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32G滿足不了！ 3D NAND拯救手機(jī)內(nèi)存不足
3D NAND是閃存領(lǐng)域的一個(gè)重大進(jìn)步，可望釋放巨大的儲(chǔ)存容量成長(zhǎng)潛力。其布置在硅基板上的內(nèi)存單元能夠被移動(dòng)到第三維空間，也就是在各個(gè)分層上以垂直方式堆棧，并且透過(guò)傳播電荷的導(dǎo)線進(jìn)行連接。
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基于芯片堆疊式的3D技術(shù)
從SiP系統(tǒng)級(jí)封裝的傳統(tǒng)意義上來(lái)講，凡是有芯片堆疊的都可以稱之為3D，因?yàn)樵赯軸上有了功能和信號(hào)的延伸，無(wú)論此堆疊是位于IC內(nèi)部還是IC外部。
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湖北大學(xué)與長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽約3D存儲(chǔ)器選通管技術(shù) 共同打造中國(guó)制造存儲(chǔ)芯片
9日，記者在2018年第四批科技成果轉(zhuǎn)化簽約大會(huì)湖北大學(xué)專場(chǎng)上獲悉，湖北大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院王浩教授領(lǐng)銜的團(tuán)隊(duì)，與長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司簽約受讓3D存儲(chǔ)器選通管技術(shù)，年產(chǎn)值預(yù)計(jì)將達(dá)60億元。雙方達(dá)成戰(zhàn)略合作，將繼續(xù)在3D存儲(chǔ)器選通管和高密度阻變存儲(chǔ)器及其集成技術(shù)的研究上開(kāi)展合作，全力研發(fā)下一代3D存儲(chǔ)芯片，為早日實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器芯片技術(shù)的國(guó)產(chǎn)化貢獻(xiàn)力量。
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聯(lián)蕓科技展示使用Intel 3D QLC閃存的4TB SSD
Anandtech在國(guó)內(nèi)主控廠商聯(lián)蕓科技(Maxio Technology)的展臺(tái)上找到了使用Intel 3D QLC閃存的4TB SSD，當(dāng)然這款產(chǎn)品還是處于初期的樣品階段，它采用是一顆聯(lián)蕓自己的MAS0902A-B2C DRAM Less主控，主控支持Agile ECC 2和WriteBooster 2與虛擬奇偶校驗(yàn)恢復(fù)等技術(shù)，而閃存型號(hào)是Intel N18A 3D QLC。
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看3D鼠標(biāo)如何實(shí)現(xiàn)3D
我們大家知道傳統(tǒng)的鼠標(biāo)只能做到上下左右移動(dòng)的功能，而當(dāng)我們?cè)谕嬗螒虻臅r(shí)候例如大家不陌生的CS游戲，因?yàn)閷?duì)槍的移動(dòng)、射擊等操作是利用“趴”在桌面上鼠標(biāo)的移動(dòng)和點(diǎn)擊實(shí)現(xiàn)的，然而真實(shí)的場(chǎng)面并不是這樣。
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美光與英特爾達(dá)成協(xié)議 生產(chǎn)最強(qiáng)勁的3D NAND閃存芯片
光科技近期不斷為股東送出大禮包，此前它宣布，將從明年起把至少50%的自由現(xiàn)金流返還給股東。 另外，美光還宣布與英特爾達(dá)成協(xié)議，生產(chǎn)并交付全球性能最強(qiáng)勁的3D NAND閃存芯片。
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5G大戰(zhàn)打響，OPPO率先布局，3D通話不是夢(mèng)
5G窗口期，稍顯溫吞的智能手機(jī)市場(chǎng)，終于要迎來(lái)新一輪“激蕩”，產(chǎn)業(yè)各方紛紛在暗中加快布局。
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蘋果今明兩年新手機(jī)將分批淘汰3D Touch
在以往的手機(jī)升級(jí)中，蘋果推出了壓感屏功能(3D Touch)，雖然被一些科技媒體質(zhì)疑為“雞肋功能”，但是仍然有一些消費(fèi)者青睞壓感操控的使用。不過(guò)據(jù)外媒最新消息，蘋果計(jì)劃升級(jí)手機(jī)使用的玻璃面板，而壓感屏技術(shù)將成為犧牲品，面臨被淘汰的命運(yùn)。
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關(guān)鍵突破!長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND榮獲首張訂單 出貨量超過(guò)1萬(wàn)顆
身為國(guó)家存儲(chǔ)器項(xiàng)目首發(fā)基地的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，4月11日武漢廠正式舉行裝機(jī)典禮，由紫光集團(tuán)暨長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)親自主持，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司(大基金)總裁董事長(zhǎng)丁文武也到場(chǎng)支持，紫光集團(tuán)全球執(zhí)行
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式裝機(jī)，3D NAND量產(chǎn)還有多遠(yuǎn)?
4月11日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以“芯存長(zhǎng)江，智儲(chǔ)未來(lái)”為主題，慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。2017年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(一期)一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修
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低溫運(yùn)行、144W、4 x 40A μModule POL 穩(wěn)壓器
LTM4636 是一款能提供 40A 的 μModule® 穩(wěn)壓器，其采用 3D 封裝技術(shù)，即旨在保持其低溫運(yùn)行的組件級(jí)封裝 (component-on-package，CoP)，見(jiàn)圖 1。該器件的主體是模制的 16mm x 16mm x 1.91mm BGA 封裝，在封裝頂部疊置了一個(gè)電感器以使其暴露在冷卻氣流中?？傮w封裝高度為 7.16mm。
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3D NAND將緩解SSD和移動(dòng)市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求
根據(jù)英國(guó)分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)得出:全球半導(dǎo)體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來(lái)的最好成績(jī)，年收入比2016年增長(zhǎng)了22%，達(dá)到4291億美元。HIS認(rèn)為市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應(yīng)用如大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)和機(jī)器學(xué)習(xí)。
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美光科技宣布推出適用于旗艦級(jí)智能手機(jī)的尖端移動(dòng) 3D NAND 解決方案
美光科技有限公司今日宣布推出三種全新 64 層第二代 3D NAND 存儲(chǔ)產(chǎn)品，這三種產(chǎn)品均支持高速通用閃存存儲(chǔ) (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)。全新美光移動(dòng) 3D NAND 產(chǎn)品提供 256GB、128GB 和 64GB 三種容量選擇。
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Acconeer 創(chuàng)新的 3D 傳感器技術(shù)現(xiàn)通過(guò) Digi-Key 全球發(fā)售
Acconeer AB 與全球電子元器件分銷商Digi-Key Electronics 簽署了一項(xiàng)新的經(jīng)銷協(xié)議，其 A1 SRD 雷達(dá)傳感器現(xiàn)通過(guò) Digi-Key 面向全球現(xiàn)貨發(fā)售。
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手機(jī)存儲(chǔ)容量需求大增，為3D NAND儲(chǔ)存鋪平道路
以往僅搭載16GB、32GB容量的智能手機(jī)已無(wú)法滿足當(dāng)前由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的新興移動(dòng)應(yīng)用需求，從而為3D NAND快閃存儲(chǔ)器的進(jìn)展鋪路…
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3D NAND擴(kuò)產(chǎn)在即，NAND Flash恐供過(guò)于求
受到部份零組件缺貨影響，ODM/OEM廠2017年第四季PC出貨不如預(yù)期，導(dǎo)致固態(tài)硬碟(SSD)需求急降，價(jià)格也一路走跌，2018年上半年NAND Flash市場(chǎng)供過(guò)于求已難避免。市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)期，三星、東芝等存儲(chǔ)器大廠已擬定3D NAND擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，新產(chǎn)能將在2019年后開(kāi)出，屆時(shí)NAND Flash市場(chǎng)將供過(guò)于求。
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DRAM為什么將長(zhǎng)期供不應(yīng)求
DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng)，是歷來(lái)漲勢(shì)最久的一次。
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三星SZ985搶食英特爾Optane商機(jī)
半導(dǎo)體大廠英特爾(Intel)在2017年初正式推出與存儲(chǔ)器廠美光(Micron)合作的3D XPoint快閃存儲(chǔ)器，并將其用在英特爾的Optane系列產(chǎn)品，協(xié)助過(guò)去運(yùn)用傳統(tǒng)硬盤開(kāi)機(jī)的電腦，大幅縮減開(kāi)機(jī)時(shí)間。尤其在極低延遲的情況下，3D XPoint快閃存儲(chǔ)器有突出的隨機(jī)性能，速度甚至是當(dāng)前SSD的好幾倍。
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蘋果開(kāi)啟3D感知模組市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)手機(jī)在等高通方案成熟
隨著AI技術(shù)在手機(jī)上的逐步滲透，“刷臉時(shí)代”漸行漸近。
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英特爾晶圓廠擴(kuò)建完成 將生產(chǎn)3D XPoint內(nèi)存媒體
英特爾(INTC. US)、美光科技(MU. US)13日宣布，IM Flash B60晶圓廠已完成擴(kuò)建工程。 新聞稿指出，規(guī)模擴(kuò)大后的晶圓廠將生產(chǎn)3D XPoint內(nèi)存媒體。 成立于2006年的IM Flash合資企業(yè)替英特爾與美光生產(chǎn)非揮發(fā)性內(nèi)存，初期生產(chǎn)用于SSD、手機(jī)、平板的NAND。
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