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為什么3D NAND的平均生命周期很短？
隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
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iOS 11.1最新測試版找回3D Touch手勢：體驗后驚喜
今天早些時候，蘋果對外發(fā)布了iOS 11.1的第二個測試版，其中被老果粉心心念念的3D Touch多任務(wù)手勢功能被找回，而實際體驗后發(fā)現(xiàn)，蘋果還做了一定的升級，相當不錯。
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蘋果獲得超聲波力傳感器,3D Touch再進一步
蘋果當?shù)貢r間周二獲得一項基于超聲波的力和觸摸傳感器，將催生更薄和更順暢的3D Touch裝置，消除把Touch ID指紋傳感器嵌入iPhone屏幕中的一大障礙。美國專利和商標局向蘋果授予的“基于超聲波的力量感知和觸摸
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“英特爾精尖制造日”展示10納米制程、FPGA技術(shù)進展及業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心的64層 3D NAND產(chǎn)品
“英特爾精尖制造日”活動近日舉行，展示了英特爾制程工藝的多項重要進展，包括：英特爾10納米制程功耗和性能的最新細節(jié)，英特爾首款10納米FPGA的計劃，并宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的64層3D NAND產(chǎn)品已實現(xiàn)商用并出貨。
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為什么選擇軟硬結(jié)合設(shè)計技術(shù)
幫助設(shè)計師和設(shè)計團隊迎接這些挑戰(zhàn)的一個解決方案就是采用軟硬結(jié)合設(shè)計技術(shù)，即印刷電路板(PCB)的軟硬結(jié)合設(shè)計。雖然這并不是最新的技術(shù)，多方的綜合因素表明，該項技術(shù)具有普適性，而且能降低成本。
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5G大規(guī)模MIMO天線陣列3D OTA測試
5G將使用多天線技術(shù)，通過結(jié)合增強的空分復(fù)用為多個用戶提供數(shù)據(jù)，稱為大規(guī)模MIMO。一個結(jié)論是不能采用傳導(dǎo)方式評估輻射方向圖性能，因此必需通過OTA方式。本文介紹使用OTA測試裝置測量天線三維方向圖的技術(shù)要點。
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SanDisk Ultra 3D固態(tài)盤開賣：讀寫均破500MB/s
規(guī)格方面，Ultra 3D系列采用了64層堆疊的3D NAND閃存，尺寸為2.5英寸，接口為SATA 6Gbps，持續(xù)讀寫速度都能達到500MB/s以上。
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西部數(shù)據(jù)推出采用64層3D NAND技術(shù)移動固態(tài)硬盤
存儲解決方案提供商-西部數(shù)據(jù)公司(NASDAQ: WDC) 日前宣布推出64層3D NAND技術(shù)打造的移動固態(tài)硬盤。該技術(shù)使西部數(shù)據(jù)能夠提供更低功耗、更高性能、耐用度更高且容量更大的新型移動固態(tài)硬盤，這是西部數(shù)據(jù)公司在閃存行業(yè)一標志性產(chǎn)品。
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三星為確保晶圓貨源，開啟搶晶圓大戰(zhàn)
2017年三星電子(Samsung Electronics)同步啟動DRAM、3D NAND及晶圓代工擴產(chǎn)計劃，預(yù)計資本支出上看150億~220億美元，遠超過臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模，三星為確保新產(chǎn)能如期開出，近期傳出已與多家硅晶圓供應(yīng)商洽談簽長約，狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能，并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應(yīng)量將減少30%，主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準備。
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戴眼鏡看3D圖像做手術(shù)，大大提高腫瘤診治效率
近日，在中山市人民醫(yī)院放療科，陳阿姨做完了宮頸癌的全部六次后裝近距離放療，其中最后兩次由于麻醉的實施，使整個放療過程實現(xiàn)了無痛化?！皼]有不適的感覺，與以前比，舒服很多?！标惏⒁陶f。
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3D NAND亟待解決的技術(shù)問題，你知道答案嗎？
3D NAND閃存是一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。平面結(jié)構(gòu)的NAND閃存已接近其實際擴展極限，給半導(dǎo)體存儲器行業(yè)帶來嚴峻挑戰(zhàn)。新的3D NAND技術(shù)，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度。基于該技術(shù)，可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達三倍的存儲設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設(shè)備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。
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三星或于明年推出一款超大容量的3D NAND芯片
3D NAND閃存是一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。
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三星的970/980系列將全部采用3D TLC閃存
繼三星舊金山閃存峰會上宣布，推出新V-NAND單晶粒，容量1Tb后，不少同行科技人員表示，這不過是三星的QLC閃存，只不過換了說辭，它比TLC的存儲密度更大，但相應(yīng)的犧牲壽命和讀寫。
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SK海力士斥巨資投資存儲器，被警告產(chǎn)能過剩
據(jù)海外媒體報道，從去年下半到今年上半以來，DRAM 均價飆升 17%、NAND 均價攀漲 12%，主要是由于存儲器進入制程轉(zhuǎn)換，產(chǎn)能大減，使得廠商無不撒錢擴產(chǎn)。但是 IC Insights 警告，過度投資恐怕會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩。
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西部數(shù)據(jù)推出X4 3D NAND技術(shù)
西部數(shù)據(jù)公司今天宣布，該公司已成功開發(fā)用于64層3D NAND (BiCS3)的X4閃存。在西部數(shù)據(jù)過去成功開發(fā)創(chuàng)新和商品化X4 2D NAND技術(shù)的基礎(chǔ)上， 該公司運用其深厚的重直整合能力，開發(fā)出X4 3D NAND技術(shù)，包括硅晶圓加工、裝置工程(在每個存儲節(jié)點上提供16個不同的資料等級)、和系統(tǒng)專門技術(shù)(用于整體閃存管理)。
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紫光融資道路被截斷 恐是風暴開端
近期大陸紫光集團拋出旗下紫光國芯終止對長江存儲的股權(quán)收購，成為兩岸存儲器產(chǎn)業(yè)震撼彈，紫光國芯原本要100%收購專職3D NAND業(yè)務(wù)的長江存儲，但紫光內(nèi)部評估長江存儲未來要進入獲利階段，可能要等上5年，因此，紫光國芯暫停該收購案，但紫光仍強調(diào)長江存儲需要的人民幣386億元(折合新臺幣逾1，700億元)資金全數(shù)到位，建設(shè)時程一切按既定計劃。
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半導(dǎo)體行業(yè)：“新入局者”帶來“芯”未來
據(jù)報道，世界的半導(dǎo)體市場此前一直以美韓日廠商唱主角，現(xiàn)在中國企業(yè)正試圖參與進來，而中國企業(yè)的巨額投資很有可能成為半導(dǎo)體市場混亂的風險因素。
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大聯(lián)大世平集團聯(lián)合馳晶科技推出基于眾多國際大廠產(chǎn)品的Full-HD 3D 360°全景環(huán)視與ADAS系統(tǒng)解決方案
2017年7月14日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平聯(lián)合馳晶科技推出基于眾多國際大廠產(chǎn)品的Full-HD 3D 360°全景環(huán)視與ADAS系統(tǒng)解決方案，支持360°車載全景可視系統(tǒng)、行車記錄功能、還具有前車碰撞預(yù)警、軌道偏移預(yù)警和行人檢測功能。
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硅穿孔技術(shù)可提高閃存能源效率？
人們一直期待著更快、更實惠、更可靠的存儲產(chǎn)品，而大型數(shù)據(jù)中心則更關(guān)注與能源效率。本文要為大家介紹的，就是東芝 BiCS 3D TLC NAND 閃存所使用的硅穿孔(TSV)技術(shù)。其聲稱可減少存儲應(yīng)用的功耗，同時保障低延時、高吞吐、以及企業(yè)級 SSD 的每瓦特高 IOPS 。據(jù)外媒所述，這是當前業(yè)內(nèi)首個推向市場的硅穿孔 NAND 閃存產(chǎn)品。
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2D NAND和3D NAND橫向?qū)Ρ龋?D NAND完美接班
多年以來，2D NAND 一直都是半導(dǎo)體工業(yè)光刻(lithography)技術(shù)的發(fā)展推動力，其印刷尺寸是最小的，而且保持逐年下降。隨著 2D NAND 的尺寸縮小到了十幾納米節(jié)點(16nm、15nm甚至 14nm)，每個單元也變得非常小，使得每個單元中僅有少數(shù)幾個電子，而串擾問題又使得進一步縮小變得非常困難而且不夠經(jīng)濟。
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