NANDFLASH

51內(nèi)核單片機(jī)管理NAND FLASH的方法

摘要：闡述了NANDFLASH的工作原理和訪問方式，提出了一種基于51內(nèi)核單片機(jī)存儲、讀取NANDFLASH的實(shí)現(xiàn)方法，給出了K9F2G08UXA與單片機(jī)的接口電路，同時給出了對K9F2GO8UXA芯片進(jìn)行讀操作、頁編程和塊擦除等軟件操作的響應(yīng)例程。

關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash

關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn)，他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤&ldqu

集邦咨詢：全球NAND Flash營收環(huán)比增長8.3% 三星市占率下滑2%

5月26日消息，據(jù)國外媒體報道，集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）在周一發(fā)布的一份報告中稱，今年第一季度，三星在全球NAND Flash市場上的份額為33.3%，與前一季度相比，環(huán)比略

存儲市場庫存仍高 美光明年仍采取保守策略

華為作為美光最大的客戶之一，美國將華為列入實(shí)體名單一事對美光產(chǎn)生了非常嚴(yán)重的影響，美光業(yè)績已經(jīng)逐漸露出下滑趨勢，上周五美光股價大跌近7%，南亞科、華邦電、威剛等存儲器企業(yè)也紛紛走低。 近期DRAM及N

日本強(qiáng)震致東芝五座工廠受影響，券商預(yù)估NAND Flash價格上揚(yáng)

6月24日消息 日前全球第二大閃存供應(yīng)商東芝位于日本三重縣的閃存工廠因地震遭遇斷電事故，雖然停電過程非常短，13分鐘之后就恢復(fù)供電了，但是工廠卻一直停產(chǎn)，直到21日上午才恢復(fù)，至少停工了5天時間。 根

淺析Nandflash燒錄技巧與方法

Nandflash芯片以其高性價比，大存儲容量在電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用。但是，在此量大質(zhì)優(yōu)的應(yīng)用領(lǐng)域，很多客戶卻痛苦于批量質(zhì)量問題：專用工具無法滿足量產(chǎn)，量產(chǎn)工具卻可能出現(xiàn)極大的不良品率，那么究竟要如何解決呢?

OK6410 NandFlash硬件初體驗(yàn)

一、 首先先來看看核心板的原理圖我們發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)線才有8條，而并沒有地址信號，所以該8條線一定是可以傳數(shù)據(jù)，也可以傳地址。而地址線肯定又不夠，那么，地址肯定又是多次發(fā)出的。從datasheet可以看到它要發(fā)出5個周期的

基于ARM9內(nèi)核Processor外部NANDFLASH的控制實(shí)現(xiàn)

nandflash裸機(jī)程序分析

它包含7個文件：head.Sinit.cmain.cMakefilenand.cnand.lds我們之前的程序都是在nandflash的前4k放代碼，上電后自動拷貝到SRAM中，之后將SRAM中的代碼拷貝到SDRAM中?？墒钱?dāng)我們的程序太大超過4k的時候就不行了，因?yàn)?/p>

s3c2410的nandflash啟動過程分析

注：此文為部分摘錄，并且在原文基礎(chǔ)上有改動link這幾天一直在摸索s3c2410的啟動過程,幾天的困惑終于在昨天晚上基本解決.下面詳細(xì)分析一下它的最前面的啟動過程.1.在板子上電的一開始,首先自動判斷是否是autoboot模式

大容量NANDFLASH在ARM嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)

基于VxWorks的NANDFLASH驅(qū)動程序設(shè)計

ARM開發(fā)步步深入之NandFlash 4KB突圍

實(shí)驗(yàn)?zāi)康模和黄?KB的Steppingstone存儲空間限制，讀取NandFlash中4KB后的代碼實(shí)現(xiàn)“點(diǎn)燈大法”，借此掌握NandFlash的操作。實(shí)驗(yàn)環(huán)境及說明：恒頤S3C2410開發(fā)板H2410。H2410核心板的NandFlash選用的是三星片上(SOP)K9

塊設(shè)備驅(qū)動程序之nandflash——基本框架

我們先查看內(nèi)核的啟動信息，以搞清楚從哪個文件著手來分析：S3C24XX NAND Driver, (c) 2004 Simtec Electronicss3c2440-nand s3c2440-nand: Tacls=3, 30ns Twrph0=7 70ns, Twrph1=3 30nsNAND device: Manufacturer I

NandFlash讀寫過程

一、結(jié)構(gòu)分析S3C2410處理器集成了8位NandFlash控制器。目前市場上常見的8位NandFlash有三星公司的k9f1208、k9f1g08、k9f2g08等。k9f1208、k9f1g08、k9f2g08的數(shù)據(jù)頁大小分別為512Byte、2kByte、2kByte。它們在尋址方

STM32-FSMC-NANDFLASH

STM32 FSMC 支持兩個NAND閃存塊，支持硬件ECC并可檢測多達(dá)8K字節(jié)數(shù)據(jù)其地址映射如下圖所示圖161 FSMC存儲塊?NAND和PC卡地址映射表88 存儲器映像和時序寄存器 ?對于NAND閃存存儲器，通用和屬性空間又可以在低256K字節(jié)

Nandflash 驅(qū)動深度分析（基于S3C2410）

NAND Flash在嵌入式系統(tǒng)中的地位與PC機(jī)上的硬盤類似，用于保存系統(tǒng)運(yùn)行所必需的操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序、用戶數(shù)據(jù)、運(yùn)行過程中產(chǎn)生的各類數(shù)據(jù)。與內(nèi)存掉電后數(shù)據(jù)丟失不同，NAND Flash中的數(shù)據(jù)在掉電后仍可永久保存。操作

s3c2440硬件篇之四：NandFlash（1）介紹

如上圖所示：小頁Nand容量=528B * 32頁 * 4096塊 = 528M bits.可用512M bits.即64M.下圖為英文原文pdf資料截圖。注：NandFlash的命令，數(shù)據(jù)，地址都通過8個I/O口輸出。（1）小頁Nand。，一頁大小為(512+16)528字節(jié)(b

基于DSP PNX1501的NandFlash在線燒錄系統(tǒng)

隨著電子產(chǎn)品市場的不斷擴(kuò)大，閃存器無疑將獲得極大的增長。這種增長在很大程度上取決于存儲器的非易失性、低功耗、高密度和重量輕等特點(diǎn)。多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)集于一身使得閃存器在移動電子和嵌入式領(lǐng)域中得到了極大的應(yīng)用。

淺談NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計和驅(qū)動開發(fā)