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押注存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，英特爾中國大連二期工廠投產(chǎn)：主產(chǎn)96層3D NAND閃存
英特爾公司三年前宣布將中國大連的Fab 68晶圓廠改造為NAND工廠，總投資55億美元，現(xiàn)在二期工廠已經(jīng)投產(chǎn)了，主要生存96層堆棧的3D NAND閃存。
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基于DSP的3D圖形芯片的算法原理分析
三維圖形處理已成了熱門話題，一些報(bào)刊雜志連篇累牘地刊出有關(guān)文章，但綜觀其內(nèi)容，似缺乏系統(tǒng)性和深度。在本期每月專題中，董社勤、石教英和陳爽三位專家的二篇文章，對圖形學(xué)的基本原理和圖形芯片結(jié)構(gòu)做了深入淺出。
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蘋果的3D Touch技術(shù)為何不受待見？
蘋果的3D Touch功能為什么會(huì)慘淡收場呢?外媒Hackernoon從用戶體驗(yàn)的角度分析了其中的原因，稱該技術(shù)實(shí)用性不強(qiáng)，沒有給iPhone的交互方式帶來任何改進(jìn)，而且與iPhone原有的輕觸式觸控方式相沖突。
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東芝、西數(shù)宣布Fab 6工廠正式啟用！重點(diǎn)生產(chǎn)96層堆棧3D NAND閃存
今天東芝、西數(shù)一起宣布他們位于日本四日市三重縣的Fab 6工廠正式啟用，配套的閃存研發(fā)中心今年3月份已經(jīng)運(yùn)轉(zhuǎn)了，新的研發(fā)及生產(chǎn)中心重點(diǎn)就是96層堆棧3D NAND閃存，QLC閃存也將是重點(diǎn)，該工廠投產(chǎn)意味著東芝/西數(shù)的3D閃存產(chǎn)能進(jìn)一步提速。
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中韓大力興建晶圓廠，兩國投資占全球一半
近年來中國對半導(dǎo)體愈加重視，并大力投資興建晶圓廠，而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相對發(fā)達(dá)的韓國也對建設(shè)晶圓廠非常重視，投資金額超過中國成為世界投資晶圓廠最多的國家。
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Intel M.2傲騰905P SSD已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，10月底開賣
3D XPoint技術(shù)是Intel與美光聯(lián)合開發(fā)的黑科技，雖然讀寫速度平平，但其讀寫壽命、4K小文件讀寫速度可說傲視群雄，缺點(diǎn)就是很貴啦。Intel發(fā)布至今，已經(jīng)推出了多形態(tài)的產(chǎn)品，包括有傲騰加速SSD、傲騰SSD、傲騰內(nèi)存。而其中消費(fèi)級的Intel傲騰905P SSD是最火熱的產(chǎn)品，除了有U.2、PCI-e兩種接口外，現(xiàn)在還多了個(gè)M.2版本，這種用起來當(dāng)然更加方便啦。
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中韓近年來大手筆興建晶圓廠，投資遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過其他地區(qū)
其中韓國將以630億美元的投資領(lǐng)于其它地區(qū)，僅比排名第二的中國多10億美元。日本和美洲在晶圓廠方面的投資分別為220億美元和150億美元。而歐洲和東南亞投資總額均為80億美元。其中大約60%的晶圓廠將服務(wù)于內(nèi)存領(lǐng)域(占比最大的將是3D NAND閃存，用于智能手機(jī)和數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)產(chǎn)品)，而三分之一的晶圓廠將用于代工芯片制造。
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3D集成電路將如何同時(shí)實(shí)現(xiàn)？
三維集成電路的第一代商業(yè)應(yīng)用，CMOS圖像傳感器和疊層存儲(chǔ)器，將在完整的基礎(chǔ)設(shè)施建立之前就開始。在第一部分，我們將回顧三維集成背后強(qiáng)大的推動(dòng)因素以及支撐該技術(shù)的基礎(chǔ)
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與美光分道揚(yáng)鑣，英特爾宣布下一世代3D XPoint存儲(chǔ)器芯片的研發(fā)計(jì)劃
英特爾與美光于2015年攜手開發(fā)3D XPoint存儲(chǔ)器芯片，英特爾的Optane存儲(chǔ)器就是以3D XPoint技術(shù)打造。不過，今年兩公司已決定分道揚(yáng)鑣，意味著英特爾必須獨(dú)立研發(fā)新技術(shù)。
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什么是實(shí)現(xiàn)完全自動(dòng)駕駛的關(guān)鍵技術(shù)？
當(dāng)我們談及3D捕捉時(shí)，總是先想到光學(xué)傳感器。當(dāng)我們討論在第四維度(時(shí)間)討論視覺數(shù)據(jù)時(shí)，傾向于考慮場景數(shù)據(jù)調(diào)度。這些是我們多年來關(guān)注激光雷達(dá)(LiDAR)和攝影測量，以及用戶針對緩慢移動(dòng)的大型項(xiàng)目，在時(shí)間尺度上將這些技術(shù)應(yīng)用于靜態(tài)物體所造成的偏見。時(shí)間來到2018年，當(dāng)自動(dòng)駕駛汽車細(xì)分市場已經(jīng)成長為達(dá)到甚至超過這個(gè)市場規(guī)模時(shí)，我不得不開始重新審視3D。
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3D Touch功能反應(yīng)平平，新iPhone或拋棄？
外媒MacRumors獲悉的一份巴克萊銀行分析師布蘭恩·柯蒂斯(Blayne Curtis)寫給投資人的文件顯示，人們“普遍相信”今年的部分iPhone機(jī)型將不再支持3D Touch功能。
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長江存儲(chǔ)正式公布3D NAND新架構(gòu)Xtacking
Xtacking可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路，而存儲(chǔ)單元?jiǎng)t在另一片晶圓上被獨(dú)立加工，也就是說長江存儲(chǔ)打算在用不同的工藝在兩塊晶圓上生產(chǎn)NAND的陣列電路與NAND的邏輯電路，這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。
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武漢光谷自主32層3D NAND即將量產(chǎn)
在光谷國家存儲(chǔ)器基地，首批芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)也進(jìn)入到了調(diào)試階段。中國擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維閃存芯片，有望在光谷實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。
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號(hào)稱I/O速度堪比DDR4，長江存儲(chǔ)將展示新型3D NAND結(jié)構(gòu)Xtacking
根據(jù)長江存儲(chǔ)發(fā)布的公告，他們研發(fā)的Xtacking結(jié)構(gòu)3D NAND閃存，將具有前所未有的I/O速度，從而能夠?qū)FS、SSD硬盤及企業(yè)級SSD等產(chǎn)品的性能提升到前所未有的程度。
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蘋果明年全面取消3D Touch功能？
蘋果極有可能在2019年的iPhone智能手機(jī)設(shè)計(jì)中，全面取消3D Touch壓力觸控功能，這也意味著蘋果所推動(dòng)的壓力觸控在智能手機(jī)上的應(yīng)用，也將跟此前的指紋識(shí)別功能應(yīng)用一樣，面臨著退出智能手機(jī)市場的命運(yùn)。
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美光科技和英特爾宣布 3D Xpoint 聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃的最新動(dòng)態(tài)
美光科技和英特爾今日發(fā)布關(guān)于兩家公司 3D Xpoint™ 聯(lián)合開發(fā)合作關(guān)系的最新動(dòng)態(tài)。雙方聯(lián)合開發(fā)了一種全新的非易失性內(nèi)存，與 NAND 存儲(chǔ)相比，其延遲大幅降低，耐久性顯著提高。
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結(jié)束14年合作關(guān)系 Intel在3D Point閃存領(lǐng)域要超過美光
英特爾(Intel)和美光(Micron)正式宣布雙方的3D XPoint共同開發(fā)計(jì)劃即將在2019年劃下句點(diǎn)，結(jié)束自2006年合資成立IMFT公司以來長達(dá)14年的合作關(guān)系。那么，有關(guān)3D Xpoint的未來呢?
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3D NAND這么火，比2D NAND到底優(yōu)秀在哪？
如果用一個(gè)詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會(huì)被提及的一個(gè)關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價(jià)，閃存顆粒的制程問題引發(fā)的廠商競爭，以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。
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3D ToF人臉識(shí)別技術(shù)要商用 vivo宣稱下半年將推出3D ToF
ToF(Time Of Flight，飛行時(shí)間)，本質(zhì)是一種光雷達(dá)系統(tǒng)。其原理為測量近紅外光線從發(fā)射到反射回來所需時(shí)間，并以此計(jì)算出距離，最后將距離數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為 3D 圖像。
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3D NAND堆疊大戰(zhàn)如火如荼！中國存儲(chǔ)需跟上國際技術(shù)演進(jìn)節(jié)奏
如果說幾家國際閃存大廠，如三星、美光、東芝、西數(shù)、SK海力士當(dāng)前推向市場的主流產(chǎn)品是64層(或72層)3D NAND，那么明年就將跨入96層。在近日舉行的國際存儲(chǔ)研討會(huì)2018(IMW 2018)上，應(yīng)用材料公司預(yù)測，到2020年3D存儲(chǔ)堆疊可以做到120層甚至更高，2021年可以達(dá)到140層以上。
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