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CY8C22545的觸摸按鍵電磁爐設(shè)計(jì)
1.引言 電容感應(yīng)方式的觸摸按鍵有很多優(yōu)點(diǎn)，由于不需要機(jī)械結(jié)構(gòu)，相比傳統(tǒng)的機(jī)械按鍵和薄膜按鍵，觸摸式按鍵有著不可比擬的優(yōu)勢，并由此帶來了時(shí)尚美觀的外觀設(shè)計(jì)。目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品。越
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柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性的性能影響分析
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(
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功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐
過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因?yàn)榧呻娐返淖饔檬墙邮芎吞幚硇畔?，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器
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智能IGBT在汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的應(yīng)用
要產(chǎn)生火花，所需的器件包括電源、電池、變壓器（即點(diǎn)火線圈），以及用于控制變壓器初級電流的開關(guān)。電子學(xué)教科書告訴我們V=Ldi/dt。因此，如果線圈初級繞組中的電流發(fā)生瞬間變化（即di/dt值很大），初級繞組上將產(chǎn)生
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扶持政策出臺 高壓變頻上游利好
據(jù)悉，在高壓變頻器中，約有一半的成本來自絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等電力電子元器件。相比中低壓變頻器，這類產(chǎn)品的價(jià)格與質(zhì)量對高壓變頻器而言要重要得多。因此高壓變頻器廠商對電力電子元器件行業(yè)的關(guān)注從來沒
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半導(dǎo)體的供應(yīng)不足將持續(xù)到何時(shí)？
半導(dǎo)體廠商的訂單額在2010年1～3月激增后，4～6月一直為橫盤走勢（圖1）。也就是說，訂單額從“雷曼事件”后的2009年4月開始一直處于持續(xù)增加的趨勢，但近來已轉(zhuǎn)為不升不降。由此，認(rèn)為半導(dǎo)體市場的供需正趨于平衡就
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士蘭微擬1.35億元組建功率模塊生產(chǎn)線項(xiàng)目
士蘭微擬同意在子公司士蘭集成內(nèi)組建多芯片高壓功率模塊制造生產(chǎn)線，計(jì)劃從2010年起在未來的2--3年內(nèi)安排投資13,500萬元，其中2010年投資2,500萬元。士蘭微7月29日發(fā)布公告稱，公司第四屆董事會第九次會議審議通過《
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光隔離IGBT柵驅(qū)動（Avago）
Avago Technologies宣布推出2.5A最大輸出驅(qū)動ACPL-H342和ACPL-K342光隔離IGBT柵驅(qū)動，該產(chǎn)品帶有嵌入式米勒箝位、軌至軌輸出電壓、欠壓鎖存(UVLO)電路和保護(hù)免受IGBT跨導(dǎo)和電流“直通”的影響，以便保證電源逆變器和
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家電智能功率模塊單驅(qū)動電源方案
由于雙列直插式(DIP)智能功率模塊(IPM)內(nèi)置高壓集成電路(HVIC)，使采用單一控制電源供電成為可能。對控制電源的性能指標(biāo)要求為：+15V(+-10%)，dv/dt≤(1V/us，V紋波>≤2Vp-p。HVIC器件通常會忽略掉脈寬<50ns、
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感應(yīng)加熱用IGBT超音頻電源
1引言 感應(yīng)加熱是將工件直接加熱，它具有效率高，作業(yè)條件好，溫度容易控制，金屬燒損小，無需預(yù)熱等優(yōu)點(diǎn)。 傳統(tǒng)的感應(yīng)加熱設(shè)備應(yīng)用的電力電子器件是電子管和快速晶閘管。電子管電壓高，穩(wěn)定性差，幅射強(qiáng)，效率低，已
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基于矩陣變換器IGBT的集中式過流保護(hù)電路設(shè)計(jì)
摘要：分別針對矩陣變換器的整流級和逆變級IGBT的過流現(xiàn)象進(jìn)行了討論，提出了一種新的集中式過流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方式。該方式可確保IGBT在短路情況下及時(shí)被關(guān)斷，從而安全穩(wěn)定地運(yùn)行。試驗(yàn)結(jié)果表明：新的集中式過流保
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馬達(dá)設(shè)計(jì)原理及技巧
現(xiàn)今的可調(diào)速驅(qū)動電路都采用變頻器來調(diào)整輸出電流，以滿足三相馬達(dá)的要求。變頻器的形狀大小通常會受到應(yīng)用的限制。在許多情況下，電路板與馬達(dá)靠得很近，而馬達(dá)構(gòu)造的高度也會受限。另外，所用高功率半導(dǎo)體器件的物
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功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天
功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達(dá)到23.2%. MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，
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新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過采用和改進(jìn)溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終
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功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天
功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達(dá)到23.2%. MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，
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新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過采用和改進(jìn)溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終
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基于單片機(jī)和PSD設(shè)計(jì)的數(shù)制化電源
摘 要： 根據(jù)單片機(jī)80C196KC和現(xiàn)場可編程系統(tǒng)器件PSD302的特性，設(shè)計(jì)了一種數(shù)制化電源裝置，提供了程序框圖，并對其進(jìn)行了諧波分析。它是一種高性能的通用裝置，可替代傳統(tǒng)的PWM逆變電源。 隨著現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展和社會
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馬達(dá)設(shè)計(jì)的技巧
現(xiàn)今的可調(diào)速驅(qū)動電路都采用變頻器來調(diào)整輸出電流，以滿足三相馬達(dá)的要求。變頻器的形狀大小通常會受到應(yīng)用的限制。在許多情況下，電路板與馬達(dá)靠得很近，而馬達(dá)構(gòu)造的高度也會受限。另外，所用高功率半導(dǎo)體器件的物理性質(zhì)和所選封裝的形狀，也要求電路板上有足夠的位置空間。功率半導(dǎo)體開關(guān)工作期間產(chǎn)生的電壓、電流交疊會造成損耗，必須將其消除。雖然功率耗散問題可以通過加設(shè)散熱片而得到改善，但這也會限制半導(dǎo)體器件在電路板上的布局安排。
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基于單片機(jī)和PSD設(shè)計(jì)的數(shù)制化電源
摘 要： 根據(jù)單片機(jī)80C196KC和現(xiàn)場可編程系統(tǒng)器件PSD302的特性，設(shè)計(jì)了一種數(shù)制化電源裝置，提供了程序框圖，并對其進(jìn)行了諧波分析。它是一種高性能的通用裝置，可替代傳統(tǒng)的PWM逆變電源。 隨著現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展和社會
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馬達(dá)設(shè)計(jì)的技巧
現(xiàn)今的可調(diào)速驅(qū)動電路都采用變頻器來調(diào)整輸出電流，以滿足三相馬達(dá)的要求。變頻器的形狀大小通常會受到應(yīng)用的限制。在許多情況下，電路板與馬達(dá)靠得很近，而馬達(dá)構(gòu)造的高度也會受限。另外，所用高功率半導(dǎo)體器件的物理性質(zhì)和所選封裝的形狀，也要求電路板上有足夠的位置空間。功率半導(dǎo)體開關(guān)工作期間產(chǎn)生的電壓、電流交疊會造成損耗，必須將其消除。雖然功率耗散問題可以通過加設(shè)散熱片而得到改善，但這也會限制半導(dǎo)體器件在電路板上的布局安排。
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