MEMORY

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爾必達(dá)記憶體維持財年資本支出計劃在800億日圓不變

日本最大動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)生產(chǎn)商爾必達(dá)記憶體(Elpida Memory)近日稱,維持截至3月財年800億日圓(11億美元)的資本支出計劃不變.該公司稱,預(yù)計當(dāng)前季度記憶體芯片出貨量將增長約5%,上季增幅為16%.其并稱,若日圓

消費電子
2011-10-28

爾必達(dá) 芯片 DRAM MEMORY
蘋果官網(wǎng)曝光新款MacBook Pro上市時間？

繼蘋果訂貨系統(tǒng)出現(xiàn)新款MacBook Pro內(nèi)部代號后，今天國外媒體又意外發(fā)現(xiàn)稱，蘋果官網(wǎng)泄露了它們上市的時間。有用戶在蘋果官網(wǎng)搜索MacBook Pro時，信息中出現(xiàn)了兩個神秘的條目即“Macbook Pro Memory Model&rdqu

通信技術(shù)
2011-10-18

蘋果 MACBOOK MODEL MEMORY
美國信用評級遭降加重亞洲科技企業(yè)匯率負(fù)擔(dān)

據(jù)國外媒體報道，美國信用評級被由AAA級下調(diào)至AA+級后加重了亞洲科技企業(yè)的匯率負(fù)擔(dān)，受此影響最為嚴(yán)重的就是日本大型科技出口企業(yè)。在標(biāo)準(zhǔn)普爾將美國長期債務(wù)評級下調(diào)至AA+后，由于投資者拋售美元，導(dǎo)致日元兌美元匯

半導(dǎo)體
2011-08-14

軟件 CE 爾必達(dá) MEMORY
夢想電子：從拓寬和加深兩方面加強增值服務(wù)

去年缺貨潮為分銷行業(yè)帶來了一片繁榮，夢想電子也不例外，銷售額增長率高于行業(yè)平均水平，達(dá)到50%，營業(yè)收入也實現(xiàn)4.5億元人民幣。夢想電子目前代理產(chǎn)品線數(shù)量超過二十條，多數(shù)產(chǎn)品線屬于半導(dǎo)體通用IC和分立器件，

消費電子
2011-07-22

電子工控 LED照明 MEMORY
東芝欲取代三星成為全球第一大閃存制造商

（中濤）北京時間7月12日消息，據(jù)路透社報道，東芝總裁佐佐木則夫(Norio Sasaki)近日表示，東芝希望不久超過韓國三星電子，進(jìn)而成為全球第一大閃存(flash memory)產(chǎn)品制造商。佐佐木則夫在視察日本一家新建芯片

消費電子
2011-07-13

三星東芝 Flash MEMORY
內(nèi)存芯片商爾必達(dá)欲拋售近10億美元股票和債券

據(jù)國外媒體報道，爾必達(dá)可能拋售價值近10億美元股票和債券，股價日前暴跌。世界上第三大電腦內(nèi)存芯片制造商爾必達(dá)（Elpida Memory Inc），計劃通過拋售股票和可轉(zhuǎn)換公司債券來融資797億日元（合9.87億美元）。在消息

消費電子
2011-07-13

三星電子內(nèi)存芯片爾必達(dá) MEMORY
Samsung (Memory) 三星第一款使用PRAM的MCP

三星第一款使用PRAM的MCP 此款三星的 512Mb MCP PRAM 與 40nm NOR Flash的軟硬件功能皆相容，此MCP可帶給移動電話設(shè)計人員相當(dāng)?shù)谋憷浴ｎA(yù)計PRAM將成為在NOR Flash之后消費性電子設(shè)計使用的主要內(nèi)存技術(shù)。

智能硬件
2011-06-22

RAM SAMSUNG MCP MEMORY
存儲器IC分類的糾結(jié)

說起存儲器IC的分類，大家馬上想起可以分為RAM和ROM兩大類。 RAM是Random Access Memory的縮寫，翻譯過來就是隨機存取存儲器，隨機存取可以理解為能夠高速讀寫。常見的RAM又可以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRA

充電吧
2011-06-14

存儲器非易失性存儲器 IC MEMORY
盛群推出錄放音Flash type IC HT83F22

21ic訊盛群半導(dǎo)體推出全新的錄放音Flash type IC HT83F22。HT83F22是一款可錄/放音的Flash Voice MCU。外掛標(biāo)準(zhǔn)的SPI Flash Memory，客戶可根據(jù)不同的應(yīng)用情況,彈性地選擇不同容量的SPI Flash Memory。HT83F22內(nèi)含盛

單片機
2011-06-07

Flash IC SPI MEMORY
聯(lián)發(fā)科技推出Memory-Less手機單芯片解決方案MT6252D

21ic訊聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（MediaTek, Inc.）宣布推出MT6252D解決方案，除支持豐富的多媒體規(guī)格，更進(jìn)一步提升MT6252系列的超高性價比。聯(lián)發(fā)科技MT6252D 將串行內(nèi)存（Serial flash）集成在芯片中，成為全球首款m

消費電子
2011-05-23

聯(lián)發(fā)科技芯片 MEMORY
Infinite Memory：以O(shè)TP NAND拳頭產(chǎn)品亮相IIC

關(guān)鍵字： Infinite Memory OTP NAND Infinite Memory是一家以色列Fabless公司，在IIC上展出了兩款OPT閃存，不可重寫且防病毒，雖然只

消費電子
2011-03-02

NAND IIC INFINITE MEMORY
硅CMOS技術(shù)可擴展到10nm以下

“硅CMOS技術(shù)完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。半導(dǎo)體制造技術(shù)國際會議

電子設(shè)計自動化
2010-12-14

CMOS NAND閃存 ADVANCED MEMORY
三星主題演講:通過導(dǎo)入新技術(shù)，硅CMOS可延長至10nm以下工藝

“硅CMOS技術(shù)完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器（ReRAM）以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。半導(dǎo)體制造技術(shù)國際會議“2

模擬
2010-12-09

三星 CMOS NAND閃存 MEMORY
憶阻器技術(shù)準(zhǔn)備邁向商業(yè)化

惠普(HP)近日宣布與韓國業(yè)者海力士(Hynix)簽署合作研發(fā)協(xié)議，旨在將憶阻器(memristor)技術(shù)商業(yè)化；這兩家公司將共同開發(fā)新的材料與制程整合技術(shù)，好將HP的憶阻器技術(shù)由研發(fā)階段，推向以電阻式隨機存取內(nèi)存(resistive

模擬
2010-09-06

內(nèi)存憶阻器 HP MEMORY
PDMA在測試SDRAM控制器中的應(yīng)用

我們設(shè)計了一個PDMA（Programmable Direct Mem o ry Access）用于測試SDRAM控制器的性能。在SoC中，SDRAM控制器往往跟多個IP模塊（圖形處理單元，音頻處理單元等）交換數(shù)據(jù)，采用多個PDMA通道同時訪問Memory可以真實

測試測量
2010-08-08

DMA PD SDRAM控制器 MEMORY
英飛凌與爾必達(dá)就專利侵權(quán)訴訟達(dá)成和解

英飛凌科技股份公司宣布，該公司與爾必達(dá)公司（Elpida Memory Icn.）就專利侵權(quán)訴訟達(dá)成和解。英飛凌與爾必達(dá)均同意撤消所有未決專利侵權(quán)訴訟。英飛凌于2010年2月向美國國際貿(mào)易委員會（ITC）遞交起訴書，起訴爾必達(dá)

通信技術(shù)
2010-05-21

英飛凌專利侵權(quán) 爾必達(dá) MEMORY
WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整

WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整

嵌入式軟件
2010-04-05

WinCE 內(nèi)存 OBJECT MEMORY
WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整

WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整

嵌入式教程
2010-04-05

WinCE 內(nèi)存 OBJECT MEMORY
智能卡市場：Memory卡急劇萎縮，CPU卡成為主流

根據(jù)全球知名增長咨詢公司 Frost & Sullivan的研究，2009年全球智能卡出貨量將超過40億。在全球金融危機的負(fù)面影響下，仍保持了平穩(wěn)的增長勢頭。亞太領(lǐng)銜全球智能卡應(yīng)用美國是世界上半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最發(fā)達(dá)的國家，

智能硬件
2010-01-19

電信 CPU 智能卡 MEMORY
爾必達(dá)與茂德科技簽署DRAM芯片生產(chǎn)外包協(xié)議

爾必達(dá)(Elpida Memory Inc.,)周五表示，已經(jīng)與臺灣的茂德科技(ProMOS Technologies Inc.,)簽署了一項DRAM芯片生產(chǎn)外包協(xié)議。爾必達(dá)表示，根據(jù)這項協(xié)議，在試運行于2010年上半年完成后，茂德科技將從2010年下半年開

模擬
2009-11-06

芯片生產(chǎn) DRAM芯片爾必達(dá) MEMORY

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18503088884
風(fēng)云ljh
mounthill
timixiaoyouxi
shell.albert
Benjaminsein
xiaokefei
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jasonyeh333
江陽
朱德榮
Afei1106
tianxing008
caoqing
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asd1006461468
wangshujun
瞎折騰
DESERT134
wx85105157

MEMORY

爾必達(dá)記憶體維持財年資本支出計劃在800億日圓不變

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PDMA在測試SDRAM控制器中的應(yīng)用

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