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南北韓戰(zhàn)事升溫三星命懸一線
才剛對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(SamsungElectronics)，再度因南北韓政治對立情勢升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點。業(yè)界聚焦重點放在DRAM和NANDFlash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)
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擴大生產(chǎn)規(guī)模三星變更半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)置
為了擴大生產(chǎn)規(guī)模，三星電子(SamsungElectronics)變更半導(dǎo)體制作產(chǎn)線的營運方式，將原本一座工廠內(nèi)設(shè)置兩條產(chǎn)線的方式，變更為整座工廠只有一條產(chǎn)線的營運體系。據(jù)南韓MTNews報導(dǎo)，三星23日動工的京畿道華城半導(dǎo)體新
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擴大市占海力士2012年前擬投資近80億美元
韓國媒體KoreaTimes獨家獲得海力士(Hynix)內(nèi)部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲器廠商提高投資，預(yù)料競爭將加劇。除提高投資外，該份名為「財務(wù)穩(wěn)健中期策
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三星第一季度NANDFlash市占逼近40%大關(guān)
2010年第1季全球NANDFlash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(SamsungElectronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計，三星的市占率高達(dá)39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小
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海力士1Q獲利季增25%
韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)公布2010會計年度第1季(2010年1~3月)財報，與2009年同期凈損1.18兆韓元(約10.62億美元)相比，海力士本季達(dá)成獲利8,220億韓元，比前季成長25%。營收則達(dá)2.82兆韓元，比2009年同期成長115%
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抓緊景氣回升IM Flash新加坡廠提前運作
英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IMFlash，為了趕上半導(dǎo)體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運。2005年英特爾和美光因看好NANDFlash市場，遂于2006年初合資成立IMFlash，由英
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金援DRAM廠再添一例創(chuàng)見借貸15億予力晶
2010年DRAM貨源持續(xù)短缺，由于Windows7換機潮驅(qū)動下，PC大廠DRAM采購規(guī)模持續(xù)擴大，排擠到存儲器模塊廠的貨源，為進(jìn)一步確保與DRAM廠間的合作關(guān)系，且彼此拉進(jìn)距離，日前創(chuàng)見董事會同意貸款給力晶新臺幣15億元，同時
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4月上旬NAND Flash合約價小漲
4月上旬NANDFlash合約價開始小漲，16Gb容量報價上漲2~7%，其次是32Gb容量芯片報價上漲3~4%。近期NANDFlash市場再度受到蘋果(Apple)iPad正式開賣，外界再度燃起了興趣，但消費者反應(yīng)iPad不能無線上網(wǎng)、散熱不佳的問題
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基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動設(shè)計
基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動設(shè)計
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基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動設(shè)計
基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動設(shè)計
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三星跳電存儲器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)
三星電子(SamsungElectronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當(dāng)緊張，甚至傳出高容量32GbNANDFlash芯片亦受影響，尤其目前包括MobileRAM、SDRAM和NORF
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三星跳電 NAND、DRAM停止報價
DRAM龍頭大廠三星半導(dǎo)體24日下午生產(chǎn)線意外跳電，旗下位于企興（Kiheung）的12吋廠與8吋廠，分別負(fù)責(zé)生產(chǎn)NANDFlash、利基型DRAM產(chǎn)線跳電長達(dá)30分鐘至40分鐘，由于情形不明，廠商相繼縮手，同步停止DRAM、NANDFlash報
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NANDFlash控制芯片業(yè)淘汰賽登場SSD時代加速產(chǎn)業(yè)整合
NANDFlash控制芯片市場曾吸引眾多IC設(shè)計業(yè)者爭相投入，隨著快閃記憶卡市場飽和，以及固態(tài)硬碟(SSD)競爭對手環(huán)伺，過去擁有NANDFlash大廠作靠山便是票房保證的時代已不再，未來NANDFlash大廠對于控制芯片業(yè)者而言，恐
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DRAM跌價襲擊模塊廠1月營收處變不驚
2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NANDFlash價格比預(yù)期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響，而呈
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NANDFlash合約價止跌高容量芯片有漲聲
NANDFlash市場未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NANDFlash合約價大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲，低容量芯片要嚴(yán)防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple-LevelCell)成為市場的價格
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海力士4Q獲利6，570億韓元創(chuàng)3年新高
全球第2大計算機存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報，隨著全球個人計算機(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來新高。 2009年第4季海力士營收為2。8兆韓元(約24。7億美元)，較第3季大幅成長32%，海力士營收成
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海力士金鐘甲：將擴增NANDFlash產(chǎn)能
據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo)，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-KapKim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時，海力士希望于2010年增加在DRAM市場的市占率，并倍增NANDFlash的產(chǎn)能。 根據(jù)研究機構(gòu)iSup
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金士頓砸1億美元綁樁海力士產(chǎn)能
2010年存儲器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援，
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威剛陳立白：今年DRAM市場多處于缺貨狀態(tài)
存儲器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進(jìn)1個股本的豐碩成績單，董事長陳立白表示，2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時間將處于缺貨的狀態(tài)，只要價格維持平穩(wěn)，預(yù)計對于模塊產(chǎn)業(yè)絕對是好事，往年會是傳統(tǒng)淡季的第2季，2010年將會見
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韓國FTC：NANDFlash大廠無操控價格
據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)，韓國公平貿(mào)易委員會(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NANDFlash存儲器大廠有任何操控價格的證據(jù)，將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外，韓國FTC表示，至目前為止所有和存儲器市場相關(guān)的操控價格調(diào)查皆已完成，包括DRA
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