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電機(jī)溫度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)低功耗無(wú)線節(jié)點(diǎn)模塊設(shè)計(jì)

摘要：提出了一種用于電機(jī)溫度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的無(wú)線數(shù)據(jù)收發(fā)節(jié)點(diǎn)模塊設(shè)計(jì)方案，利用LPC1114的省電耗模式配合Si4432集成芯片實(shí)現(xiàn)無(wú)線收發(fā)模塊的低功耗。另外，針對(duì)模塊硬件實(shí)現(xiàn)RF前端高頻電路設(shè)計(jì)和前期仿真做出詳細(xì)說(shuō)明，模

測(cè)試測(cè)量
2012-12-25

無(wú)線節(jié)點(diǎn) 低功耗電機(jī)
RS-485的多機(jī)通信方案探究

引言在嵌入式系統(tǒng)中，多個(gè)孤立節(jié)點(diǎn)之間的通信越來(lái)越重要，尤其是物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的到來(lái)，多節(jié)點(diǎn)間通信已經(jīng)成為必不可少的功能。由此出現(xiàn)了許多通信手段，如RS-232、RS-485、CAN總線、ZigBee等，綜合考慮性能和成本，

通信技術(shù)
2012-12-24

多機(jī)通信 RS-485 BSP 節(jié)點(diǎn)
低能耗節(jié)點(diǎn)位置未知無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)控制方案

摘要：介紹了一種低能耗節(jié)點(diǎn)位置未知的網(wǎng)絡(luò)控制方案，根據(jù)不同的網(wǎng)絡(luò)運(yùn)行輪數(shù)設(shè)定網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)的通信半徑，使網(wǎng)絡(luò)具有良好的能量有效性。網(wǎng)絡(luò)中基站經(jīng)過(guò)構(gòu)建階段的啟動(dòng)過(guò)程、節(jié)點(diǎn)信息收集過(guò)程和節(jié)點(diǎn)信息上報(bào)過(guò)程，獲得了

工業(yè)控制
2012-12-21

無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò) 控制方案 BSP 節(jié)點(diǎn)
浸潤(rùn)式微影壽命延長(zhǎng)EUV恐無(wú)出頭天？

當(dāng)193奈米微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程技術(shù)藍(lán)圖上已經(jīng)接近終點(diǎn)，下一代應(yīng)該是157奈米微影；德州儀器( TI )前段制程部門經(jīng)理Jim Blatchford雖然才剛完成采購(gòu)先進(jìn)157奈米微影系統(tǒng)的協(xié)商，他還是有點(diǎn)擔(dān)心這種未經(jīng)驗(yàn)證的技術(shù)。

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2012-12-20

EUV FOR LATCH 節(jié)點(diǎn)
下一代FD－SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm

在一場(chǎng)近日于美國(guó)舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過(guò)了20奈米節(jié)點(diǎn)，直接往14奈米、接著是10奈米發(fā)

消費(fèi)電子
2012-12-17

英特爾 FINFET 節(jié)點(diǎn)
下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm

在一場(chǎng)近日于美國(guó)舊金山舉行的FD-SOI(fullydepletedsilicononinsulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOIConsortium所展示的文件顯示，F(xiàn)D-SOI制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過(guò)了20nm節(jié)點(diǎn)，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。根據(jù)SOICon

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2012-12-17

FINFET ICONS 節(jié)點(diǎn)
FD-SOI制程藍(lán)圖:跳過(guò)20奈米節(jié)點(diǎn)，直沖14奈米

14奈米FD-SOI技術(shù)問(wèn)世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14奈米FinFET相當(dāng)，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)D-SOI的成本則應(yīng)該會(huì)比FinFET低得多。近日，在一場(chǎng)于美國(guó)舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-17

英特爾 FINFET 節(jié)點(diǎn)
下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm

在一場(chǎng)近日于美國(guó)舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過(guò)了20nm節(jié)點(diǎn)，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。根

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-17

英特爾 FINFET 節(jié)點(diǎn)
下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm

在一場(chǎng)近日于美國(guó)舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過(guò)了20奈米節(jié)點(diǎn)，直接往14奈米、接著是10奈米發(fā)

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2012-12-14

英特爾 FINFET 節(jié)點(diǎn)
產(chǎn)業(yè)專家：14奈米節(jié)點(diǎn)是重大考驗(yàn)

2012年度國(guó)際電子元件大會(huì)( IEDM )于美國(guó)時(shí)間12月10日在舊金山登場(chǎng)，與會(huì)專家表示，半導(dǎo)體制程邁向14奈米節(jié)點(diǎn)時(shí)，可能無(wú)法達(dá)到通常每跨一個(gè)世代、晶片性能可提升30%的水準(zhǔn)，甚至只有一半；但仍會(huì)增加大量成本，主要是

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2012-12-13

晶片 EUV AN 節(jié)點(diǎn)
超低空分布式多傳感器探測(cè)節(jié)點(diǎn)的設(shè)計(jì)

由于雷達(dá)探測(cè)存在盲區(qū),低空與超低空飛行的入侵目標(biāo)給雷達(dá)防御系統(tǒng)帶來(lái)困難與威脅?；贕PS技術(shù)、多傳感器技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)及單片機(jī)技術(shù)設(shè)計(jì)出一種分布式多傳感器探測(cè)節(jié)點(diǎn),把遠(yuǎn)程分布的多傳感器探測(cè)節(jié)點(diǎn)所探測(cè)到的信息實(shí)

工業(yè)控制
2012-12-13

GPRS 分布式多傳感器節(jié)點(diǎn)
獨(dú)家解讀英特爾凌動(dòng)微處理器：面向三大市場(chǎng) 延伸生態(tài)系統(tǒng)

12月13日早間消息（桑菊）面對(duì)ARM咄咄逼人的攻勢(shì)，英特爾開(kāi)始了自己的反擊。昨天，英特爾宣布推出為高密度微型服務(wù)器以及新級(jí)別節(jié)能存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備打造的凌動(dòng)(Atom)S1200產(chǎn)品家族，同時(shí)這也是全球首個(gè)低功耗64位服務(wù)

通信技術(shù)
2012-12-13

英特爾微處理器生態(tài)系統(tǒng) 節(jié)點(diǎn)
產(chǎn)業(yè)專家：14奈米節(jié)點(diǎn)是重大考驗(yàn)

2012年度國(guó)際電子元件大會(huì)( IEDM )于美國(guó)時(shí)間12月10日在舊金山登場(chǎng)，與會(huì)專家表示，半導(dǎo)體制程邁向14奈米節(jié)點(diǎn)時(shí)，可能無(wú)法達(dá)到通常每跨一個(gè)世代、晶片性能可提升30%的水準(zhǔn)，甚至只有一半；但仍會(huì)增加大量成本，主要是

模擬
2012-12-13

晶片 EUV AN 節(jié)點(diǎn)
產(chǎn)業(yè)專家：14奈米節(jié)點(diǎn)是重大考驗(yàn)

2012年度國(guó)際電子元件大會(huì)(IEDM)于美國(guó)時(shí)間12月10日在舊金山登場(chǎng)，與會(huì)專家表示，半導(dǎo)體制程邁向 14奈米節(jié)點(diǎn)時(shí)，可能無(wú)法達(dá)到通常每跨一個(gè)世代、晶片性能可提升30%的水準(zhǔn)，甚至只有一半；但仍會(huì)增加大量成本，主要是

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2012-12-13

晶片 EUV AN 節(jié)點(diǎn)
非規(guī)則LDPC碼譯碼改進(jìn)算法及其DSP實(shí)現(xiàn)

非規(guī)則LDPC碼譯碼改進(jìn)算法及其DSP實(shí)現(xiàn)

嵌入式教程
2012-12-08

譯碼 LDPC碼 DSP實(shí)現(xiàn) 節(jié)點(diǎn)
使用參數(shù)化約束進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)

如今PCB設(shè)計(jì)考慮的因素越來(lái)越復(fù)雜，如時(shí)鐘、串?dāng)_、阻抗、檢測(cè)、制造工藝等等，這經(jīng)常使得設(shè)計(jì)人員要重復(fù)進(jìn)行大量的布局布線、驗(yàn)證以及維護(hù)等工作。參數(shù)約束編輯器能將這些參數(shù)編到公式中，協(xié)助設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-05

阻抗線寬 PCB設(shè)計(jì) 節(jié)點(diǎn)
光纖通道存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)分區(qū)攻略

光纖通道(FC)的內(nèi)在安全機(jī)制比多數(shù)人通常所認(rèn)為的還要多，但是它們經(jīng)常得不到充分利用，而且還被誤解，因此SAN(存儲(chǔ)局域網(wǎng))才被說(shuō)成有安全問(wèn)題。本期存儲(chǔ)課堂所講的內(nèi)容就是探索光纖通道分區(qū)：光纖通道交換機(jī)最容易和

通信技術(shù)
2012-11-30

光纖通道端口存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò) 節(jié)點(diǎn)
中廣傳播再度示好運(yùn)營(yíng)商推廣CMMB打造內(nèi)容服務(wù)平臺(tái)

11月29日上午消息（楊笑）在日前某公開(kāi)場(chǎng)合，來(lái)自廣電系的中廣傳播集團(tuán)總經(jīng)理孫朝暉再度向電信運(yùn)營(yíng)商伸出了橄欖枝。孫朝暉此次推介的業(yè)務(wù)還是CMMB，“CMMB可以很好地取廣電網(wǎng)之長(zhǎng)，補(bǔ)電信網(wǎng)之短，最終實(shí)現(xiàn)三網(wǎng)

通信技術(shù)
2012-11-29

三網(wǎng)融合 CMMB 節(jié)點(diǎn)
半導(dǎo)體業(yè)難言探底一線代工廠需求強(qiáng)勁

時(shí)至年末，回顧今年的半導(dǎo)體業(yè)有點(diǎn)戲劇性變化，直至9月大部分市場(chǎng)調(diào)研公司尚認(rèn)為2012年可能會(huì)有5%的增長(zhǎng)。然而進(jìn)入10月以來(lái)，風(fēng)向偏離，開(kāi)始有部分市場(chǎng)調(diào)研公司認(rèn)為可能會(huì)轉(zhuǎn)入負(fù)增長(zhǎng)，如Gartner于11月預(yù)測(cè)明年全球半

模擬
2012-11-28

英特爾臺(tái)積電節(jié)點(diǎn)
溫室中無(wú)線執(zhí)行器節(jié)點(diǎn)的設(shè)計(jì)

0 引言溫室監(jiān)控系統(tǒng)建立的最終目的是為了獲取溫室環(huán)境的數(shù)據(jù)信息，監(jiān)控溫室的正常運(yùn)行，并通過(guò)分析數(shù)據(jù)得到作物生長(zhǎng)與環(huán)境變化的規(guī)律。傳統(tǒng)的多點(diǎn)環(huán)境參數(shù)監(jiān)控系統(tǒng)一般都是通過(guò)有線通信(如RS-485 總線)的方式把環(huán)境參

工業(yè)控制
2012-11-28

執(zhí)行器 NRF905 無(wú)線節(jié)點(diǎn)

首頁(yè) 上一頁(yè) 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 下一頁(yè) 尾頁(yè)

節(jié)點(diǎn)

電機(jī)溫度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)低功耗無(wú)線節(jié)點(diǎn)模塊設(shè)計(jì)

RS-485的多機(jī)通信方案探究

低能耗節(jié)點(diǎn)位置未知無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)控制方案

浸潤(rùn)式微影壽命延長(zhǎng)EUV恐無(wú)出頭天？

下一代FD－SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm

下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm

FD-SOI制程藍(lán)圖:跳過(guò)20奈米節(jié)點(diǎn)，直沖14奈米

下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm

下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm

產(chǎn)業(yè)專家：14奈米節(jié)點(diǎn)是重大考驗(yàn)

超低空分布式多傳感器探測(cè)節(jié)點(diǎn)的設(shè)計(jì)

獨(dú)家解讀英特爾凌動(dòng)微處理器：面向三大市場(chǎng) 延伸生態(tài)系統(tǒng)

產(chǎn)業(yè)專家：14奈米節(jié)點(diǎn)是重大考驗(yàn)

產(chǎn)業(yè)專家：14奈米節(jié)點(diǎn)是重大考驗(yàn)

非規(guī)則LDPC碼譯碼改進(jìn)算法及其DSP實(shí)現(xiàn)

使用參數(shù)化約束進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)

光纖通道存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)分區(qū)攻略

中廣傳播再度示好運(yùn)營(yíng)商推廣CMMB打造內(nèi)容服務(wù)平臺(tái)

半導(dǎo)體業(yè)難言探底一線代工廠需求強(qiáng)勁

溫室中無(wú)線執(zhí)行器節(jié)點(diǎn)的設(shè)計(jì)

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