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盤點(diǎn)NAND Flash與NOR Flash的區(qū)別
與DRAM內(nèi)存不同，NAND在斷電后也能夠儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。閃存斷電時(shí)，浮柵晶體管 (FGT) 的金屬氧化物半導(dǎo)體會(huì)向存儲(chǔ)單元供電，保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。NAND單元陣列存儲(chǔ)1到4位數(shù)據(jù)。
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閃存芯片市場(chǎng)韓國(guó)一家獨(dú)大！市場(chǎng)占有率超50%
據(jù)統(tǒng)計(jì)，隨著Intel閃存業(yè)務(wù)被SK海力士收購(gòu)，韓國(guó)企業(yè)三星+SK海力士合計(jì)占市場(chǎng)份額已經(jīng)超過50%。
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SK海力士成功研發(fā)全球最高層238層４D NAND閃存
新聞概要 公司全球首發(fā)238層 512Gb TLC 4D NAND閃存，將于明年上半年投入量產(chǎn) 成功研發(fā)層數(shù)最高，面積最小的NAND閃存，并顯著改善生產(chǎn)效率、數(shù)據(jù)傳輸速度、功耗等特性 "公司將持續(xù)創(chuàng)新并不斷突破技術(shù)瓶頸" 韓國(guó)首爾2022...
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SK海力士成功研發(fā)全球最高層238層4D NAND閃存
（全球TMT2022年8月3日訊）SK海力士于8月3日宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存。SK海力士向客戶發(fā)送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND閃存的樣品，并計(jì)劃在2023年上半年正式投入量產(chǎn)。 圖1...
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KIOXIA鎧俠慶祝NAND閃存發(fā)明35周年
顛覆性技術(shù)的深遠(yuǎn)影響從根本上改變了人們的生活、工作和娛樂方式
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華為NAND閃存：與UFS3.1比較，速度大約提升了10-15%左右
據(jù)韓媒thelec報(bào)道，華為方面計(jì)劃采購(gòu)NAND閃存晶圓，自行完成測(cè)試封裝工序，已為此籌建相關(guān)設(shè)施，或?qū)⒂谙掳肽觊_始量產(chǎn)。
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SK海力士完成收購(gòu)英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第一階段
（全球TMT2021年12月30日訊）SK海力士宣布，已于12月30日?qǐng)A滿完成了收購(gòu)英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第一階段。繼12月22日獲得中國(guó)國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局的批準(zhǔn)后，SK海力士完成了第一階段的后續(xù)流程，包括從英特爾接管SSD業(yè)務(wù)及其位于中國(guó)大連NAND閃存制造廠的...
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日本企業(yè)研發(fā)7bpc閃存！150℃高溫下數(shù)據(jù)可保存10年
SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存的發(fā)展大家應(yīng)該都比較熟悉了，它們代表了每個(gè)單元能夠存儲(chǔ)的比特?cái)?shù)據(jù)，密度越來越高，容量越來越大，當(dāng)然可靠性、壽命越來越低。
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SkyHigh擴(kuò)展其SLC NAND閃存系列
（全球TMT2021年10月12日訊）嵌入式存儲(chǔ)解決方案全球領(lǐng)導(dǎo)者SkyHigh Memory Limited將在其NAND閃存系列中推出3.0V 1Gb-4Gb密度4KB頁(yè)面和2KB頁(yè)面ML-3產(chǎn)品。全新的1Gb-4Gb ML-3 SLC NAND閃存產(chǎn)品系列設(shè)備的設(shè)...
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Arasan推出NAND閃存全I(xiàn)P解決方案
（全球TMT2021年8月5日訊）面向物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、移動(dòng)和汽車SoC的半導(dǎo)體IP提供商Arasan Chip Systems宣布立即提供符合開放Nand閃存接口（ONFI）5.0規(guī)范的N
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出128層QLC閃存，單顆容量達(dá)1.33Tb
長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào)： X2-6070)，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量①。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào)：X2-9060)，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
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產(chǎn)業(yè)鏈人士預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片價(jià)格四季度環(huán)比下滑10%
8月17日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，研究機(jī)構(gòu)不久前曾預(yù)計(jì)，DRAM和NAND閃存這兩大存儲(chǔ)芯片的銷售額，今年均會(huì)有上漲，后者的同比增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)到27%。 但與銷售額同比增長(zhǎng)不相匹配的是，目前的存儲(chǔ)芯片
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研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)今年僅8類集成電路產(chǎn)品銷售額同比會(huì)有增長(zhǎng)
8月10日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，今年眾多行業(yè)都受到了影響，需求明顯下滑，5G智能手機(jī)處理器、NAND閃存、DRAM等半導(dǎo)體產(chǎn)品雖然并未受到影響，但在集成電路領(lǐng)域的產(chǎn)品類別中，多數(shù)都受到了影響，大部分產(chǎn)
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宇瞻總經(jīng)理：DRAM與NAND閃存供應(yīng)過剩將持續(xù)到明年上半年
8月13日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，受疫情影響，眾多產(chǎn)品的市場(chǎng)需求都有不同程度的下滑，智能手機(jī)等電子產(chǎn)品也不例外，也影響到了存儲(chǔ)產(chǎn)品的市場(chǎng)需求，已經(jīng)出現(xiàn)了供應(yīng)過剩的情況。 而存儲(chǔ)模組供應(yīng)商宇瞻的總經(jīng)理張
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研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)全球NAND閃存銷售額今年增至560億美元 同比大增27%
8月4日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，銷售額在去年大幅下滑的NAND閃存，在今年將大幅增長(zhǎng)，同比增長(zhǎng)率將達(dá)到27.2%，銷售額將達(dá)到560.07億美元。 從研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計(jì)來看，在集成電路的33
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外媒：索尼微軟新品推動(dòng) 游戲主機(jī)閃存需求三季度將回升
6月17日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在索尼和微軟將推出的新一代游戲機(jī)的推動(dòng)下，游戲主機(jī)對(duì)閃存的需求也將增加，產(chǎn)業(yè)鏈人士預(yù)計(jì)游戲主機(jī)對(duì)閃存的需求在今年三季度將回升。 索尼新一代游戲主機(jī)PS5 產(chǎn)業(yè)鏈人士表
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存
2019年9月2日，中國(guó)武漢，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”） 在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb T
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物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用需要哪幾種存儲(chǔ)技術(shù)來支持
目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流，但DRAM的讀寫速度快無法長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；NAND Flash能保存數(shù)據(jù)， 但讀寫速度不佳。同時(shí)兼具運(yùn)算、儲(chǔ)存能力的下世代內(nèi)存，如磁阻式內(nèi)存（MRA
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一幅漫畫帶你了解什么是NAND閃存，為什么物聯(lián)網(wǎng)需要它
物聯(lián)傳媒本文作者：露西本文繪圖：市大媽無處不在的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備將產(chǎn)生龐大的數(shù)據(jù)，但問題在于是否保留所有數(shù)據(jù)，如果保留，數(shù)據(jù)將存儲(chǔ)在哪里？相比云計(jì)算存儲(chǔ)在過去幾年中成為目標(biāo)，如今正在有越來越多的觀點(diǎn)認(rèn)為應(yīng)該轉(zhuǎn)向布局本地存儲(chǔ)和邊緣存儲(chǔ)，因?yàn)椴皇撬袛?shù)據(jù)需要上云，并且時(shí)延要求較高的場(chǎng)景，比...
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厲害了！長(zhǎng)江存儲(chǔ)官宣128層閃存芯片研發(fā)成功
網(wǎng)易科技訊 4月13日消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)今日在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，X2-6070是業(yè)
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