隨著電子產(chǎn)品市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大,閃存器無疑將獲得極大的增長(zhǎng)。這種增長(zhǎng)在很大程度上取決于存儲(chǔ)器的非易失性、低功耗、高密度和重量輕等特點(diǎn)。多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)集于一身使得閃存器在移動(dòng)電子和嵌入式領(lǐng)域中得到了極
Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件,成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主要載體。
很久以前,在AndyGrove主導(dǎo)Intel的時(shí)代,Intel的DRAM業(yè)務(wù)因日本DRAM(如NEC,之后成為Elpida)的大舉進(jìn)攻而虧損,最后被迫關(guān)閉該業(yè)務(wù),全心轉(zhuǎn)型、聚焦發(fā)展CPU。但DRAM與PC息息
0 引言Bootloader通常稱為系統(tǒng)引導(dǎo)加載程序,是系統(tǒng)加電或復(fù)位后執(zhí)行第一段代碼[ 1 ]。一般它只在系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)運(yùn)行非常短時(shí)間,但對(duì)于嵌入式系統(tǒng)來說,這是一個(gè)非常重要系統(tǒng)
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,近期各家智慧型手機(jī)大廠備貨力道明顯升溫,加上NANDFlash廠商加速轉(zhuǎn)進(jìn)新制程導(dǎo)致供貨縮減,6月上旬NANDFlash合約價(jià)上
【導(dǎo)讀】隨著DRAM和NANDFlash市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)崩跌,不僅上游DRAM廠營(yíng)收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況,下游存儲(chǔ)器模塊廠亦受到牽累,10月營(yíng)收亦持續(xù)下滑,其中,威剛10月營(yíng)收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示,預(yù)期11月營(yíng)收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景
【導(dǎo)讀】9月12日,全球第一大內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠商——韓國(guó)三星電子,在西安的存儲(chǔ)芯片工廠宣布動(dòng)工。預(yù)期可于2013年底前量產(chǎn)10nm級(jí)NAND型閃存(NANDFlash),成為三星有史以來投資額最高的海外芯片制造廠。 摘要: 9月
【導(dǎo)讀】由于市場(chǎng)擔(dān)心旺季不旺導(dǎo)致NAND Flash市場(chǎng)交易清淡,但是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等新產(chǎn)品備貨需求,仍驅(qū)動(dòng)9月上旬NAND Flash合約價(jià)均價(jià)持平甚至小漲格局。預(yù)期NAND Flash合約價(jià)在近期仍將持平,第四季價(jià)格走勢(shì)
2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫,許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲(chǔ)器大廠,紛積極募資搶錢,而最直接方式便是向下游存儲(chǔ)器模塊廠借錢,未來再以貨源抵債,近期海力士(Hyn
為因應(yīng)持續(xù)成長(zhǎng)的智慧手機(jī)與平板電腦需求,日本大廠東芝(TOSHIBA)未來3年內(nèi)將在生產(chǎn)半導(dǎo)體的四日市工廠,斥資7000億日?qǐng)A(2071億元臺(tái)幣)投資最新設(shè)備,力拼在NANDFlash全球市占居首的三星電子(SAMSUNG)。去年夏
三星電子(SamsungElectronicsCo.,Ltd.)29日公布,2014年第1季(1-3月)半導(dǎo)體部門合并營(yíng)收年增9%(季減10%)至9.39兆韓圜;合并營(yíng)益年增82%(季減2%)至1.95兆韓圜。三星指出,1-3月記憶體營(yíng)收年增23%(季減3%)至6.29兆韓圜
三星電子(SamsungElectronicsCo.,Ltd.)29日公布,2014年第1季(1-3月)半導(dǎo)體部門合并營(yíng)收年增9%(季減10%)至9.39兆韓圜;合并營(yíng)益年增82%(季減2%)至1.95兆韓圜。三星指出,1-3月記憶體營(yíng)收年增23%(季減3%)至6.29兆韓圜
韓聯(lián)社首爾3月26日電據(jù)三星電子負(fù)責(zé)人26日消息,三星電子在西安的半導(dǎo)體工廠預(yù)計(jì)于5月竣工,開工后以生產(chǎn)10納米芯片和3D垂直NANDFlash芯片為主。工廠始建于2012年9月,投資達(dá)70億美元,是三星電子在中國(guó)進(jìn)行的最大規(guī)
在嵌入式Linux的開發(fā)工作中,常用的存儲(chǔ)設(shè)備有NorFlash和NandFlash,其中價(jià)格低廉并適用于高密度和大容量存儲(chǔ)的NandFlash運(yùn)用更為廣泛[1]。YAFFS(Yet Another Flash File
南韓為全球記憶體主要出口國(guó)之一,為因應(yīng)其半導(dǎo)體以記憶體為大宗出口產(chǎn)品,南韓將半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)區(qū)分為記憶體與非記憶體兩大項(xiàng)。2013年南韓記憶體因全球DRAM、NANDFlash價(jià)格均較2012年上揚(yáng),順差金額較2012年顯著擴(kuò)大
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示,在NANDFlash業(yè)者原先對(duì)于2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀,導(dǎo)致產(chǎn)出成長(zhǎng)高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求,以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響NA
南韓為全球記憶體主要出口國(guó)之一,為因應(yīng)其半導(dǎo)體以記憶體為大宗出口產(chǎn)品,南韓將半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)區(qū)分為記憶體與非記憶體兩大項(xiàng)。2013年南韓記憶體因全球DRAM、NANDFlash價(jià)格均較2012年上揚(yáng),順差金額較2012年顯著擴(kuò)大
美國(guó)、臺(tái)灣、中國(guó)大陸電子行業(yè)指數(shù)除美國(guó)外11月跑贏大盤:11月費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)上漲0.62%,道瓊斯指數(shù)上漲3.47%;臺(tái)灣電子零組件指數(shù)上漲1.1%,臺(tái)灣加權(quán)指數(shù)下跌0.51%:大陸CSRC電子行業(yè)指數(shù)上漲10.37%,滬深300指數(shù)上漲
元器件交易網(wǎng)訊 11月4日,興業(yè)證券公布了半導(dǎo)體行業(yè)2013年10月月報(bào)。報(bào)告中指出,8月全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額258.7億美元,是自2013年以來的月度最高值,同比上漲6.4%,環(huán)比上漲1.3%。持續(xù)受到SK海力士火災(zāi)影響,全球DR
美國(guó)、臺(tái)灣、中國(guó)大陸電子行業(yè)指數(shù)9月跑贏大盤:9月費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)上漲7.24%,道瓊斯指數(shù)上漲2.16%;臺(tái)灣電子零組件指數(shù)上漲2.4%,臺(tái)灣加權(quán)指數(shù)上漲1.89%;大陸CSRC電子行業(yè)指數(shù)上漲4.81%,滬深300指數(shù)上漲4.11%。8月全