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TDK針對(duì)500 V系統(tǒng)推出更緊湊的柵極驅(qū)動(dòng)變壓器
TDK株式會(huì)社(東京證券交易所代碼：6762)新近推出愛(ài)普科斯 (EPCOS) EP9系列變壓器(訂購(gòu)代碼：B82804E)。相比于專為IGBT及FET柵極驅(qū)動(dòng)電路而設(shè)計(jì)現(xiàn)有E10EM系列表面貼裝變壓器，新系列元件尺寸更為緊湊，且優(yōu)異性能可滿足500 V系統(tǒng)電壓的嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用要求，同時(shí)具備絕緣性能好、耦合電容超低和耐熱性強(qiáng)的特點(diǎn)。該新系列產(chǎn)品迎合了TDK積極推動(dòng)綠色轉(zhuǎn)型，邁向更加電氣化和可持續(xù)未來(lái)的理念。
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IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應(yīng)用中提供更高能效
制造商和消費(fèi)者都在試圖擺脫對(duì)化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對(duì)于保護(hù)環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢(shì)具有重要意義。電動(dòng)汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場(chǎng)，試圖將商用和農(nóng)業(yè)車輛 (CAV) 改造成由電力驅(qū)動(dòng)。
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在電力電子系統(tǒng)中，IGBT或MOSFET的死區(qū)介紹
在電力電子系統(tǒng)中，特別是使用IGBT或MOSFET等功率元件時(shí)，死區(qū)時(shí)間非常重要。它確保在一個(gè)功率元件關(guān)閉后，另一個(gè)元件才能開(kāi)啟，從而避免同時(shí)導(dǎo)通導(dǎo)致的短路風(fēng)險(xiǎn)。?
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IGBT的工作原理是什么？IGBT兩類短路保護(hù)了解嗎
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)IGBT的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果IGBT是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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IGBT常用的過(guò)流保護(hù)措施有哪些？IGBT開(kāi)關(guān)特性解讀
一直以來(lái)，IGBT都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)?lái)IGBT的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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貿(mào)澤電子開(kāi)售能為電動(dòng)汽車牽引逆變器提供可擴(kuò)展性能的英飛凌HybridPACK Drive G2模塊
2024年11月26日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)售英飛凌的HybridPACK? Drive G2模塊。HybridPACK Drive G2模塊基于HybridPACK Drive G1，在相同的緊湊尺寸下提供更高的功率密度。HybridPACK Drive G2模塊是一款高效率的汽車功率模塊，適用于電動(dòng)汽車 (EV) 以及混合動(dòng)力電動(dòng)汽車 (HEV) 的牽引逆變器。
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IGBT的發(fā)熱功率及散熱系統(tǒng)探討
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT)作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的核心器件，以其高電壓、大電流、高頻率等特性，廣泛應(yīng)用于變頻器、開(kāi)關(guān)電源、軌道交通、電動(dòng)汽車及新能源等領(lǐng)域。然而，隨著IGBT向高功率和高集成度方向發(fā)展，其發(fā)熱問(wèn)題日益突出，對(duì)散熱系統(tǒng)的要求也越來(lái)越高。
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電動(dòng)汽車的DC-DC轉(zhuǎn)換器類型
DC-DC轉(zhuǎn)換器是一種機(jī)電設(shè)備或電路，用于根據(jù)電路要求將直流電壓從一個(gè)電平轉(zhuǎn)換到另一個(gè)電平。作為電力轉(zhuǎn)換器家族的一部分，DC-DC轉(zhuǎn)換器可用于小電壓應(yīng)用，如電池，或高電壓應(yīng)用，如高壓電力傳輸。
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Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專為可持續(xù)發(fā)展、電動(dòng)出行和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用而優(yōu)化設(shè)計(jì)
該系列產(chǎn)品支持多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、電流和電壓范圍
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意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 STGAP3S為 IGBT 和 SiC MOSFET 提供靈活的保護(hù)功能
面向空調(diào)、家電和工廠自動(dòng)化等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電源等能源應(yīng)用的功率控制
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IGBT控制信號(hào)了解嗎？電流對(duì)IGBT的關(guān)斷有什么影響？
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)IGBT的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果IGBT是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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電壓對(duì)關(guān)斷有什么影響？IGBT吸收電路如何優(yōu)化
以下內(nèi)容中，小編將對(duì)IGBT的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)IGBT的了解，和小編一起來(lái)看看吧。
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IGBT吸收電容是什么？IGBT關(guān)斷機(jī)理詳解！
本文中，小編將對(duì)IGBT予以介紹，如果你想對(duì)它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí)，或者想要增進(jìn)對(duì)它的了解程度，不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。
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IGBT如何改善寄生電容，適合高頻操作
在導(dǎo)通特性方面，IGBT的導(dǎo)通損耗由器件導(dǎo)通時(shí)的壓降造成，其參數(shù)為Vce(sat)，隨溫度變化較小。而SiC MOSFET的導(dǎo)通特性表現(xiàn)得更像一個(gè)電阻輸出特性，具有更小的導(dǎo)通損耗，特別是在電流較小的情況下?2。
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基于SIC的MOS、硅MOS和IGBT的特性對(duì)比
高頻工作，可以減小電源系統(tǒng)中電容以及電感或變壓器的體積，降低電源成本，讓電源實(shí)現(xiàn)小型化，美觀化。從而實(shí)現(xiàn)電源的升級(jí)換代。
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IGBT膝電壓是什么？IGBT開(kāi)通延遲過(guò)程詳解
在這篇文章中，小編將為大家?guī)?lái)IGBT的相關(guān)報(bào)道。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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IGBT工作原理是什么？IGBT正向耐壓、反向耐壓了解嗎
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)IGBT的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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HOLTEK新推出HT45R1005電磁爐OTP MCU
Holtek持續(xù)精進(jìn)電磁爐產(chǎn)品技術(shù)開(kāi)發(fā)，再推出更具性價(jià)比的電磁爐OTP MCU?HT45R1005。HT45R1005封裝引腳與HT45F0058相互兼容，相較于前代產(chǎn)品提供更豐富的資源，如硬件輔助UL認(rèn)證功能及臺(tái)階電壓偵測(cè)功能等，同時(shí)也保留前代產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，如電磁爐所需的硬件保護(hù)電路(電壓/電流浪涌保護(hù)、IGBT過(guò)壓保護(hù))、PPG含硬件抖頻功能，使電磁爐工作于高功率時(shí)，可以有效減小IGBT反壓以及降低EMI電磁干擾，減少抗EMI元件成本，并通過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。
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IGBT模塊吸收電容參數(shù)設(shè)計(jì)，IGBT 模塊失效機(jī)理分析
IGBT模塊將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象，通過(guò)這篇文章，小編希望大家可以對(duì)IGBT模塊的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算：深入探討與公式解析
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為電力電子領(lǐng)域的核心元件，其損耗與結(jié)溫的計(jì)算對(duì)于電路的設(shè)計(jì)與優(yōu)化至關(guān)重要。本文將從IGBT的損耗類型出發(fā)，詳細(xì)闡述其計(jì)算方法，并進(jìn)一步探討結(jié)溫的計(jì)算公式與步驟，以期為工程師們提供有益的參考。
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朱德榮
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