單一封包內呈現高容量16Gb的產品。海力士稱，該產品若制作成模塊，最大可實現64GB的高容量，適合應用于需要大容量內存
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海力士半導體加入芯片三維互連研究計劃
韓國海力士半導體日前正式加入美國SEMATECH的一項有關芯片三維互連研究計劃，這一研究主要由美國Albany大學的實驗室承擔，SEMATECH提供組織和協(xié)調。海力士半導體研發(fā)部門主管Sung Joo博士表示，三維互連是高性能芯片
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海力士半導體加入芯片三維互連研究計劃
韓國海力士半導體日前正式加入美國SEMATECH的一項有關芯片三維互連研究計劃，這一研究主要由美國Albany大學的實驗室承擔，SEMATECH提供組織和協(xié)調。海力士半導體研發(fā)部門主管SungJoo博士表示，三維互連是高性能芯片實
