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上半年中國經(jīng)濟(jì)出現(xiàn)回暖，飛捷大量備貨大功率IGBT
“中國PMI指數(shù)連續(xù)六個月回升，意味著中國經(jīng)濟(jì)很可能已企穩(wěn)回暖”，中國統(tǒng)計局長馬建堂近期如是表示。對于已經(jīng)走完2009年上半年的中國經(jīng)濟(jì)，官員和學(xué)者都紛紛強調(diào)已經(jīng)出現(xiàn)回暖的跡象，中國政府推出的一攬子調(diào)控措施成
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使用柵極電阻控制IGBT的開關(guān)
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓（VG(
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電力電子業(yè)突破技術(shù)瓶頸任重道遠(yuǎn)
近年來，我國電力電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平不斷提高，應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛，已逐漸成為國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中基礎(chǔ)性的支柱產(chǎn)業(yè)之一。隨著電力電子器件產(chǎn)業(yè)日益受到國家的重視，國家對其生產(chǎn)企業(yè)和科研機構(gòu)的扶持力度也在逐步加大。
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使用柵極電阻控制IGBT的開關(guān)
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓（VG(
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電力電子業(yè)突破技術(shù)瓶頸任重道遠(yuǎn)
近年來，我國電力電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平不斷提高，應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛，已逐漸成為國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中基礎(chǔ)性的支柱產(chǎn)業(yè)之一。隨著電力電子器件產(chǎn)業(yè)日益受到國家的重視，國家對其生產(chǎn)企業(yè)和科研機構(gòu)的扶持力度也在逐步加大。
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電源管理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國大有盼頭
在分析中國電源管理半導(dǎo)體市場之前，讓我們先看看全球的情況。iSuppli認(rèn)為，2009年前景比較光明，預(yù)計電源管理市場比2008年增長6%，高于2008年的增長率。開關(guān)穩(wěn)壓器和低電壓功率MOSFET將在未來五年內(nèi)快速增長，但iSu
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DZW75-48/50(50II)高頻變換電路
高頻變換器采用全橋型結(jié)構(gòu)，4個臂上的IGBT分別由4個相互隔離的驅(qū)動器驅(qū)動，它們的工作電源為300V，在驅(qū)動脈沖作用下，兩個對角上的高頻開關(guān)管輪流同時導(dǎo)通，或同時截止，從而在主變壓器的初、次級獲得高頻脈沖電壓
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IGBT直接串聯(lián)高壓變頻器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
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IGBT在CO2氣體保護(hù)焊電源中的應(yīng)用
1.為了能夠?qū)Χ搪愤^程進(jìn)行精確控制,主電路采用工作頻率很高的IGBT作為開關(guān)功率器件．CO2氣體保護(hù)焊電源的主電路采用全橋式的結(jié)構(gòu)． 2.80C196KB控制系統(tǒng)構(gòu)成原理框圖
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IGBT軟開關(guān)逆變式弧焊電源主電路
IGBT軟開關(guān)逆變式弧焊電源主電路(IGBT電路圖):
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華微電子募資項目新型6英寸半導(dǎo)體生產(chǎn)線試運行
11月5日，華微電子宣布公司募集資金項目新型6英寸功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線通線并試運行，標(biāo)志國內(nèi)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的MOS技術(shù)在吉林市開始應(yīng)用在6英寸生產(chǎn)線上。 新型功率半導(dǎo)體器件在生產(chǎn)制造技術(shù)上采用大規(guī)模集成電
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華微電子六英寸線投產(chǎn)試運行
華微電子(600360)六英寸新型功率半導(dǎo)體器件項目設(shè)備已經(jīng)安裝調(diào)試完畢，日前正式通線并投入試運行。此舉將公司在新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)向前推進(jìn)了一大步。公司董事長夏增文表示，六英寸項目通線后，將加
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高性能、高能效的IGBT
