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NAND閃存將面臨更大降價壓力
【導讀】NAND閃存將面臨更大降價壓力 分析師警告稱，IM Flash Technologies LLC興建一家新廠的舉動，可能延長NAND閃存市場面臨價格壓力的時間。英特爾和美光日前表示，它們已決定在新加坡興建其用于生產NAND
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DRAM芯片價格強勁攀升，海力士第四季利潤同比激增166%
【導讀】DRAM芯片價格強勁攀升，海力士第四季利潤同比激增166% 據報道，盡管去年第四季度NAND閃存銷售疲軟，平均銷售價格下跌，但DRAM儲存產品的價格持續(xù)強勁攀升。導致韓國海力士(Hynix)四季度的利潤比三季度增
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東芝樂觀估計后市NAND閃存需求可望在2007下半年復蘇
【導讀】東芝樂觀估計后市NAND閃存需求可望在2007下半年復蘇 NAND閃存芯片市場最近幾周的情況發(fā)生了好轉，日本廠商東芝(Toshiba)近期即發(fā)表樂觀的前景預測，預期NAND閃存未來可望取代硬盤應用在筆記本電腦(
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07年NAND閃存需求翻倍
【導讀】07年NAND閃存需求翻倍 4月20日，“Flashtopia by Samsung”大會在廣東深圳舉行。會上，三星半導體部門數位副總裁以及多名三星市場人士或工程師分別發(fā)表演講，向受邀的61家共計350余人次的客戶及代理
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NAND閃存的未來在SSD
【導讀】NAND閃存的未來在SSD 作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference（WinHEC）的美國美光科技公司(Micron Technology， Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術研討
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東芝投資66億美元興建NAND閃存工廠，09年量產
【導讀】東芝投資66億美元興建NAND閃存工廠，09年量產 據《朝日新聞》(Asahi Shimbun)報道，日本電子巨頭東芝(Toshiba)將投資逾66億美元在日本北部興建一家新的NAND閃存工廠。這家工廠位于Iwate Prefecture，
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恒憶與海力士擴大合作，共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術與產品
【導讀】恒憶與海力士擴大合作，共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術與產品 恒憶（Numonyx）宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協議，在飛速增長的NAND閃存領域擴展聯合開發(fā)計劃。針對NAND技術在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家
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閃存價格上漲威脅SSD技術的普及
【導讀】今年前兩個季度NAND閃存的平均銷售價格（ASP）反彈，令供應商非常高興，使其在2008年經受慘重損失之后又獲得了希望。 今年前兩個季度NAND閃存的平均銷售價格（ASP）反彈，令供應商非常高興，使其在
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傳東芝投資22億美元擴大NAND閃存產能
【導讀】據國外媒體報道，消息人士周一透露，東芝可能將投資2000億日元（約合22億美元）擴大NAND閃存芯片生產。到2010年4月底，東芝的閃存芯片生產規(guī)模將擴大40%。 據國外媒體報道，消息人士周一透露，東芝可能將
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今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求
【導讀】據iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。 據iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。iSuppli高級半導
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NAND閃存軍備競賽 可能導致市場“崩盤”
【導讀】但是不要看現在，NAND閃存的“派對”可能將要結束了。海力士、美光、三星和東芝已經或者即將建造新的NAND晶圓工廠，此舉可能會導致生產能力過剩和價格下跌。 關鍵詞：海力，三星，東芝，NAND，手機，平板
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日本地震影響iPad2及動力汽車
【導讀】NAND閃存是iPhone4和iPad 2不可或缺的部件。地震后國際市場內存芯片價格已上漲近10%，閃存價格更是暴漲近20%。 摘要： NAND閃存是iPhone4和iPad 2不可或缺的部件。地震后國際市場內存芯片價格已上漲近10
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第二季度NAND閃存市場：東芝暴跌美光得利
【導讀】據IHS iSuppli公司的NAND閃存動態(tài)簡報，第二季度美國內存生產商美光的NAND閃存市場份額超過20%，這是其七年前進入該市場以來的首次，受益于競爭對手東芝表現不佳等有利因素。 摘要： 據IHS iSuppli公司
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2014年eMMC將占NAND移動市場出貨量的40%
據iSuppli公司，2010年用于手機的嵌入式多媒體卡(eMMC) NAND閃存將出現爆炸性增長，預計出貨量增長224%。2007年eMMC面世的時候增長緩慢，但三年后的2010年，其出貨量將增長
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韓國結束對閃存商反壟斷調查未發(fā)現違法行為
韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發(fā)現韓國或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價格或其他壟斷行為的證據。該機構調查了四家NAND閃存制造商。在被調查的四家廠商中，兩家位于韓
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三星宣布量產兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司宣稱，這種產品的讀取帶寬是傳統閃存芯片的3倍左右，單
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MicroSD容量：改一個字母用了9年
磁盤發(fā)明到現在已經快60年了，60一甲子，原來的數據存儲和現在的數據存儲有哪些不同？國外著名的媒體computerworld也選了7張產品對比圖片來說明數據存儲技術和時代的變遷。我們一起來看看吧。 1、相對磁
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NAND閃存技術將在十年之內遭遇技術極限
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年
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NAND閃存技術將在十年之內遭遇技術極限
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年
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東芝開始生產15nm工藝的MLC NAND閃存芯片
【導讀】半導體行業(yè)的閃存制造工藝進步除了意味著用戶能夠獲得更好的存儲性能，同時也意味著SSD固態(tài)存儲設備價格的下降。 過去幾年中SSD的降價幅度還是頗大的，目前最便宜的固態(tài)存儲驅動器每GB的價格不到50美分，
