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何種晶體管技術(shù)將領(lǐng)跑22nm時代？
在22nm，或許是16nm節(jié)點，我們將需要全新的晶體管。而在這其中，爭論的焦點在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場比賽將關(guān)乎到晶體管的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開發(fā)中，業(yè)界都爭先恐后地推出各種新的晶體管技術(shù)。英特
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22nm之后:下一代電晶體競賽開跑
在22nm，或許是16nm節(jié)點，我們將需要全新的電晶體。而在這其中，爭論的焦點在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場比賽將關(guān)乎到電晶體的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開發(fā)中，業(yè)界都爭先恐后地推出各種新的電晶體技術(shù)。英特
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22nm亂世之最后懸念:多角度看Finfet等四種技術(shù)優(yōu)劣對比
在向22/20nm節(jié)點制程攀登的過程中，半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)者們似乎紛紛準(zhǔn)備在這一節(jié)點推出新形態(tài)的晶體管結(jié)構(gòu)技術(shù)。這方面做得比較出彩的有Intel，他們不久前正式公布將在22nm制程節(jié)點啟用三 柵晶體管技術(shù)，并因此而博得了許
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臺積電先推TSV 3D芯片可擊敗英特爾FinFET？
根據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)日前所發(fā)布的一份報告，芯片代工巨擘臺積電(TSMC)公司可望在2011年底前推出首款具3D互連的半導(dǎo)體產(chǎn)品，因而可能和已經(jīng)宣布即將推出首款3D芯片的英特爾形成潛在的競爭關(guān)系。 TAIT
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臺積電稱Finfet尚未成熟 芯片設(shè)計制造需改動
自從Intel正式對外公布22nm制程節(jié)點將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場在未來一段時間內(nèi)（至少到下一個節(jié)點制程時）仍將采用傳統(tǒng)
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臺積電GlobalFoundries紛紛表態(tài)稱Finfet尚未成熟
自從Intel正式對外公布22nm制程節(jié)點將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場在未來一段時間內(nèi)（至少到下一個節(jié)點制程時）仍將采用傳統(tǒng)
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臺積電GlobalFoundries紛紛表態(tài)稱Finfet尚未成熟
??????? 自從Intel正式對外公布22nm制程節(jié)點將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場在未來一段時間內(nèi)（至少到下一個節(jié)點制程時）仍將
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3D半導(dǎo)體制程 不是Intel柯斷？
前不久Intel把3D立體概念應(yīng)用在半導(dǎo)體制程的〝FinFET技術(shù)〞并發(fā)表了〝3-D Tri-Gate MOSFET三維晶體管〞技術(shù)，簡單地說就是把原本二維的平面柵級用一塊非常薄的三維矽鰭片來取代，并且在立體的三個面上都放置了一個
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3D晶體管技術(shù)專利撞車？韓國稱比英特爾較早申請
據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團(tuán)隊早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲得龐大的專利權(quán)使用收
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3D晶體管技術(shù)專利撞車？韓國稱比英特爾較早申請
新聞來源:Digitimes 據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團(tuán)隊早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲
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韓國稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請
據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團(tuán)隊早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲得龐大的專利權(quán)使用
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韓國稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請
據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團(tuán)隊早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲得龐大的專利權(quán)使用收
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韓國稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請
據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團(tuán)隊早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲得龐大的專利權(quán)使用
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臺積電重點開發(fā)28納米工藝
臺灣晶圓代工巨頭臺積電的一名高管表示，目前臺積電對28納米(nm)工藝的IC設(shè)計極為重視，投入是之前40納米工藝準(zhǔn)備期同階段產(chǎn)品數(shù)量的三倍多?！爸悄苁謾C(jī)與平板電腦是新的殺手級應(yīng)用，”臺積電歐洲區(qū)總裁Maria Marced
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臺積電重點開發(fā)28納米工藝
臺灣晶圓代工巨頭臺積電的一名高管表示，目前臺積電對28納米(nm)工藝的IC設(shè)計極為重視，投入是之前40納米工藝準(zhǔn)備期同階段產(chǎn)品數(shù)量的三倍多。“智能手機(jī)與平板電腦是新的殺手級應(yīng)用，”臺積電歐洲區(qū)總裁Maria Marced
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IC設(shè)計公司熱衷28nm工藝
臺灣代工巨頭臺積電首席執(zhí)行官表示，芯片設(shè)計廠商對28nm工藝產(chǎn)品的熱情度極高，比40nm工藝準(zhǔn)備期同階段產(chǎn)品數(shù)量多三倍以上。 “智能手機(jī)和平板電腦是新的殺手級應(yīng)用，”臺積電歐洲區(qū)總裁MariaMarced說，“我們預(yù)見到
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IC設(shè)計公司熱衷28nm工藝
臺灣代工巨頭臺積電首席執(zhí)行官表示，芯片設(shè)計廠商對28nm工藝產(chǎn)品的熱情度極高，比40nm工藝準(zhǔn)備期同階段產(chǎn)品數(shù)量多三倍以上。 “智能手機(jī)和平板電腦是新的殺手級應(yīng)用，”臺積電歐洲區(qū)總裁Maria Marced說，“我們預(yù)
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破譯前沿技術(shù)，F(xiàn)infet技術(shù)（3D晶體管）詳解
本周三Intel舉辦了一次新聞發(fā)布會，會上Intel高管Mark Bohr宣布Intel在22nm制程處理器中全面啟用三柵晶體管技術(shù)（也稱3D晶體管技術(shù)），他并表示三柵晶體管技術(shù)的啟用可以極大地減小晶體管的工作電壓，其實三柵晶體管
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Intel 22nm制程三柵結(jié)構(gòu)晶體管技術(shù)探秘
繼四年前首度啟用HKMG工藝制作商用處理器之后，全球最大的半導(dǎo)體廠商Intel又一次站在了業(yè)界前列，這一次他們用實際行動宣告與傳統(tǒng)的平面型晶體管 技術(shù)徹底告別。如先前外界所預(yù)料的那樣，本周三Intel舉辦了一次新聞發(fā)
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Intel 22nm處理器將會采用FinFET工藝
前不久網(wǎng)絡(luò)上有一些關(guān)于22nm Ivy Bridge處理器的一些信息，近日我們收到消息稱：Intel將在22nm處理器上采用FinFET工藝技術(shù)，以保證處理器的集成度更高、漏電也更小。 FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effectt
