NAND閃存

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NAND閃存市場(chǎng)市況平穩(wěn) 合約價(jià)有望觸底

NAND閃存（Flash）合約價(jià)12月上旬緩慢下跌，內(nèi)存模塊廠認(rèn)為，短期將出現(xiàn)回調(diào)，12月底將可望觸底，明年元月間隨著中國(guó)農(nóng)歷年前的備貨需求來到，有機(jī)會(huì)出現(xiàn)價(jià)格止跌反彈。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查顯示，12月上旬N

消費(fèi)電子
2012-12-21

NAND閃存閃存市場(chǎng) Flash DRAM
存儲(chǔ)巨頭美光第一財(cái)季凈虧損2.7億美元

北京時(shí)間12月21日早間消息，美國(guó)第一大存儲(chǔ)芯片制造商美光科技周四發(fā)布了其2013財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)。由于PC市場(chǎng)需求不振導(dǎo)致供大于求，打壓了存儲(chǔ)芯片價(jià)格，美光科技當(dāng)季凈營(yíng)收18.3億美元，同比下滑12%;凈虧損從去年同

智能硬件
2012-12-21

美光美光科技存儲(chǔ)芯片 NAND閃存
NAND Flash合約價(jià)月底可望觸底

NAND閃存（Flash）合約價(jià)12月上旬緩慢下跌，內(nèi)存模塊廠認(rèn)為，短期將出現(xiàn)回調(diào)，12月底將可望觸底，明年元月間隨著中國(guó)農(nóng)歷年前的備貨需求來到，有機(jī)會(huì)出現(xiàn)價(jià)格止跌反彈。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查顯示，12月上旬N

消費(fèi)電子
2012-12-20

NAND NAND閃存 Flash DRAM
NAND閃存市場(chǎng)第三季度表現(xiàn)亮麗

據(jù)IHS公司的閃存市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，NAND閃存市場(chǎng)在第三季度成功扭轉(zhuǎn)頹勢(shì)，需求改善和廠商大幅削減產(chǎn)量，使需求更加平衡。NAND營(yíng)業(yè)收入從第二季度的43億美元上升到45億美元，增長(zhǎng)5%。行業(yè)整體營(yíng)業(yè)利潤(rùn)從1.592億美元上升到3.50

消費(fèi)電子
2012-12-17

東芝固態(tài)硬盤 NAND閃存閃存市場(chǎng)
NAND閃存要“長(zhǎng)生不老”：測(cè)試1億次循環(huán)掛不了

固態(tài)硬盤普及了，隨之而來的可靠性和壽命問題越發(fā)引人關(guān)注，特別是隨著NAND閃存工藝的進(jìn)步，反而越來越不耐用了：MCL NAND閃存再25nm時(shí)代還有3000-5000次的編程/擦寫循環(huán)(P/E)，20nm時(shí)代就只有3000次了

智能硬件
2012-12-10

溫度柵極 NAND閃存
無限擦寫循環(huán)？Macronix新閃存技術(shù)

固態(tài)硬盤普及了，隨之而來的可靠性喝壽命問題越發(fā)引人關(guān)注，特別是隨著NAND閃存工藝的進(jìn)步，反而越來越不耐用了：MCL NAND閃存再25nm時(shí)代還有3000-5000次的編程/擦寫循環(huán)(P/E)，20nm時(shí)代就只有3000次了，TLC規(guī)格的更

智能硬件
2012-12-04

閃存技術(shù) NI MACRO NAND閃存
NAND欲閃存一統(tǒng)江山面臨的難題

雖然新的NVM技術(shù)將成為未來幾年的主流，但NAND閃存不太可能“一統(tǒng)江山”，因?yàn)樾碌腘VM介質(zhì)可能需要幾年的時(shí)間才能匹配NAND閃存的價(jià)格。NAND閃存所面臨的困境是由于技術(shù)方面的限制。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，廠商正不斷縮

消費(fèi)電子
2012-11-06

NAND ECC NOISE NAND閃存
賣得好就漲價(jià) 智能機(jī)閃存芯片迎來旺季

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于智能機(jī)領(lǐng)域?qū)﹂W存芯片的需求量激增，世界前四大閃存芯片供應(yīng)商，三星電子、東芝、SanDisk及SK Hynix可能會(huì)提高其產(chǎn)品價(jià)格。到11月中旬，其價(jià)格漲幅可能將達(dá)10-15%。業(yè)內(nèi)消息稱，由于蘋果iPhone

消費(fèi)電子
2012-09-24

智能機(jī) 閃存芯片 SANDISK NAND閃存
賣得好就漲價(jià) 智能機(jī)閃存芯片迎來旺季

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于智能機(jī)領(lǐng)域?qū)﹂W存芯片的需求量激增，世界前四大閃存芯片供應(yīng)商，三星電子、東芝、SanDisk及SK Hynix可能會(huì)提高其產(chǎn)品價(jià)格。到11月中旬，其價(jià)格漲幅可能將達(dá)10-15%。業(yè)內(nèi)消息稱，由于蘋果iPhone

消費(fèi)電子
2012-09-24

智能機(jī) 閃存芯片 SANDISK NAND閃存
智能機(jī)閃存芯片需求激增 4大供應(yīng)商考慮漲價(jià)

9月21日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于智能機(jī)領(lǐng)域?qū)﹂W存芯片的需求量激增，世界前四大閃存芯片供應(yīng)商，三星電子、東芝、SanDisk及SK Hynix可能會(huì)提高其產(chǎn)品價(jià)格。到11月中旬，其價(jià)格漲幅可能將達(dá)10-15%。業(yè)內(nèi)消息稱，由

消費(fèi)電子
2012-09-21

智能機(jī) 閃存芯片 SANDISK NAND閃存
智能機(jī)閃存芯片需求激增 4大供應(yīng)商考慮漲價(jià)

9月21日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于智能機(jī)領(lǐng)域?qū)﹂W存芯片的需求量激增，世界前四大閃存芯片供應(yīng)商，三星電子、東芝、SanDisk及SK Hynix可能會(huì)提高其產(chǎn)品價(jià)格。到11月中旬，其價(jià)格漲幅可能將達(dá)10-15%。業(yè)內(nèi)消息稱，由

消費(fèi)電子
2012-09-21

智能機(jī) 閃存芯片 SANDISK NAND閃存
三星在華存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目開建搶占中國(guó)市場(chǎng)份額

三星電子將發(fā)力搶占中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)。9月12日，三星電子宣布，位于中國(guó)大陸西安的10nm級(jí)NAND型閃存(NANDFlash)制造廠將會(huì)開始動(dòng)工，預(yù)期可在2013年底興建完成，并于2014年起開始投產(chǎn)。三星電子指出，新成立的三星(中

模擬
2012-09-14

三星三星電子存儲(chǔ)芯片 NAND閃存
美光在NAND閃存市場(chǎng)的份額首次超過20%

據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào)，第二季度美國(guó)內(nèi)存生產(chǎn)商美光的NAND閃存市場(chǎng)份額超過20%，這是其七年前進(jìn)入該市場(chǎng)以來的首次，受益于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝表現(xiàn)不佳等有利因素。第二季度美光的NAND市場(chǎng)份額是20.7%，排名

消費(fèi)電子
2012-09-14

美光東芝 NAND閃存閃存市場(chǎng)
美光在NAND閃存市場(chǎng)的份額首次超過20%

據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào)，第二季度美國(guó)內(nèi)存生產(chǎn)商美光的NAND閃存市場(chǎng)份額超過20%，這是其七年前進(jìn)入該市場(chǎng)以來的首次，受益于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝表現(xiàn)不佳等有利因素。第二季度美光的NAND市場(chǎng)份額是20.7%，排名

消費(fèi)電子
2012-09-14

美光東芝 NAND閃存閃存市場(chǎng)
美光在NAND閃存市場(chǎng)的份額首次超過20%

21ic訊據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào)，第二季度美國(guó)內(nèi)存生產(chǎn)商美光的NAND閃存市場(chǎng)份額超過20%，這是其七年前進(jìn)入該市場(chǎng)以來的首次，受益于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝表現(xiàn)不佳等有利因素。第二季度美光的NAND市場(chǎng)份額是2

智能硬件
2012-09-13

美光東芝 NAND閃存閃存市場(chǎng)
IBM重大技術(shù)突破能耗低于NAND閃存技術(shù)

根據(jù)Computerworld網(wǎng)站報(bào)道，IBM研究人員在自旋電子學(xué)領(lǐng)域（“自旋遷移電子學(xué)”的簡(jiǎn)稱）取得了重大技術(shù)突破，能夠利用電子在磁場(chǎng)內(nèi)的自旋并結(jié)合讀寫頭，在半導(dǎo)體材料上記錄和讀取數(shù)位數(shù)據(jù)，可以將電子自旋周期延長(zhǎng)30

消費(fèi)電子
2012-08-16

IBM 電子閃存技術(shù) NAND閃存
IBM重大技術(shù)突破能耗低于NAND閃存技術(shù)

根據(jù)Computerworld網(wǎng)站報(bào)道，IBM研究人員在自旋電子學(xué)領(lǐng)域（“自旋遷移電子學(xué)”的簡(jiǎn)稱）取得了重大技術(shù)突破，能夠利用電子在磁場(chǎng)內(nèi)的自旋并結(jié)合讀寫頭，在半導(dǎo)體材料上記錄和讀取數(shù)位數(shù)據(jù)，可以將電子自旋周期延長(zhǎng)30

消費(fèi)電子
2012-08-16

IBM 電子閃存技術(shù) NAND閃存
為嵌入式應(yīng)用選擇、實(shí)現(xiàn)NAND閃存海量存儲(chǔ)

標(biāo)簽：NAND POS在嵌入式應(yīng)用中，海量存儲(chǔ)密度正在以前所未有的速度增長(zhǎng)。像便攜式媒體播放器、蜂窩電話、數(shù)碼相機(jī)、便攜式導(dǎo)航設(shè)備、無線網(wǎng)卡、閃盤這樣的消費(fèi)產(chǎn)品由于需要處理越來越多的多媒體內(nèi)容而要求更高的海量

消費(fèi)電子
2012-08-02

微處理器嵌入式應(yīng)用 SLC NAND閃存
東芝將下調(diào)NAND閃存芯片30%產(chǎn)能

7月24日消息，據(jù)路透社報(bào)道，東芝公司周二稱，將下調(diào)NAND閃存芯片30%產(chǎn)能。這凸顯了芯片市場(chǎng)供應(yīng)狀況的挑戰(zhàn)性，該公司的股價(jià)也因而出現(xiàn)下挫。東芝表示，由于U盤和存儲(chǔ)卡的芯片供過于求，它將削減其在日本西部的四日市

消費(fèi)電子
2012-07-26

芯片市場(chǎng) 東芝閃存芯片 NAND閃存
東芝將下調(diào)NAND閃存芯片30%產(chǎn)能

7月24日消息，據(jù)路透社報(bào)道，東芝公司周二稱，將下調(diào)NAND閃存芯片30%產(chǎn)能。這凸顯了芯片市場(chǎng)供應(yīng)狀況的挑戰(zhàn)性，該公司的股價(jià)也因而出現(xiàn)下挫。東芝表示，由于U盤和存儲(chǔ)卡的芯片供過于求，它將削減其在日本西部的四日市

消費(fèi)電子
2012-07-26

芯片市場(chǎng) 東芝閃存芯片 NAND閃存

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NAND閃存

NAND閃存市場(chǎng)市況平穩(wěn) 合約價(jià)有望觸底

存儲(chǔ)巨頭美光第一財(cái)季凈虧損2.7億美元

NAND Flash合約價(jià)月底可望觸底

NAND閃存市場(chǎng)第三季度表現(xiàn)亮麗

NAND閃存要“長(zhǎng)生不老”：測(cè)試1億次循環(huán)掛不了

無限擦寫循環(huán)？Macronix新閃存技術(shù)

NAND欲閃存一統(tǒng)江山面臨的難題

賣得好就漲價(jià) 智能機(jī)閃存芯片迎來旺季

賣得好就漲價(jià) 智能機(jī)閃存芯片迎來旺季

智能機(jī)閃存芯片需求激增 4大供應(yīng)商考慮漲價(jià)

智能機(jī)閃存芯片需求激增 4大供應(yīng)商考慮漲價(jià)

三星在華存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目開建搶占中國(guó)市場(chǎng)份額

美光在NAND閃存市場(chǎng)的份額首次超過20%

美光在NAND閃存市場(chǎng)的份額首次超過20%

美光在NAND閃存市場(chǎng)的份額首次超過20%

IBM重大技術(shù)突破能耗低于NAND閃存技術(shù)

IBM重大技術(shù)突破能耗低于NAND閃存技術(shù)

為嵌入式應(yīng)用選擇、實(shí)現(xiàn)NAND閃存海量存儲(chǔ)

東芝將下調(diào)NAND閃存芯片30%產(chǎn)能

東芝將下調(diào)NAND閃存芯片30%產(chǎn)能

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