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常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動技術(shù)匯總
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動 功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個柵極
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英飛凌為感應(yīng)加熱應(yīng)用推出新一代逆導(dǎo)IGBT
21ic訊 英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導(dǎo)二極管的20A 1350V器件，再次擴(kuò)充逆導(dǎo)(RC) 軟開關(guān)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產(chǎn)品組合。新的20A RC-H5是對英飛凌性能領(lǐng)先的RC-H
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中國首款6500伏高壓IGBT芯片研制成功
【導(dǎo)讀】IGBT芯片，即“絕緣柵雙極型晶體管芯片”，是新一代功率半導(dǎo)體器件。工作中，通過調(diào)整柵極電壓的大小和極性，可改變相關(guān)控制器的開通與關(guān)閉。該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、風(fēng)力發(fā)電、太陽能發(fā)電、船
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N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究
摘要：N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，
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基于UC3825的低壓大電流開關(guān)電源
介紹了一種以PWM 控制芯片UC3825為核心的低壓大電流開關(guān)電源的設(shè)計方案， 闡述了主電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及主控制電路的電路設(shè)計， 并設(shè)計了軟啟動及過壓過流保護(hù)電路， 應(yīng)用反饋手段和脈寬調(diào)制技術(shù)實現(xiàn)了電壓、電流的穩(wěn)定輸出， 并研制了1臺15 V /1 200 A的樣機(jī)。
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國產(chǎn)最高性能IGBT芯片及其模塊躋身國際領(lǐng)先水平
（作者：成舸 劉亞鵬）近日，由中國南車株洲所主持研制的國內(nèi)最大電壓等級、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊首次向外界亮相，并通過成果鑒定，刷新了1年前該公司自主研制的3300伏IGBT芯片電壓等級和功率密
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電動汽車重點專項總體專家組工作會議在京召開
[摘要] 2014年1月3日，電動汽車重點專項總體專家組工作會議在北京召開，會議針對國內(nèi)外電動汽車技術(shù)發(fā)展動態(tài)和電動汽車重點專項下一步發(fā)展思路進(jìn)行了研討。 2014年1月3日，電動汽車重點專項總體專家組工
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國內(nèi)自主研發(fā)最高壓IGBT芯片及模塊面世 上半年投產(chǎn)
近日，由株洲南車時代電氣股份有限公司自主研發(fā)的6500伏高壓IGBT芯片及模塊在株洲通過省級鑒定。來自中國工程院、中國科學(xué)院的3位院士以及中科院微電子所、南京大學(xué)、中南大學(xué)等單位的專家認(rèn)為，該產(chǎn)品具有耐高壓、損
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21ic新聞大爆炸：新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈
1、新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足今后在從事GaN功率元件的半導(dǎo)體廠商之間，估計會展開激烈的價格競爭。尤其是韓國、中國大陸和臺灣等亞洲半導(dǎo)體廠商全面涉足GaN功率元件業(yè)務(wù)之后，價格競爭將更為激
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國內(nèi)電壓最高IGBT芯片研制成功
今天，由株洲南車時代電氣股份有限公司自主研發(fā)的6500伏高壓IGBT芯片及模塊在株洲通過省級鑒定。來自中國工程院、中國科學(xué)院的3位院士以及中科院微電子所、南京大學(xué)、中南大學(xué)等單位的專家認(rèn)為，該產(chǎn)品具有耐高壓、損
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光伏逆變器市場整合在即
【導(dǎo)讀】據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)IHS iSuppli旗下IMS Research相關(guān)報告透露，隨著光伏逆變器供應(yīng)市場在2012年進(jìn)一步分化，今年一季度全球十大逆變器供應(yīng)商市場總占有率下滑逾4%。 據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)IHS iSuppli旗下IMS Rese
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我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)
“今年，我們國內(nèi)基地在IGBT器件銷售上突破6萬只的規(guī)模，在新能源裝備、直流輸電等市場份額上也將繼續(xù)擴(kuò)大。有我公司建設(shè)的我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，預(yù)計今年年底能實現(xiàn)投產(chǎn)?！辈①彽つ峥怂刮逯苣曛H，南車時
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我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)
“今年，我們國內(nèi)基地在IGBT器件銷售上突破6萬只的規(guī)模，在新能源裝備、直流輸電等市場份額上也將繼續(xù)擴(kuò)大。有我公司建設(shè)的我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，預(yù)計今年年底能實現(xiàn)投產(chǎn)?！辈①彽つ峥怂刮逯苣曛H，南車時
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我首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)
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將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低
近年來，人們使用的電器產(chǎn)品數(shù)量不斷增多，致使每個家庭內(nèi)的總能耗穩(wěn)步上升，不僅大多數(shù)西方國家是這樣，新興國家亦是如此。與這些能耗相關(guān)的成本也已經(jīng)增加，因為燃料資源
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我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)
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我首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)
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意法半導(dǎo)體“無拖尾電流”600V IGBT突破功率設(shè)計限制
21ic訊 意法半導(dǎo)體的先進(jìn)的V系列600V溝柵式場截止型(trench-gate field-stop)IGBT[1]具有平順、無拖尾電流的關(guān)機(jī)特性，飽和電壓更是低達(dá)1.8V，最大工作結(jié)溫高達(dá)175°C，
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盤點2013電子科技大事記：藍(lán)牙/IC/IGBT征戰(zhàn)沙場
藍(lán)牙4.0超越過往 三大操作系統(tǒng)支持飛速發(fā)展微軟、蘋果等操作系統(tǒng)早已經(jīng)原生支持藍(lán)牙4.0，谷歌也于近日發(fā)布Android 4.3版本，可原生支持Bluetooth Smart Ready技術(shù)。這意味著藍(lán)牙4.0得到了蘋果、谷歌、微軟為代表的三
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盤點2013電子科技大事記：藍(lán)牙/IC/IGBT征戰(zhàn)沙場
藍(lán)牙4.0超越過往 三大操作系統(tǒng)支持飛速發(fā)展 微軟、蘋果等操作系統(tǒng)早已經(jīng)原生支持藍(lán)牙4.0，谷歌也于近日發(fā)布Android 4.3版本，可原生支持Bluetooth Smart Ready技術(shù)。這意味著藍(lán)牙4.0得到了蘋果、谷歌、微軟為
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