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東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨
符合JEDEC UFS 2.0版本標準的嵌入式存儲器將高達64GB的NAND和控制器融合于單一封裝內(nèi)東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標準的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品
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業(yè)界高層預(yù)言關(guān)于NAND閃存市場的8大趨勢
在近日于美國舉行的快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上，一位業(yè)界高層對NAND市場做出了大膽的預(yù)測。在專題演說中，SanDisk創(chuàng)辦人暨總裁、執(zhí)行長Eli Harari警告，NA
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東芝開始生產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND閃存芯片
半導(dǎo)體行業(yè)的閃存制造工藝進步除了意味著用戶能夠獲得更好的存儲性能，同時也意味著SSD固態(tài)存儲設(shè)備價格的下降。過去幾年中SSD的降價幅度還是頗大的，目前最便宜的固態(tài)存儲
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更快：15納米制程NAND閃存芯片即將量產(chǎn)
東芝和SanDisk公司共同開發(fā)并即將量產(chǎn)世界上第一批15納米制程技術(shù)的NAND閃存芯片，數(shù)據(jù)傳輸率比前代19納米制程快1.3倍，將廣泛應(yīng)用在智能手機和平板電腦領(lǐng)域。對用戶來說，低成本結(jié)構(gòu)的殺傷力不容小覷。東芝還表示將
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閃迪東芝發(fā)布15nm閃存芯片，提速30%
半導(dǎo)體有多種類型，又有不同容量、速度和作用，但最廣泛使用最常見的是NAND閃存（Flash），因此針對此類芯片的任何一次進步都有可能影響到各個行業(yè)。日前，SanDisk和東芝宣布，已經(jīng)完成了迄今為止全球最
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美光NAND閃存和DRAM技術(shù)創(chuàng)新獲SI認可
美光科技有限公司今天宣布，美光的32Gb、34納米NAND閃存和1Gb、50納米DRAM創(chuàng)新技術(shù)獲得Semiconductor Insights公司(簡稱SI公司)認可，進入SI第八屆Insight 年度大獎的最終
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NAND閃存蠶食DRAM地盤 處理器主板或搭閃存用的總線
在固態(tài)硬盤(SSD)正被市場瘋狂采用的此時，我知道這個標題感覺不太禮貌，但這種裝置只能說是產(chǎn)業(yè)界著眼于閃存(flash)的永久儲存性──也就是儲存的數(shù)據(jù)即使在裝置斷電后仍能有效保存，又稱作“非揮發(fā)性(nonvolat
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內(nèi)存技術(shù)更新至少還得再等十年
很少人會想到 NAND快閃內(nèi)存已經(jīng)快要消失在地平在線、即將被某種新技術(shù)取代，筆者最近參加了一場IBM/Texas Memory Systems關(guān)于閃存儲存系統(tǒng)的電話會議，聽到不少儲存系統(tǒng)專家試圖把對話導(dǎo)引到IBM在下一代內(nèi)存技術(shù)的規(guī)
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基于ClearNAND閃存的系統(tǒng)設(shè)計改進方案
自問世以來，NAND閃存對ECC(糾錯碼)糾錯能力的要求越來越高。雖然這不是一個新問題，但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲三位數(shù)據(jù)(three-bit-per-cell)技術(shù)所需的
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東芝開發(fā)出最快的嵌入式NAND閃存模塊設(shè)備控制器
東京—東芝公司2014年2月25日宣布，該公司已經(jīng)開發(fā)出全球最快的符合JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC)制定的通用閃存存儲(UFS)Ver.2.0和UFS統(tǒng)一存儲器擴展(UME)Ver.1.0標準的嵌
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為eMMC5.0而生，閃迪新款iNAND閃存亮相
2月24日，閃迪推出首款128G TF卡，刷新了TF卡的存儲記錄。除此TF卡外，閃迪在MWC2014大會上還帶來新一代iNAND Extreme至尊級eMMC閃存存儲卡，支持eMMC5.0接口，高達300MB/s的讀取速度，提升了I/O性能。
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2013年半導(dǎo)體市場的輸家和贏家
【導(dǎo)讀】全球半導(dǎo)體市場營收在經(jīng)歷了2012年下滑2.5%之后，在2013年增長近5%，有所恢復(fù)， 這要歸功于存儲領(lǐng)域的強勁表現(xiàn)。根據(jù)IHS初步估算，2013年全球半導(dǎo)體銷售額從2012年的3029億美元增長4.9%，來到3179億美元。
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三星850引路：2T民用SSD不是夢，價格顫抖
三星的高端SSD產(chǎn)品線自2012年的840 Pro發(fā)布之后就再也沒有得到更新了，只是在去年初的時候?qū)⒌投说?40升級到了840 EVO系列，除此以外就再無動作。 CES2014大展即將召開，三星也參與了本次展會，國外媒體
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半導(dǎo)體行業(yè)三巨頭激戰(zhàn)后20nm微細化
“半導(dǎo)體奧運會”的主角將重返賽場。在2014年2月9～13日于美國舉辦的“InternationalSolid-StateCircuitsConference（ISSCC）2014”上，世界最大的半導(dǎo)體企業(yè)美國英特爾公司將沉寂兩年后再次發(fā)表論文，介紹已于2013年
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半導(dǎo)體行業(yè)三巨頭激戰(zhàn)后20nm微細化
“半導(dǎo)體奧運會”的主角將重返賽場。在2014年2月9～13日于美國舉辦的“InternationalSolid-StateCircuitsConference（ISSCC）2014”上，世界最大的半導(dǎo)體企業(yè)美國英特爾公司將沉寂兩年后再次發(fā)表論文，介紹已于2013年
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半導(dǎo)體行業(yè)三巨頭激戰(zhàn)后20nm微細化
“半導(dǎo)體奧運會”的主角將重返賽場。在2014年2月9～13日于美國舉辦的“InternationalSolid-StateCircuitsConference(ISSCC)2014”上，世界最大的半導(dǎo)體企業(yè)美國英特爾公司將沉寂兩年后再次發(fā)表論文，介紹已于2013年中
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半導(dǎo)體行業(yè)三巨頭激戰(zhàn)后20nm微細化
“半導(dǎo)體奧運會”的主角將重返賽場。在2014年2月9～13日于美國舉辦的“International Solid-State Circuits Conference（ISSCC） 2014”上，世界最大的半導(dǎo)體企業(yè)美國英特爾公司將沉寂兩年后再次發(fā)表論文，介紹已于2
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東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊
新產(chǎn)品符合JEDEC e·MMC™ 5.0版標準東芝公司宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC™[1]標準，旨
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海力士量產(chǎn)全球最先進閃存顆粒 明年將再更新
韓國SK海力士今天宣布，公司已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)16nm工藝的64Gb(8GB) MLC NAND閃存顆粒，這也是當今最先進的閃存制造工藝。其實早在今年六月，海力士就量產(chǎn)了第一版的16nm NAND閃存，最近投產(chǎn)的則是第二版，芯片尺寸更
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全球第一：海力士量產(chǎn)16nm 8GB閃存顆粒
韓國SK海力士今天宣布，已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)16nm工藝的64Gb(8GB) MLC NAND閃存顆粒，這也是當今最先進的閃存制造工藝。其實早在今年六月，海力士就量產(chǎn)了第一版的16nm NAND閃存，最近投產(chǎn)的則是第二版，芯片尺寸更小，
