MEMS
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牛尾電機開發(fā)出三款曝光裝置，面向TSV、MEMS及功率半導體
“UX4-3Di FFPL300” （點擊放大） “UX4-MEMS FFPL200”和“UX4-ECO FFPL150”（兩款機型的概觀相同）（點擊放大） 牛尾電機宣布，該公司開發(fā)出了模塊全域等倍曝光裝置“UX4”系列的3款機型，將在“Semicon J
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MEMS力拼10自由度，運動傳感器成為大熱門
引言：傳感器融合將為高精度運動檢測在手機、導航系統(tǒng)、游戲機等便攜電子設備內(nèi)的應用創(chuàng)造更多新機會，空中鼠標、智能遙控器、LBS等都是未來十分看好的應用。就在各種6自由度、9自由度器件不斷問世之際，10自由度MEM
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MEMS/NEMS表面3-D輪廓測量中基于模板的相位解包裹算法
相位解包裹是使用相移顯微干涉法測量MEMS/NEMS表面3-D輪廓時的重要步驟.本文針對普通的相位解包裹方 法在復雜輪廓或包含非理想數(shù)據(jù)區(qū)的表面輪廓測量中的局限性,提出一種基于模板的廣度優(yōu)先搜索相位展開方法.通過模板 的使用,先將非相容區(qū)域標記出來,在相位解包裹的過程中繞過這些區(qū)域,即可得到準確可靠的相位展開結果.通過具體的應 用實例可以證明,使用不同模板可以根據(jù)不同應用的需要靈活而準確地實現(xiàn)微納結構表面3-D輪廓測量中的相位展開. 關鍵詞:MEMS/NEMS;表面輪廓測量;模板;相位解包裹;邊緣檢測
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基于MEMS的LED芯片封裝光學特性分析
本文提出了一種基于MEMS的LED芯片封裝技術，利用體硅工藝在硅基上形成的凹槽作為封裝LED芯片的反射腔。分析了反射腔對LED的發(fā)光強度和光束性能的影響，分析結果表明該反射腔可以提高芯片的發(fā)光效率和光束性能；討論了反射腔的結構參數(shù)與芯片發(fā)光效率之間的關系。最后設計r封裝的工藝流程。利用該封裝結構可以降低芯片的封裝尺，提高器件的發(fā)光效率和散熱特性。
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IDT展示全球首款商用壓電MEMS振蕩器
擁有模擬和數(shù)字領域的優(yōu)勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已開發(fā)并展示全球首款納入壓電微機電系統(tǒng)(pMEMS)諧振器的商用振
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MEMS/NEMS表面3-D輪廓測量中基于模板的相位解包裹算法
相位解包裹是使用相移顯微干涉法測量MEMS/NEMS表面3-D輪廓時的重要步驟.本文針對普通的相位解包裹方 法在復雜輪廓或包含非理想數(shù)據(jù)區(qū)的表面輪廓測量中的局限性,提出一種基于模板的廣度優(yōu)先搜索相位展開方法.通過模板 的使用,先將非相容區(qū)域標記出來,在相位解包裹的過程中繞過這些區(qū)域,即可得到準確可靠的相位展開結果.通過具體的應 用實例可以證明,使用不同模板可以根據(jù)不同應用的需要靈活而準確地實現(xiàn)微納結構表面3-D輪廓測量中的相位展開. 關鍵詞:MEMS/NEMS;表面輪廓測量;模板;相位解包裹;邊緣
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基于MEMS的LED芯片封裝光學特性分析
本文提出了一種基于MEMS的LED芯片封裝技術，利用體硅工藝在硅基上形成的凹槽作為封裝LED芯片的反射腔。分析了反射腔對LED的發(fā)光強度和光束性能的影響，分析結果表明該反射腔可以提高芯片的發(fā)光效率和光束性能；討論了反射腔的結構參數(shù)與芯片發(fā)光效率之間的關系。最后設計r封裝的工藝流程。利用該封裝結構可以降低芯片的封裝尺，提高器件的發(fā)光效率和散熱特性。
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IDT 展示全球首款商用壓電 MEMS 振蕩器
擁有模擬和數(shù)字領域的優(yōu)勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已開發(fā)并展示全球首款納入壓電微機電系統(tǒng)（pMEMS）諧振器的商用振蕩
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ADI 推出戰(zhàn)術級10自由度 MEMS IMU-ADIS16488
第三代 iSensor(r) MEMS IMU(慣性測量單元)ADIS16488，不懼惡劣環(huán)境 北京2011年12月1日電 /美通社亞洲/ -- Analog Devices, Inc. (ADI)，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最近正式全面推出第三代iSensor
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ADI推出戰(zhàn)術級10自由度MEMS IMU-ADIS16488
Analog Devices, Inc. (ADI)，最近正式全面推出第三代iSensor® MEMS IMU（慣性測量單元）ADIS16488，這是一款戰(zhàn)術級10自由度(DoF)傳感器 ，在單封裝中集成一個三軸陀螺儀、一個三軸加速度計、一個三軸磁力
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IDT 展示全球首款商用壓電 MEMS 振蕩器
IDT® 公司 宣布，已開發(fā)并展示全球首款納入壓電微機電系統(tǒng)（pMEMS）諧振器的商用振蕩器。該振蕩器利用 pMEMS 諧振器與生俱來的高頻率，使其適合在任何應用中替代傳統(tǒng)的石英振蕩器。IDT 的 pMEMS 諧振器技術將壓
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MEMS運動處理方案對消費類電子的影響
對設備在三維空間中的運動進行測量及智能處理的運動處理技術，將是下一個重大的革命性技術，會對未來的手持消費電子設備、人機接口、及導航和控制產(chǎn)生重大影響。 這場變革的推動力量是基于微機電系統(tǒng)(MEMS)的消費級
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上海先進半導體：告別被動代工
先進半導體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一，其前身是1988年成立的上海飛利浦半導體公司。 當時，這家位于上海市漕河涇的工廠，產(chǎn)品基本出口。 由于之前發(fā)展的保守與缺乏戰(zhàn)略，從2006年上市后到2009年，
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上海先進半導體：告別被動代工
先進半導體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一，其前身是1988年成立的上海飛利浦半導體公司。當時，這家位于上海市漕河涇的工廠，產(chǎn)品基本出口。由于之前發(fā)展的保守與缺乏戰(zhàn)略，從2006年上市后到2009年，這
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取代石英晶體 MEMS振蕩器難竟全功
微機電系統(tǒng)(MEMS)振蕩器全面取代石英晶體振蕩器的美夢難圓。雖然MEMS振蕩器基于與半導體制程和封裝技術相容而樹立低成本優(yōu)勢；然而，其在溫度及相噪(Phase Noise)的整體表現(xiàn)遠不及石英晶體成熟，短期內(nèi)僅能切入有線通
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陀螺儀價格續(xù)降 九軸MEMS發(fā)展添動能
陀螺儀價格不斷下殺，中低階智慧型手機采用九軸微機電系統(tǒng)(MEMS)感測器機會大增。由于陀螺儀單顆售價仍約落在2美元，導致現(xiàn)階段僅少量高階智慧型手 機內(nèi)建九軸MEMS感測器，隨著2012年陀螺儀的單價下滑到1.5美元左右，
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MEMS:智能機和汽車電子貢獻率60%以上
美國MEMS產(chǎn)業(yè)協(xié)會（MIG）于2011年11月2日～3日在加利福尼亞州Monterey召開了MEMS經(jīng)理人年度大會。與會專業(yè)人士認為，未來幾年，智能手機和汽車電子將是MEMS應用的兩大主要市場。手機和平板電腦中的運動傳感器（加速度
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單片集成MEMS電容式壓力傳感器接口電路設計
1 引 言單片集成是MEMS傳感器發(fā)展的一個趨勢，將傳感器結構和接口電路集成在一塊芯片上，使它具備標準IC工藝批量制造、適合大規(guī)模生產(chǎn)的優(yōu)勢，在降低了生產(chǎn)成本的同時還減少了互連線尺寸，抑制了寄生效應，提高了電路
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集成電路技術可大幅提高MEMS性能
MEMS（微機電系統(tǒng)）傳感器在手機、MP3/MP4 播放器、PDA或游戲機控制器以及洗衣機或干衣機等家電設備中都有著廣泛應用。MEMS傳感器深受運動、加速度、傾斜度和振動測量市場的歡迎。MEMS傳感器是系統(tǒng)級封裝解決方案，具
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MEMS高精密恒溫晶振時鐘出現(xiàn)，供應市場面臨洗牌
過去，一些高端的對時間基準要求很高的長壽命應用市場(如智能電網(wǎng)、無線通信基站、基于SONET和同步以太網(wǎng)的核心及邊緣路由器、IP時鐘和儀器)要求采用滿足三 級鐘(Stratum 3)標準的時鐘產(chǎn)品，亦即這些時鐘產(chǎn)品必須滿足
