IGBT

基于單片機和PSD設(shè)計的數(shù)制化電源

摘 要： 根據(jù)單片機80C196KC和現(xiàn)場可編程系統(tǒng)器件PSD302的特性，設(shè)計了一種數(shù)制化電源裝置，提供了程序框圖，并對其進行了諧波分析。它是一種高性能的通用裝置，可替代傳統(tǒng)的PWM逆變電源。 隨著現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展和社會

馬達設(shè)計的技巧

現(xiàn)今的可調(diào)速驅(qū)動電路都采用變頻器來調(diào)整輸出電流，以滿足三相馬達的要求。變頻器的形狀大小通常會受到應(yīng)用的限制。在許多情況下，電路板與馬達靠得很近，而馬達構(gòu)造的高度也會受限。另外，所用高功率半導(dǎo)體器件的物理性質(zhì)和所選封裝的形狀，也要求電路板上有足夠的位置空間。功率半導(dǎo)體開關(guān)工作期間產(chǎn)生的電壓、電流交疊會造成損耗，必須將其消除。雖然功率耗散問題可以通過加設(shè)散熱片而得到改善，但這也會限制半導(dǎo)體器件在電路板上的布局安排。

汽車級IGBT在混合動力車中的設(shè)計應(yīng)用

針對汽車功率模塊需求，英飛凌通過增強IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性，并增加IGBT結(jié)構(gòu)強度，大大提高了IGBT的壽命預(yù)期。 混合動力車輛中功率半導(dǎo)體模塊的要求 工作環(huán)境惡劣(高溫、振動) IGBT位于逆

汽車級IGBT在混合動力車中的設(shè)計應(yīng)用

針對汽車功率模塊需求，英飛凌通過增強IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性，并增加IGBT結(jié)構(gòu)強度，大大提高了IGBT的壽命預(yù)期。 混合動力車輛中功率半導(dǎo)體模塊的要求 工作環(huán)境惡劣(高溫、振動) IGBT位于逆

第三代高速600V和1200V IGBT（英飛凌）

英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3（第三代）IGBT產(chǎn)品系列。該系列經(jīng)過優(yōu)化，適用于高頻和硬開關(guān)應(yīng)用，在降低開關(guān)損耗、實現(xiàn)出類拔萃的效率方面，樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，并可滿足開關(guān)頻率高達100 kHz的應(yīng)用需

飛兆半導(dǎo)體技術(shù)專家闡釋功率電子技術(shù)未來發(fā)展趨勢

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的技術(shù)專家將與來自電子界和學(xué)術(shù)界的專家一起，于2010年6月1至3日在上海舉辦的PCIM China 2010展會上發(fā)表演說，闡述功率電子技術(shù)的最新發(fā)展?fàn)顩r和未來的發(fā)展趨勢。 飛兆

華潤微電子IGBT工藝平臺通過產(chǎn)品設(shè)計驗證

由中國科學(xué)院微電子研究所（以下簡稱“中科院微電子所”）設(shè)計研發(fā)的絕緣柵控雙極晶體管（“Insulated Gate Bipolar Transistor ，簡稱IGBT”）系列產(chǎn)品于日前在華潤微電子有限公司（以下簡稱“華潤微電子”）的工藝

如何為電路設(shè)計選擇適合的IGBT

什么是IGBT？其工作原理是什么？為什么大家要選擇IGBT？它的優(yōu)勢是什么？一系列疑問的拋出，在3月5日第十五屆國際集成電路研討會暨展覽會(IIC-China2010)上，國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)公司給出

BUCK電路拓?fù)?/a>

單象限降壓型電路

單象限降壓型電路T是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT),當(dāng) 時,T導(dǎo)通 D:續(xù)流二極管 L0和C0組成LPF 二.工作原理 當(dāng) 時,控制信號使得T導(dǎo)通,D截止,向L0充磁,向C0充電 當(dāng)

基于提高太陽能逆變器的轉(zhuǎn)換效率的解決方案

I.　引言/摘要 由于對可再生能源的需求，太陽能逆變器 (光電逆變器) 的市場正在不斷增長。而這些逆變器需要極高的效率和可靠性。本文對這些逆變器中采用的功率電路進行了考察，并推薦了針對開關(guān)和整流器件的最佳

從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機理

摘要：本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機理。討論了短路持續(xù)時間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。關(guān)鍵詞：安全工作區(qū) 失效機理 短路電流Tsc1、 引言半

IGBT及其子器件的幾種失效模式

摘要：本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷

優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽能逆變器

隨著綠色電力運動勢頭不減，包括家電、照明和電動工具等應(yīng)用，以至其他工業(yè)用設(shè)備都在盡可能地利用太陽能的優(yōu)點。為了有效地滿足這些產(chǎn)品的需求，電源設(shè)計師正通過最少數(shù)量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽能源轉(zhuǎn)換成所需的交流或者直流電壓。

優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽能逆變器

隨著綠色電力運動勢頭不減，包括家電、照明和電動工具等應(yīng)用，以至其他工業(yè)用設(shè)備都在盡可能地利用太陽能的優(yōu)點。為了有效地滿足這些產(chǎn)品的需求，電源設(shè)計師正通過最少數(shù)量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽能源轉(zhuǎn)換成所需的交流或者直流電壓。

英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議

英飛凌科技股份公司宣布，公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的

英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議

英飛凌科技股份公司宣布，公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的

四象限變頻器技術(shù)介紹

1、 引言在上個世紀(jì)80年代末，交流變頻調(diào)速逐漸登上了工業(yè)傳動調(diào)速方式的歷史舞臺。變頻調(diào)速在調(diào)速范圍、調(diào)速精度、控制靈活、工作效率、使用方便等方面都有很大的優(yōu)點，這使變頻調(diào)速成為最有發(fā)展前途的一種交流調(diào)速

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1、 引言在上個世紀(jì)80年代末，交流變頻調(diào)速逐漸登上了工業(yè)傳動調(diào)速方式的歷史舞臺。變頻調(diào)速在調(diào)速范圍、調(diào)速精度、控制靈活、工作效率、使用方便等方面都有很大的優(yōu)點，這使變頻調(diào)速成為最有發(fā)展前途的一種交流調(diào)速

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