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中國高鐵將用上“中國芯” 試驗時速超600公里
中國南車株洲基地建造的國內(nèi)首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片生產(chǎn)線，日前通過專家鑒定，將于今年6月全線投產(chǎn)。這意味著我國打破了國外技術壟斷，掌握了高速列車最核心的技術，中國高鐵將用上“中國芯&
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高鐵“中國芯”即將量產(chǎn)：速度超600km/h
就在人們還在為時速500Km/h的國內(nèi)高鐵實驗列車上線開跑而感到高興的時候，中國的工程師們已經(jīng)在籌劃速度更快的車型。據(jù)《人民日報》報道，中國南車株洲基地建造的國內(nèi)首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片生產(chǎn)線
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IGBT應用電路:高壓變頻電源
高壓變頻電源的主電路采用交-直-交電壓型電路,由大功率全控型電力電子器件IGBT構成橋式逆變電路.控制電路采用脈寬調(diào)制(PWM)技術和單片機(80196KB)控制技術.1.IGBT驅動電路
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IR通用電流感測IC提升整體系統(tǒng)效率
國際整流器公司(International Rectifier，IR)推出堅固耐用的IR25750 通用電流感測IC，并以極纖巧的 SOT23-5L 封裝，為高電流應用提升整體系統(tǒng)效率及大幅節(jié)省空間。要量測流過功率 MOSFET 或 IGBT 的高電流(10到100A
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士蘭微一季報高增長超預期，三大增長點扮靚2014業(yè)績
士蘭微4月16日公布2014年1季報預增公告，2014年1季度歸屬母公司凈利潤預計在1920萬-2180萬，同比增長270%-320%。高增長超預期。 士蘭微業(yè)績驗證半導體行業(yè)持續(xù)向好：2013年是半導體行業(yè)復蘇的起點，今
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電磁爐的成本和能耗進一步降低
【導讀】由英飛凌科技股份公司牽頭的 “InduKOCH”研發(fā)項目的最新成果顯示，電磁爐變得越來越經(jīng)濟和節(jié)能，這一為期三年的項目的研發(fā)團隊包括家用電器零部件供應商E.G.O.集團、不來梅大學電氣驅動電力電子設備學院(IA
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IGBT 模塊應用指南&基本知識(經(jīng)典）
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管(Isolated Gate Bipolar Transistor),它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新型復合電力電子器件。IGBT將MOSFET與GTR的優(yōu)點集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅動
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電磁爐的成本和能耗可以這么低？德國人是這么實現(xiàn)的
2014年4月9日——由英飛凌科技股份公司牽頭的 “InduKOCH”研發(fā)項目的最新成果顯示，電磁爐變得越來越經(jīng)濟和節(jié)能，這一為期三年的項目的研發(fā)團隊包括家用電器零部件供應商E.G.O.集團、不來梅大學
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ST HB系列IGBT有效提升能效 安全性和可靠性
意法半導體的新HB系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT，Insulated-Gate Bipolar Transistors)擁有比競爭對手的高頻產(chǎn)品低達40%的關機能耗，同時可降低達30%的導通損耗。HB系列利用意法半導體的溝柵式場截止型高速晶體管制造工
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意法半導體（ST)推出新HB系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT）
最新的高速絕緣柵雙極晶體管(IGBT)兼具近乎完美的開關能效和650V的寬額定工作電壓，為應用設計提供更高的安全系數(shù)意法半導體的新HB系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT，Insulated-G
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IR推出600V IR25750 SOT-23電流檢測IC 提升效率并節(jié)省空間
全球功率半導體和管理方案領導廠商—國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固耐用的IR25750通用電流檢測IC，配有極纖巧的SOT23-5L封裝，為大電流應用提升整體系統(tǒng)效率并且大幅節(jié)省空間。測量通過
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IGBT高壓大功率驅動和保護電路的應用研究
摘 要：通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅動要求和保護方法等討論，介紹了的一種可驅動高壓大功率IGBT的集成驅動模塊HCPL-3I6J的應用關鍵詞：IGBT;驅動保護電路;電源0
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一種新型實用的 IGBT 驅動電路
摘要：在分析了IGBT 驅動條件的基礎上介紹了幾種常見的 IGBT 驅動電路，并給出了各自的優(yōu)缺點。給出了自行設計的一種簡單、實用的新型IGBT 驅動電路。經(jīng)實踐表明，該電路經(jīng)
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IR推出堅固耐用的600V IR25750 SOT-23電流檢測IC 提升整體系統(tǒng)效率并大幅節(jié)省空間
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固耐用的IR25750通用電流檢測IC，配有極纖巧的SOT23-5L封裝，為大電流應用提升整體系統(tǒng)效率并且大幅節(jié)省
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國內(nèi)首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線將投產(chǎn)
近日，參加第三屆“車迷有約走進南車”活動的近60名火車迷走進中國南車株洲基地，參觀了助力中國高鐵走向“芯時代”的國內(nèi)首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線。從而揭開了高鐵在老百姓心中的神秘面紗。據(jù)中國南車技術專家介紹，
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Vishay發(fā)布用于電機控制等高壓應用的寬體IGBT和MOSFET驅動器
新器件的最短外爬電距離為10mm21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備，以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和
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IGBT如何選型四大步輕松搞定
逆變技術對IGBT的參數(shù)要求并不是一成不變的，逆變技術已從硬開關技術，移相軟開關技術發(fā)展到雙零軟開關技術，各個技術之間存在相輔相成的紐帶關系， 同時具有各自的應用電路要求特點，因而，對開關器件的IGBT的要求各
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大功率IGBT高頻逆變電焊機電路圖
大功率IGBT高頻逆變電焊機電路如下圖所示：
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高壓高功率密度IGBT技術打破國外壟斷實現(xiàn)最高水平
從中國南車獲悉，公司下屬的株洲所舉辦的“高壓高功率密度IGBT芯片及其模塊研究開發(fā)”項目鑒定會上，研制的國內(nèi)唯一一款最大電壓等級、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊首次向外界亮相，該項目代
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IR推出堅固可靠的超高速1400V IGBT 為感應加熱和軟開關應用作出優(yōu)化
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出堅固可靠的超高速1400V溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IRG7PK35UD1PbF，新器件為電磁爐和微波爐等軟開關
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