IGBT

電力電子業(yè)突破技術(shù)瓶頸任重道遠(yuǎn)

近年來，我國(guó)電力電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平不斷提高，應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛，已逐漸成為國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中基礎(chǔ)性的支柱產(chǎn)業(yè)之一。隨著電力電子器件產(chǎn)業(yè)日益受到國(guó)家的重視，國(guó)家對(duì)其生產(chǎn)企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)的扶持力度也在逐步加大。

使用柵極電阻控制IGBT的開關(guān)

1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓（VG(

電力電子業(yè)突破技術(shù)瓶頸任重道遠(yuǎn)

近年來，我國(guó)電力電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平不斷提高，應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛，已逐漸成為國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中基礎(chǔ)性的支柱產(chǎn)業(yè)之一。隨著電力電子器件產(chǎn)業(yè)日益受到國(guó)家的重視，國(guó)家對(duì)其生產(chǎn)企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)的扶持力度也在逐步加大。

電源管理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)大有盼頭

在分析中國(guó)電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)之前，讓我們先看看全球的情況。iSuppli認(rèn)為，2009年前景比較光明，預(yù)計(jì)電源管理市場(chǎng)比2008年增長(zhǎng)6%，高于2008年的增長(zhǎng)率。開關(guān)穩(wěn)壓器和低電壓功率MOSFET將在未來五年內(nèi)快速增長(zhǎng)，但iSu

DZW75-48/50(50II)高頻變換電路

高頻變換器采用全橋型結(jié)構(gòu)，4個(gè)臂上的IGBT分別由4個(gè)相互隔離的驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，它們的工作電源為300V，在驅(qū)動(dòng)脈沖作用下，兩個(gè)對(duì)角上的高頻開關(guān)管輪流同時(shí)導(dǎo)通，或同時(shí)截止，從而在主變壓器的初、次級(jí)獲得高頻脈沖電壓

IGBT直接串聯(lián)高壓變頻器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

IGBT在CO2氣體保護(hù)焊電源中的應(yīng)用

　　1.為了能夠?qū)Χ搪愤^程進(jìn)行精確控制,主電路采用工作頻率很高的IGBT作為開關(guān)功率器件．CO2氣體保護(hù)焊電源的主電路采用全橋式的結(jié)構(gòu)． 2.80C196KB控制系統(tǒng)構(gòu)成原理框圖

IGBT軟開關(guān)逆變式弧焊電源主電路

IGBT軟開關(guān)逆變式弧焊電源主電路(IGBT電路圖):

華微電子募資項(xiàng)目新型6英寸半導(dǎo)體生產(chǎn)線試運(yùn)行

11月5日，華微電子宣布公司募集資金項(xiàng)目新型6英寸功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線通線并試運(yùn)行，標(biāo)志國(guó)內(nèi)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的MOS技術(shù)在吉林市開始應(yīng)用在6英寸生產(chǎn)線上。 新型功率半導(dǎo)體器件在生產(chǎn)制造技術(shù)上采用大規(guī)模集成電

華微電子六英寸線投產(chǎn)試運(yùn)行

華微電子(600360)六英寸新型功率半導(dǎo)體器件項(xiàng)目設(shè)備已經(jīng)安裝調(diào)試完畢，日前正式通線并投入試運(yùn)行。此舉將公司在新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)向前推進(jìn)了一大步。公司董事長(zhǎng)夏增文表示，六英寸項(xiàng)目通線后，將加

高性能、高能效的IGBT

高性能、高能效的IGBT