FINFET

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  • 晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米

    更快的處理器和復雜的移動設備讓芯片在實現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設計逐漸延伸到40nm以下，甚至達到28nm，受晶圓的極端漏電流效應影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點，晶圓加工廠商仍可以在小基板上

  • 晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米

    更快的處理器和復雜的移動設備讓芯片在實現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設計逐漸延伸到40nm以下，甚至達到28nm，受晶圓的極端漏電流效應影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點，晶圓加工廠商仍可以在小基板上

  • 晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米

    更快的處理器和復雜的移動設備讓芯片在實現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設計逐漸延伸到40nm以下，甚至達到28nm，受晶圓的極端漏電流效應影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點，晶圓加工廠商仍可以在小基板上

  • IMEC探討10nm以下制程的不同 CMOS技術(shù)將持續(xù)微縮

    在可預見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru

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    2012-06-12
    CMOS ST GEN FINFET

  • 22nm后英特爾FinFET可能需要使用SOI

    根據(jù)工程顧問公司Chipworks日前披露的英特爾(Intel) 22nmFinFET元件剖面圖，以及EDA公司Gold Standard Simulations (GSS)針對該元件所做的多種電氣特性建模結(jié)果，顯示出了這個最新22nm FinFET的物理變異特性。GSS公司

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    2012-06-12
    英特爾 OV SE FINFET

  • Globalfoundries:20nm后以技術(shù)取勝

    “當談到FinFET時，它必用在行動處理器上，我們才能真正感受到它的優(yōu)勢，”Globalfoundries技術(shù)長辦公室先進技術(shù)架構(gòu)主管Subramani Kengeri稍早前臺北國際電腦展(Computex)期間的媒體活動上表示。他也指出，在次20nm

  • IMEC探討10nm以下制程變異

    在可預見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru

  • IMEC探討10nm以下制程變異

    在可預見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru

  • IMEC探討10nm以下制程變異

    在可預見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru

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    2012-06-06
    CMOS ST GEN FINFET

  • IMEC探討10nm以下制程變異

    在可預見的未來， CMOS 技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入 10nm 節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵， IMEC 資深制程技術(shù)副總裁 An Steegen 在稍早前于比利時舉行的 IMEC Techno

  • 解構(gòu)英特爾FinFET：fin更少、更像三角形

    逆向工程分析公司 Chipworks 稍早前公布英特爾（Intel） 22nm Ivy Bridge處理器的剖面圖，從中可見英特爾稱為叁閘極（tri-gate）電晶體的FinFET元件，從剖面圖看來，它實際上是幾乎呈現(xiàn)三角形的梯形。這顆被解剖的IC

  • 解構(gòu)英特爾FinFET：fin更少、更像三角形

    逆向工程分析公司 Chipworks 稍早前公布英特爾（Intel） 22nm Ivy Bridge處理器的剖面圖，從中可見英特爾稱為叁閘極（tri-gate）電晶體的FinFET元件，從剖面圖看來，它實際上是幾乎呈現(xiàn)三角形的梯形。這顆被解剖的IC

  • 用創(chuàng)新方法跨越1x-nm晶片微縮挑戰(zhàn)

    隨著晶片制造邁向次20nm世代及10x-nm的更微小幾何尺寸，眼前橫亙的技術(shù)挑戰(zhàn)很可能導致這個產(chǎn)業(yè)的競爭態(tài)勢發(fā)生重大轉(zhuǎn)變。不過，技術(shù)的演進并不會只依循單一道路，面對重重挑戰(zhàn)時，往往會出現(xiàn)創(chuàng)新的解決方案。如Soitec

  • 14nm的到來再次掀翻摩爾定律，多廠商在行動

    摩爾定律是推動集成電路性能前進的影響力參數(shù)。在過去數(shù)十年里集成電路數(shù)量每兩年就翻一倍?，F(xiàn)在這個步伐已經(jīng)被超越？至少14nm制程和FinFET技術(shù)的開發(fā)商是這么看的。英特爾、IBM、東芝、三星都在采納14nm制程，并將在

  • 半導體產(chǎn)業(yè)面臨新挑戰(zhàn)：晶片微縮將愈來愈艱困

    半導體產(chǎn)業(yè)正在面臨一項挑戰(zhàn)，即每兩年微縮晶片特征尺寸的周期已然結(jié)束，我們正在跨入一個情勢高度不明的階段。業(yè)界目前面臨的幾項關(guān)鍵挑戰(zhàn)都顯示，晶片微縮的路程愈來愈艱困了。1.晶圓代工廠量產(chǎn)32/28nm晶圓的周期延

  • 偏離摩爾定律晶片微縮腳步漸緩

    半導體產(chǎn)業(yè)正在面臨一項挑戰(zhàn)，即每兩年微縮晶片特征尺寸的周期已然結(jié)束，我們正在跨入一個情勢高度不明的階段。業(yè)界目前面臨的幾項關(guān)鍵挑戰(zhàn)都顯示，晶片微縮的路程愈來愈艱困了。1.晶圓代工廠量產(chǎn)32/28nm晶圓的周期延

  • 偏離摩爾定律晶片微縮腳步漸緩

    半導體產(chǎn)業(yè)正在面臨一項挑戰(zhàn)，即每兩年微縮晶片特征尺寸的周期已然結(jié)束，我們正在跨入一個情勢高度不明的階段。業(yè)界目前面臨的幾項關(guān)鍵挑戰(zhàn)都顯示，晶片微縮的路程愈來愈艱困了。 1.晶圓代工廠量產(chǎn)32/28nm晶圓的周期

  • 偏離摩爾定律晶片的微縮路程越來越艱難

    半導體產(chǎn)業(yè)正在面臨一項挑戰(zhàn)，即每兩年微縮晶片特征尺寸的周期已然結(jié)束，我們正在跨入一個情勢高度不明的階段。業(yè)界目前面臨的幾項關(guān)鍵挑戰(zhàn)都顯示，晶片微縮的路程愈來愈艱困了。1.晶圓代工廠量產(chǎn)32/28nm晶圓的周期延

  • 偏離摩爾定律晶片微縮腳步漸緩

    半導體產(chǎn)業(yè)正在面臨一項挑戰(zhàn)，即每兩年微縮晶片特征尺寸的周期已然結(jié)束，我們正在跨入一個情勢高度不明的階段。業(yè)界目前面臨的幾項關(guān)鍵挑戰(zhàn)都顯示，晶片微縮的路程愈來愈艱困了。1.晶圓代工廠量產(chǎn)32/28nm晶圓的周期延

  • SOI組織稱FDSOI的制造風險低于FinFET

    SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(SOI Industry Consortium)和業(yè)界支持絕緣矽(silicon-on-insulator, SOI)的廠商們?nèi)涨氨硎?，已?jīng)有新證據(jù)顯示，使用完全耗盡型的FDSOI技術(shù)，其風險將小于由英特爾所支持的FinFET。 SOI聯(lián)盟表示，最近一項