NANDFLASH

海力士：2010年DRAM供不應(yīng)求

據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現(xiàn)，將提升資本支出并擴張產(chǎn)能。 海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-KapKim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑，此外，預(yù)期2010

東芝、爾必達提高半導(dǎo)體事業(yè)資本支出

自2009年夏季起全球半導(dǎo)體市場需求回溫，日本半導(dǎo)體大廠增資動作亦轉(zhuǎn)趨積極。日本經(jīng)濟新聞報導(dǎo)指出，東芝(Toshiba)將與美國業(yè)者共同投資1，500億日圓(約16億美元)于NANDFlash事業(yè)，提高約4成產(chǎn)能；爾必達(Elpida)亦計

12月上旬合約價DRAM持平Flash下跌

12月上旬的存儲器合約價格中，DRAM合約價意外持平開出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個人計算機(PC)廠急單涌入之故；而NANDFlash合約價格則反應(yīng)市場需求不佳，16Gb芯片價格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合

三星電子計劃2010年將DRAM市占率提升至45%

據(jù)KoreaTimes報導(dǎo)，全球最大存儲器制造商三星電子(SamsungElectronics)計劃于2010年將全球DRAM市場市占率提升至45%。 三星高層透露，三星看好存儲器芯片市場的未來展望，計劃于2010年將全球DRAM市占率提升至45%，同

NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計和驅(qū)動開發(fā)

NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計和驅(qū)動開發(fā)

NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計和驅(qū)動開發(fā)

NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計和驅(qū)動開發(fā)

存儲芯片市場前景令人堪憂

去年，一場嚴重的“價格寒流”席卷了整個存儲芯片領(lǐng)域，存儲芯片市場亦受到了前所未有的沖擊。業(yè)界巨頭三星電子2007年第四季度財務(wù)報告顯示，由于計算機存儲芯片的平均銷售價格迅速下滑，該公司的利潤下降了6.6%。DR

NAND Flash品牌廠商2008年營收排名出爐 三星蟬聯(lián)榜首

2008年第四季全球NANDFlash品牌廠商整體營收為22億2千7百萬美元，較上一季的27億6千1百萬美元下跌19.3%。2008年第四季NANDFlash品牌廠商營收均呈現(xiàn)衰退，由于持續(xù)受到全球總體經(jīng)濟表現(xiàn)疲弱的沖擊，全球消費者信心指數(shù)

存儲芯片分銷市場：高風(fēng)險的博弈

存儲芯片分銷市場：高風(fēng)險的博弈

存儲芯片分銷市場：高風(fēng)險的博弈

SSD將成為新的半導(dǎo)體需求市場

隨著NANDFlash(非易失閃存技術(shù))價格的持續(xù)下滑，作為下一代存儲設(shè)備的SSD(SolidStateDrive，固態(tài)硬盤)有望成為新的半導(dǎo)體市場需求。在2010年以后，SSD將會成為世界NANDFlash存儲市場中的主要品種，而各大存儲技術(shù)相關(guān)

基于Nandflash的Bootloader的設(shè)計與實現(xiàn)

文章詳細說明了從Nandflash引導(dǎo)操作系統(tǒng)要完成的主要任務(wù)和實現(xiàn)方法，并給出了在S3C2410上實現(xiàn)Nandflash啟動的試驗結(jié)果。

基于Nandflash的Bootloader的設(shè)計與實現(xiàn)

文章詳細說明了從Nandflash引導(dǎo)操作系統(tǒng)要完成的主要任務(wù)和實現(xiàn)方法，并給出了在S3C2410上實現(xiàn)Nandflash啟動的試驗結(jié)果。