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臺(tái)積松江擴(kuò)產(chǎn) 目標(biāo)月產(chǎn)11萬(wàn)片
臺(tái)積電（2330）大陸持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，近期把7.62億元機(jī)器設(shè)備移轉(zhuǎn)到上海松江，其中包括日前才向美國(guó)海力士收購(gòu)的5億多元8寸機(jī)臺(tái)，公司預(yù)計(jì)年底將完成月產(chǎn)能5萬(wàn)片目標(biāo)，明年則往11萬(wàn)片月產(chǎn)能邁進(jìn)。臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀日前才表
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三星、應(yīng)用材料就間諜門達(dá)成和解
此前美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料員工將三星芯片處理工藝技術(shù)外泄海力士從而聯(lián)力上演了現(xiàn)實(shí)版無(wú)間道，為了避免日后遭到三星的起訴，應(yīng)用材料近日與三星達(dá)成和解。應(yīng)用材料今天表示，未來(lái)三年他們將以提供折扣的方式
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朝鮮半島交鋒 臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)仍難救贖
南朝鮮軍事緊張情勢(shì)再度升高，由于韓國(guó)是全球存儲(chǔ)器DRAM和NANDFlash生產(chǎn)重鎮(zhèn)，三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)合計(jì)囊括全球超過(guò)60%市占率，NANDFlash則合計(jì)有超過(guò)50%市占，加上臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)近2年來(lái)被韓
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朝鮮半島交鋒 臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)仍難救贖
南朝鮮軍事緊張情勢(shì)再度升高，由于韓國(guó)是全球存儲(chǔ)器DRAM和NAND Flash生產(chǎn)重鎮(zhèn)，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)合計(jì)囊括全球超過(guò)60%市占率，NAND Flash則合計(jì)有超過(guò)50%市占，加上臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)近2年來(lái)被
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海力士將活用M8廠強(qiáng)化代工事業(yè)
海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來(lái)將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，近期海力士以部分IC設(shè)計(jì)公司為對(duì)象，提出運(yùn)用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)芯片、顯示器用
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海力士半導(dǎo)體將投資2.31億美元以提高芯片產(chǎn)能
11月19日電全球第二大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片制造商海力士半導(dǎo)體(HynixSemiconductor)周五表示，計(jì)劃投資2610億韓圜(約合2.31億美元),，以提高和升級(jí)芯片產(chǎn)能。該公司對(duì)證交所表示，上述投資將于12月底做出。
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海力士半導(dǎo)體將投資2.31億美元以提高芯片產(chǎn)能
11月19日電全球第二大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片制造商海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)周五表示，計(jì)劃投資2610億韓圜(約合2.31億美元),，以提高和升級(jí)芯片產(chǎn)能。該公司對(duì)證交所表示，上述投資將于12月底做出。
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海力士M8產(chǎn)線將以代工為重心
海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來(lái)將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，近期海力士以部分IC設(shè)計(jì)公司為對(duì)象，提出運(yùn)用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)芯片、顯示器用
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海力士將活用M8廠強(qiáng)化代工事業(yè)
海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來(lái)將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，近期海力士以部分IC設(shè)計(jì)公司為對(duì)象，提出運(yùn)用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)芯片、顯示器用
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臺(tái)積電購(gòu)買二手設(shè)備
晶圓代工廠臺(tái)積電積極擴(kuò)產(chǎn)，除擴(kuò)充12寸先進(jìn)制程產(chǎn)能外，亦積極擴(kuò)充8寸產(chǎn)能，3日公告斥資5.48億元，購(gòu)買海力士(Hynix)美國(guó)廠的8寸設(shè)備，主要用以擴(kuò)充臺(tái)灣8寸廠與大陸松江廠產(chǎn)能。 臺(tái)積電2010年積極擴(kuò)產(chǎn)，日前法說(shuō)會(huì)中
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臺(tái)積電擴(kuò)充產(chǎn)能
晶圓代工廠臺(tái)積電積極擴(kuò)產(chǎn)，除擴(kuò)充12寸先進(jìn)制程產(chǎn)能外，亦積極擴(kuò)充8寸產(chǎn)能，3日公告斥資5.48億元，購(gòu)買海力士(Hynix)美國(guó)廠的8寸設(shè)備，主要用以擴(kuò)充臺(tái)灣8寸廠與大陸松江廠產(chǎn)能。臺(tái)積電2010年積極擴(kuò)產(chǎn)，日前法說(shuō)會(huì)中，
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臺(tái)積電買海力士二手八寸設(shè)備
晶圓代工廠臺(tái)積電積極擴(kuò)產(chǎn)，除擴(kuò)充12寸先進(jìn)制程產(chǎn)能外，亦積極擴(kuò)充8寸產(chǎn)能，3日公告斥資5.48億元，購(gòu)買海力士(Hynix)美國(guó)廠的8寸設(shè)備，主要用以擴(kuò)充臺(tái)灣8寸廠與大陸松江廠產(chǎn)能。臺(tái)積電2010年積極擴(kuò)產(chǎn)，日前法說(shuō)會(huì)中，
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臺(tái)積松江廠 Q3獲利旺
臺(tái)積電（2330）上海松江廠第三季稅后純益5.67億元，不僅持續(xù)獲利，季增幅更高達(dá)一倍。為擴(kuò)大松江廠營(yíng)運(yùn)規(guī)模，臺(tái)積電斥資逾5億元收購(gòu)海力士（Hynix）美國(guó)廠二手8吋機(jī)臺(tái)，加快達(dá)成松江廠月產(chǎn)能達(dá)11萬(wàn)片目標(biāo)，放大獲利
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海力士半導(dǎo)體第三季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為1.01萬(wàn)億韓圜
海力士半導(dǎo)體(000660.KS:行情)公布第三季財(cái)報(bào),季度獲利為紀(jì)錄第二高,因出貨量增加,且產(chǎn)品重心轉(zhuǎn)向高價(jià)值晶片,緩解了普通芯片價(jià)格大幅下降帶來(lái)的影響.海力士半導(dǎo)體周四公布7-9月當(dāng)季綜合營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為1.01萬(wàn)億(兆)韓圜(合
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海力士Q3獲利翻5倍
受惠于出貨成長(zhǎng)及轉(zhuǎn)進(jìn)優(yōu)勢(shì)芯片的策略奏效，南韓海力士半導(dǎo)體第三季營(yíng)業(yè)利益創(chuàng)下歷史次高記錄。海力士預(yù)估，內(nèi)存芯片價(jià)格將于明年第一季開始止跌回穩(wěn)。海力士周四公布，第三季營(yíng)業(yè)利益為1.01兆韓元(8.849億美元)，超越
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明年量產(chǎn)20納米NAND Flash
海力士社長(zhǎng)權(quán)五哲表示，自2010年8月投入量產(chǎn)的26納米64Gb NAND Flash目前出貨相當(dāng)順利。2011年中計(jì)劃量產(chǎn)20納米制程產(chǎn)品。海力士持續(xù)引領(lǐng)DRAM產(chǎn)品制程微縮趨勢(shì)，然而NAND Flash產(chǎn)品技術(shù)方面在過(guò)去1、2年落后其它競(jìng)爭(zhēng)
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韓半導(dǎo)體LCD大廠首長(zhǎng)明年市場(chǎng)將有起色
12日三星電子（SamsungElectronics）半導(dǎo)體事業(yè)部長(zhǎng)權(quán)五鉉和海力士半導(dǎo)體（Hynix）社長(zhǎng)權(quán)五哲出席12日~15日于南韓一山Kintex舉辦的2010韓國(guó)電子事業(yè)大展，受訪時(shí)表示，價(jià)格跌幅將可能持續(xù)到2011年第1季，但2011年上半
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海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash
韓國(guó)半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計(jì)劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲(chǔ)器可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)等裝置，相較26納米存儲(chǔ)器，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。海力士社長(zhǎng)權(quán)五哲表示，自
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DRAM價(jià)格連跌5月 三星、海力士4Q營(yíng)收不樂(lè)觀
DRAM內(nèi)存半導(dǎo)體價(jià)格跌勢(shì)持續(xù)第5個(gè)月，韓廠三星電子(SamsungElectronics)和海力士半導(dǎo)體(Hynix)等內(nèi)存公司2010年第4季將難避免營(yíng)收惡化的危機(jī)。據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)，DRAM主要產(chǎn)品DDR3在10月上半時(shí)平均
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海力士擬明年量產(chǎn)20奈米NANDFlash
南韓半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計(jì)劃2011年中以20奈米制程量產(chǎn)NANDFlash。此20奈米制程閃存可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)等裝置，相較26奈米內(nèi)存，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。海力士社長(zhǎng)權(quán)五哲表示，自2010年8月投
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