IGBT

關(guān)注221人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

國產(chǎn)IGBT功率器件春暖花開

當(dāng)前，在日益嚴(yán)峻的環(huán)境問題和能源消耗的壓力之下，綠色能源領(lǐng)域正成為世界各國的發(fā)展目標(biāo)，由此也帶動(dòng)了整個(gè)功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，尤其是功率半導(dǎo)體核心器件——IGBT。在中國，為了適應(yīng)大環(huán)境的需求，扶持相關(guān)企業(yè)

消費(fèi)電子
2014-03-06

IGBT 功率器件功率半導(dǎo)體器件 IGBT器件
國內(nèi)首條大功率IGBT芯片生產(chǎn)線迎來社會(huì)公眾參觀

牽引萬噸的電力機(jī)車是如何制造出來的？高速列車是如何跑出時(shí)速605公里的速度的？2月24日—25日，參加第三屆“車迷有約走進(jìn)南車”活動(dòng)的近60名火車迷走進(jìn)中國南車株洲基地，參觀了助力中國高鐵走向“芯時(shí)代”的國內(nèi)首

模擬
2014-03-04

高鐵大功率芯片生產(chǎn)線 IGBT
常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)匯總

MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng) 功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極

功率器件
2014-02-25

器件 MOSFET 隔離 IGBT
英飛凌為感應(yīng)加熱應(yīng)用推出新一代逆導(dǎo)IGBT

21ic訊英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導(dǎo)二極管的20A 1350V器件，再次擴(kuò)充逆導(dǎo)(RC) 軟開關(guān)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產(chǎn)品組合。新的20A RC-H5是對(duì)英飛凌性能領(lǐng)先的RC-H

功率器件
2014-02-24

英飛凌感應(yīng)加熱 RC IGBT
中國首款6500伏高壓IGBT芯片研制成功

【導(dǎo)讀】IGBT芯片，即“絕緣柵雙極型晶體管芯片”，是新一代功率半導(dǎo)體器件。工作中，通過調(diào)整柵極電壓的大小和極性，可改變相關(guān)控制器的開通與關(guān)閉。該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、風(fēng)力發(fā)電、太陽能發(fā)電、船

半導(dǎo)體
2014-02-15

芯片智能電網(wǎng) 高壓 IGBT
N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

摘要：N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-01-23

柵極壓降 BSP IGBT
基于UC3825的低壓大電流開關(guān)電源

介紹了一種以PWM 控制芯片UC3825為核心的低壓大電流開關(guān)電源的設(shè)計(jì)方案，闡述了主電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及主控制電路的電路設(shè)計(jì)，并設(shè)計(jì)了軟啟動(dòng)及過壓過流保護(hù)電路，應(yīng)用反饋手段和脈寬調(diào)制技術(shù)實(shí)現(xiàn)了電壓、電流的穩(wěn)定輸出，并研制了1臺(tái)15 V /1 200 A的樣機(jī)。

電源AC/DC
2014-01-15

開關(guān)電源低壓大電流 UC3825 IGBT
國產(chǎn)最高性能IGBT芯片及其模塊躋身國際領(lǐng)先水平

（作者：成舸劉亞鵬）近日，由中國南車株洲所主持研制的國內(nèi)最大電壓等級(jí)、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊首次向外界亮相，并通過成果鑒定，刷新了1年前該公司自主研制的3300伏IGBT芯片電壓等級(jí)和功率密

消費(fèi)電子
2014-01-10

芯片高壓封裝測(cè)試 IGBT
電動(dòng)汽車重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組工作會(huì)議在京召開

[摘要] 2014年1月3日，電動(dòng)汽車重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組工作會(huì)議在北京召開，會(huì)議針對(duì)國內(nèi)外電動(dòng)汽車技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)和電動(dòng)汽車重點(diǎn)專項(xiàng)下一步發(fā)展思路進(jìn)行了研討。　　2014年1月3日，電動(dòng)汽車重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組工

汽車電子
2014-01-08

封裝電動(dòng)汽車汽車技術(shù) IGBT
國內(nèi)自主研發(fā)最高壓IGBT芯片及模塊面世上半年投產(chǎn)

近日，由株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司自主研發(fā)的6500伏高壓IGBT芯片及模塊在株洲通過省級(jí)鑒定。來自中國工程院、中國科學(xué)院的3位院士以及中科院微電子所、南京大學(xué)、中南大學(xué)等單位的專家認(rèn)為，該產(chǎn)品具有耐高壓、損

消費(fèi)電子
2014-01-03

芯片高壓高電壓 IGBT
21ic新聞大爆炸：新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈

1、新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足今后在從事GaN功率元件的半導(dǎo)體廠商之間，估計(jì)會(huì)展開激烈的價(jià)格競爭。尤其是韓國、中國大陸和臺(tái)灣等亞洲半導(dǎo)體廠商全面涉足GaN功率元件業(yè)務(wù)之后，價(jià)格競爭將更為激

21ic專訪
2013-12-31

功率半導(dǎo)體 IC LTE IGBT
國內(nèi)電壓最高IGBT芯片研制成功

今天，由株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司自主研發(fā)的6500伏高壓IGBT芯片及模塊在株洲通過省級(jí)鑒定。來自中國工程院、中國科學(xué)院的3位院士以及中科院微電子所、南京大學(xué)、中南大學(xué)等單位的專家認(rèn)為，該產(chǎn)品具有耐高壓、損

模擬
2013-12-30

芯片電壓高電壓 IGBT
光伏逆變器市場整合在即

【導(dǎo)讀】據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)IHS iSuppli旗下IMS Research相關(guān)報(bào)告透露，隨著光伏逆變器供應(yīng)市場在2012年進(jìn)一步分化，今年一季度全球十大逆變器供應(yīng)商市場總占有率下滑逾4%。據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)IHS iSuppli旗下IMS Rese

半導(dǎo)體
2013-12-21

光伏逆變器 RESEARCH INFINEON IGBT
我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)

“今年，我們國內(nèi)基地在IGBT器件銷售上突破6萬只的規(guī)模，在新能源裝備、直流輸電等市場份額上也將繼續(xù)擴(kuò)大。有我公司建設(shè)的我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)今年年底能實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)?！辈①彽つ峥怂刮逯苣曛H，南車時(shí)

消費(fèi)電子
2013-12-19

電氣芯片生產(chǎn)線 IGBT模塊 IGBT
我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)

“今年，我們國內(nèi)基地在IGBT器件銷售上突破6萬只的規(guī)模，在新能源裝備、直流輸電等市場份額上也將繼續(xù)擴(kuò)大。有我公司建設(shè)的我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)今年年底能實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)?！辈①彽つ峥怂刮逯苣曛H，南車時(shí)

模擬
2013-12-18

電氣芯片生產(chǎn)線 IGBT模塊 IGBT
我首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)

“今年，我們國內(nèi)基地在IGBT器件銷售上突破6萬只的規(guī)模，在新能源裝備、直流輸電等市場份額上也將繼續(xù)擴(kuò)大。有我公司建設(shè)的我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)今年年底能實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)?！辈①彽つ峥怂刮逯苣曛H，南車時(shí)

消費(fèi)電子
2013-12-18

電氣芯片生產(chǎn)線 IGBT模塊 IGBT
將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低

近年來，人們使用的電器產(chǎn)品數(shù)量不斷增多，致使每個(gè)家庭內(nèi)的總能耗穩(wěn)步上升，不僅大多數(shù)西方國家是這樣，新興國家亦是如此。與這些能耗相關(guān)的成本也已經(jīng)增加，因?yàn)槿剂腺Y源

功率器件
2013-12-18

電磁爐電磁感應(yīng) 感應(yīng)加熱 IGBT
我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)

“今年，我們國內(nèi)基地在IGBT器件銷售上突破6萬只的規(guī)模，在新能源裝備、直流輸電等市場份額上也將繼續(xù)擴(kuò)大。有我公司建設(shè)的我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)今年年底能實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)?！辈①彽つ峥怂刮逯苣曛H，南車時(shí)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-12-18

電氣芯片生產(chǎn)線 IGBT模塊 IGBT
我首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)

“今年，我們國內(nèi)基地在IGBT器件銷售上突破6萬只的規(guī)模，在新能源裝備、直流輸電等市場份額上也將繼續(xù)擴(kuò)大。有我公司建設(shè)的我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)今年年底能實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)?！辈①彽つ峥怂刮逯苣曛H，南車時(shí)

模擬
2013-12-17

電氣芯片生產(chǎn)線 IGBT模塊 IGBT
意法半導(dǎo)體“無拖尾電流”600V IGBT突破功率設(shè)計(jì)限制

21ic訊意法半導(dǎo)體的先進(jìn)的V系列600V溝柵式場截止型(trench-gate field-stop)IGBT[1]具有平順、無拖尾電流的關(guān)機(jī)特性，飽和電壓更是低達(dá)1.8V，最大工作結(jié)溫高達(dá)175°C，

功率器件
2013-12-16

電流意法半導(dǎo)體電磁干擾 IGBT

首頁上一頁 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 下一頁尾頁

stm32jy
季冬
ddllxxrr
15775802523
15775802523
15775802523
15775802523
15775802523
huanxf
oschinanet
jeakjiang
潛力變實(shí)力
w32m
快意恩仇
huihua001
yzdxzhangbo
zyx818102
dqly5
gaofei207
jinwandalaohu

IGBT

國產(chǎn)IGBT功率器件春暖花開

國內(nèi)首條大功率IGBT芯片生產(chǎn)線迎來社會(huì)公眾參觀

常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)匯總

英飛凌為感應(yīng)加熱應(yīng)用推出新一代逆導(dǎo)IGBT

中國首款6500伏高壓IGBT芯片研制成功

N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

基于UC3825的低壓大電流開關(guān)電源

國產(chǎn)最高性能IGBT芯片及其模塊躋身國際領(lǐng)先水平

電動(dòng)汽車重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組工作會(huì)議在京召開

國內(nèi)自主研發(fā)最高壓IGBT芯片及模塊面世上半年投產(chǎn)

21ic新聞大爆炸：新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈

國內(nèi)電壓最高IGBT芯片研制成功

光伏逆變器市場整合在即

我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)

我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)

我首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)

將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低

我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)

我首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)

意法半導(dǎo)體“無拖尾電流”600V IGBT突破功率設(shè)計(jì)限制

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(221人)

熱門活動(dòng)

課程視頻