NANDFLASH

納米制程遇瓶頸　業(yè)者積極研發(fā)次世代存儲(chǔ)器

隨著存儲(chǔ)器容量越來越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲(chǔ)器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(

海力士2Q營收26億美元　營業(yè)利益4.2億美元

韓半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)21日上午發(fā)布2011年第2季財(cái)報(bào)。海力士第2季營收2.76兆韓元(約26.15億美元)，營業(yè)利益4,470億韓元(約4.24億美元)，與2010年同期相比營收減少16%、營業(yè)利益減少56%，然與2011年第1季相比，雖

海力士2Q營收26億美元

韓半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)21日上午發(fā)布2011年第2季財(cái)報(bào)。海力士第2季營收2.76兆韓元(約26.15億美元)，營業(yè)利益4,470億韓元(約4.24億美元)，與2010年同期相比營收減少16%、營業(yè)利益減少56%，然與2011年第1季相比，雖

海力士轉(zhuǎn)換NAND Flash制程　主打26納米產(chǎn)品

韓國半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NANDFlash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NANDFlash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。海力士相關(guān)人員表示，26納米制程N(yùn)ANDFlash比

臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)要有活路　集成是唯一之道

存儲(chǔ)器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲(chǔ)器景氣波動(dòng)，2010年全球獨(dú)立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關(guān)，NANDFlash市場布局也成功跨足固態(tài)硬盤(SSD)市場，面對臺(tái)灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當(dāng)下，金士頓創(chuàng)辦人之一的杜

NAND Flash價(jià)格滑落　創(chuàng)27個(gè)月來新低

據(jù)韓國媒體指出，NANDFlash價(jià)格連續(xù)大幅滑落，寫下27個(gè)月來新低。最具代表性的NANDFlash產(chǎn)品16Gb2Gx8MLC在5月下半的合約價(jià)為3.12美元，由于平板計(jì)算機(jī)需求未達(dá)預(yù)期，造成產(chǎn)品囤積，且大陸強(qiáng)化取締非法手機(jī)產(chǎn)品，低容

閃存芯片產(chǎn)業(yè)災(zāi)情慘重 漲價(jià)勢在必行

日本東北地區(qū)日前出現(xiàn)超級(jí)強(qiáng)地震，雖然真正損失暫無法評估，以存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)而言，東芝(Toshiba)因?yàn)榈卣鹪斐缮a(chǎn)線中斷，以及日前停電造成4.8萬片12寸晶圓受損，NANDFlash閃存供給將大幅短缺，短線將推升報(bào)價(jià)上揚(yáng)。爾必達(dá)

NAND Flash需求急凍　模組廠瀕臨警戒線

全球NANDFlash市場需求在5月進(jìn)入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機(jī)大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營收

創(chuàng)見：臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)缺乏技術(shù)根基

創(chuàng)見董事長束崇萬看好下半年DRAM和NANDFlash市場景氣都不錯(cuò)，對存儲(chǔ)器模塊廠而言，是風(fēng)險(xiǎn)不大的一年，但談到臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)前景，他感慨表示，DRAM產(chǎn)業(yè)最大問題的關(guān)鍵不是在于景氣波動(dòng)，而是臺(tái)灣沒有自有DRAM技術(shù)，但現(xiàn)

NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換　下半年20納米當(dāng)?shù)?/a>

美光：不排除授權(quán)華亞科代工NAND Flash

由于智能型手機(jī)等行動(dòng)裝置應(yīng)用驅(qū)動(dòng)NANDFlash需求成長，加上日本強(qiáng)震造成東芝(Toshiba)5、6月NANDFlash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能

存儲(chǔ)器業(yè)淘汰賽烽煙再起 臺(tái)美聯(lián)手擊退日系陣營

日本老牌存儲(chǔ)器模塊廠荻原系統(tǒng)（HagiwaraSys-Com）由于負(fù)債累累，日前驚傳申請日本民事再生法，亦即破產(chǎn)保護(hù)，讓業(yè)界相當(dāng)震驚。荻原過去在存儲(chǔ)器模塊領(lǐng)域曾經(jīng)紅極一時(shí)，成立時(shí)間也超過30年，與NANDFlash大廠東芝（To

存儲(chǔ)器模塊業(yè)淘汰賽再起　臺(tái)美聯(lián)手擊退日系陣營

日本老牌存儲(chǔ)器模塊廠荻原系統(tǒng)(HagiwaraSys-Com)由于負(fù)債累累，日前驚傳申請日本民事再生法，亦即破產(chǎn)保護(hù)，讓業(yè)界相當(dāng)震驚。荻原過去在存儲(chǔ)器模塊領(lǐng)域曾經(jīng)紅極一時(shí)，成立時(shí)間也超過30年，與NANDFlash大廠東芝(Toshi

海力士：DRAM市況可望進(jìn)入恢復(fù)期

海力士(Hynix)30日召開定期股東大會(huì)，社長權(quán)五哲表示，DRAM價(jià)格已觸底，市況可望進(jìn)入恢復(fù)期，而權(quán)五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價(jià)格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出

震后韓系半導(dǎo)體廠受益 日系廠受制約

日本2011年3月11日下午發(fā)生9.0級(jí)強(qiáng)震，雖然日系兩大存儲(chǔ)器廠東芝(Toshiba)和爾必達(dá)(Elpida)工廠并不在直接災(zāi)區(qū)附近，但仍對于整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)生巨大影響。震央附近的巖手縣，其半導(dǎo)體廠包括東芝、富士通、索尼等，其中

東芝受311地震影響

東芝(Toshiba)是全球第2大NANDFlash供應(yīng)商，市占率約35%，與龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)不相上下，目前位于日本的12吋晶圓廠是和快閃記憶卡大廠新帝(SanDisk)合資建立，位于關(guān)西(Kansai)地區(qū)四日市，在日本3

宣明智：臺(tái)DRAM廠從與美日廠雙打淪為撿球員

聯(lián)電榮譽(yù)副董事長宣明智表示，臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)錯(cuò)過最佳的DRAM產(chǎn)業(yè)集成時(shí)間點(diǎn)后，未來臺(tái)系DRAM廠與國際大廠之間的關(guān)系，從過去與它們打「雙打」的角色，變成美日大廠自己「單打」，臺(tái)廠恐淪為只有撿球的份；

全球NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)競賽3缺1　海力士動(dòng)向受注目

存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報(bào)價(jià)下跌影響而驟降，除了積極布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外，市場認(rèn)為目前全球4大NANDFlash陣營中，唯一沒有宣布要擴(kuò)產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計(jì)算機(jī)和智

NAND Flash下半年需求急增價(jià)格陷拔河賽

農(nóng)歷春節(jié)前這一波DRAM價(jià)格漲的又急又猛，記憶體業(yè)者表示，其實(shí)DRAM終端需求并沒這么強(qiáng)，但過去DRAM急漲現(xiàn)象常發(fā)生，應(yīng)以平常心看待，反觀NANDFlash市場未來在傳統(tǒng)記憶卡和隨身碟市場要再成長并不容易，未來將寄望平板

朝鮮半島交鋒　臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)仍難救贖

南朝鮮軍事緊張情勢再度升高，由于韓國是全球存儲(chǔ)器DRAM和NANDFlash生產(chǎn)重鎮(zhèn)，三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)合計(jì)囊括全球超過60%市占率，NANDFlash則合計(jì)有超過50%市占，加上臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)近2年來被韓