Sk海力士

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東芝、閃迪訴SK海力士竊取其先進(jìn)閃存芯片技術(shù)

外媒報(bào)道稱，日本東芝和美國SanDisk對(duì)韓國SK海力士提出民事訴訟，稱SK海力士涉嫌竊取其用于智能手機(jī)及平板電腦的主要閃存芯片技術(shù)相關(guān)資料，并要求損害賠償。SK海力士表示尚未收到該件訴訟通知，并不予置評(píng)。報(bào)道稱，

消費(fèi)電子
2014-03-18

東芝閃存芯片芯片技術(shù) SK海力士
三星、SK海力士擬擴(kuò)大TSV技術(shù)　設(shè)備業(yè)者可望受惠

伴隨半導(dǎo)體制程進(jìn)化到3D結(jié)構(gòu)，相關(guān)設(shè)備業(yè)者在股市上也倍受注目。南韓金融投資業(yè)界指出，三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)等半導(dǎo)體業(yè)者在3DNAND之后，將擴(kuò)大矽穿孔(TSV)技術(shù)應(yīng)用范圍。矽穿孔技術(shù)是將

半導(dǎo)體
2014-03-14

三星晶圓 TE SK海力士
傳東芝前工程師泄密給韓國SK海力士

日本讀賣新聞（Yomiuri）引述未具名消息人士指出，日本警方取得逮捕令，拘捕一名曾效力東芝半導(dǎo)體合作伙伴的日本技術(shù)人員。根據(jù)彭博報(bào)導(dǎo)，讀賣新聞指出，這名技術(shù)人員于2008年離開東芝的半導(dǎo)體合作伙伴，之后轉(zhuǎn)而投效

通信技術(shù)
2014-03-13

工程師東芝半導(dǎo)體東芝 SK海力士
SK海力士跨足系統(tǒng)半導(dǎo)體　第一步進(jìn)軍PMIC事業(yè)

日前SK海力士(SKHynix)宣誓將強(qiáng)化系統(tǒng)半導(dǎo)體事業(yè)，最近開始向PMIC(電源管理IC)跨出第一步，除活用清州M8產(chǎn)線外，也可能透過購并南韓國內(nèi)外相關(guān)業(yè)者提升競爭力，但SK海力士這招發(fā)展策略是否有效，其實(shí)仍充滿諸多變數(shù)。

半導(dǎo)體
2014-03-12

半導(dǎo)體 PMIC CORE SK海力士
三星、SK海力士擴(kuò)充大陸后段制程　沖擊后段協(xié)力廠

三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)記憶體晶片后段制程生產(chǎn)策略出現(xiàn)變化，由于加速擴(kuò)充大陸后段制程產(chǎn)能，未來將增加自主生產(chǎn)數(shù)量，減少后段制程外包，使得南韓負(fù)責(zé)后段制程外包生產(chǎn)的協(xié)力廠商產(chǎn)生危

模擬
2014-03-12

半導(dǎo)體三星晶片 SK海力士
三星、SK海力士擬擴(kuò)大TSV技術(shù)　設(shè)備業(yè)者可望受惠

伴隨半導(dǎo)體制程進(jìn)化到3D結(jié)構(gòu)，相關(guān)設(shè)備業(yè)者在股市上也倍受注目。南韓金融投資業(yè)界指出，三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)等半導(dǎo)體業(yè)者在3DNAND之后，將擴(kuò)大矽穿孔(TSV)技術(shù)應(yīng)用范圍。矽穿孔技術(shù)是將

模擬
2014-03-12

三星晶圓 TE SK海力士
SK海力士跨足系統(tǒng)半導(dǎo)體第一步進(jìn)軍PMIC事業(yè)

日前SK海力士(SKHynix)宣誓將強(qiáng)化系統(tǒng)半導(dǎo)體事業(yè)，最近開始向PMIC(電源管理IC)跨出第一步，除活用清州M8產(chǎn)線外，也可能透過購并南韓國內(nèi)外相關(guān)業(yè)者提升競爭力，但SK海力士這招發(fā)展策略是否有效，其實(shí)仍充滿諸多變數(shù)。

消費(fèi)電子
2014-03-12

半導(dǎo)體 PMIC CORE SK海力士
三星、SK海力士擬擴(kuò)大TSV技術(shù)　設(shè)備業(yè)者可望受惠

伴隨半導(dǎo)體制程進(jìn)化到3D結(jié)構(gòu)，相關(guān)設(shè)備業(yè)者在股市上也倍受注目。南韓金融投資業(yè)界指出，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等半導(dǎo)體業(yè)者在3D NAND之后，將擴(kuò)大矽穿孔(TSV)技術(shù)應(yīng)用范圍。矽穿孔技

模擬
2014-03-11

三星晶圓 TE SK海力士
SK海力士將強(qiáng)化系統(tǒng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù) 做PMIC是第一步

日前SK海力士(SK Hynix)宣誓將強(qiáng)化系統(tǒng)半導(dǎo)體事業(yè)，最近開始向PMIC(電源管理IC)跨出第一步，除活用清州M8產(chǎn)線外，也可能透過購并南韓國內(nèi)外相關(guān)業(yè)者提升競爭力，但SK海力士這招發(fā)展策略是否有效，其實(shí)仍充滿諸多變數(shù)

消費(fèi)電子
2014-03-10

半導(dǎo)體 PMIC SK海力士
受SK海力士火災(zāi)等因素影響 NAND品牌供應(yīng)商Q4營收下滑4.5%

全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，在NANDFlash業(yè)者原先對(duì)于2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響NA

半導(dǎo)體
2014-03-01

NAND NANDFLASH EMMC SK海力士
2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營收下滑4.5%

全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對(duì)于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影

消費(fèi)電子
2014-02-25

Flash NAND EMMC SK海力士
4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng)，連創(chuàng)5季新高

全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價(jià)勁揚(yáng)，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，

半導(dǎo)體
2014-02-17

DRAM 三星內(nèi)存 SK海力士
4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng)，連創(chuàng)5季新高

全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價(jià)勁揚(yáng)，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，

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2014-02-14

DRAM 三星內(nèi)存 SK海力士
4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng)，連創(chuàng)5季新高

全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價(jià)勁揚(yáng)，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，

消費(fèi)電子
2014-02-12

DRAM 三星內(nèi)存 SK海力士
海力士陸續(xù)復(fù)工　DRAM合約價(jià)漲不動(dòng)

南韓記憶體大廠SK海力士(SKHynix)開始嘗試復(fù)工投片，盡管傳出良率不佳，但產(chǎn)能增加的情況已影響PCOEM系統(tǒng)廠端的合約價(jià)，4GBDDR3記憶體模組維持在34美元，有漲不動(dòng)的趨勢(shì)。DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)在2014年1月急漲一波，主要是大

半導(dǎo)體
2014-01-23

DRAM 海力士 PC SK海力士
DRAM價(jià)格下月恐再跌

研調(diào)集邦科技旗下DRAMeXchange昨（16）日表示，由于SK海力士無錫廠產(chǎn)出逐漸增加，DRAM市場供貨吃緊的狀態(tài)獲舒緩，本月上旬合約價(jià)開始轉(zhuǎn)趨走跌，2月起跌勢(shì)恐加重。DRAM相關(guān)族群昨天受報(bào)價(jià)轉(zhuǎn)趨走跌、恐沖擊后續(xù)營運(yùn)影響

消費(fèi)電子
2014-01-20

DRAM GB EXCHANGE SK海力士
競逐MRAM主導(dǎo)權(quán) 三大陣營變換陣法

【導(dǎo)讀】全球半導(dǎo)體業(yè)者為了執(zhí)掌下一代存儲(chǔ)器芯片主導(dǎo)權(quán)，競爭逐漸白熱化。根據(jù)日本“日經(jīng)新聞”(Nikkei)報(bào)導(dǎo)，東芝(Toshiba)與韓國SK海力士(SK Hynix Inc.)最快將于2016年年度攜手量產(chǎn)下一代存儲(chǔ)器

半導(dǎo)體
2014-01-12

RAM 存儲(chǔ)器芯片東芝 SK海力士
DRAM產(chǎn)業(yè)今年大躍進(jìn) 明年倍景氣

DRAM產(chǎn)業(yè)今年風(fēng)風(fēng)雨雨，先是上半年DRAM價(jià)格飆漲，下半年則是美國DRAM廠美光正式并購日本DRAM廠爾必達(dá)，以及SK海力士無錫廠9月初發(fā)生大火。但對(duì)臺(tái)塑集團(tuán)旗下南科及華亞科來說，今年卻是獲利大躍進(jìn)的一年。身兼南科總經(jīng)

消費(fèi)電子
2013-12-31

DRAM 美光爾必達(dá) SK海力士
SK海力士開發(fā)出超高速存儲(chǔ)器速度提升3倍！

韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士26晶宣布，公司已開發(fā)出超高速存儲(chǔ)器(HBM)。這種超高速存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)處理速度是目前性能最高的處理器速度的4倍，但是電力消耗量卻減少了40%.這種超高速存儲(chǔ)器采用了硅通孔技術(shù)(TSV,Through -Si

智能硬件
2013-12-30

存儲(chǔ)器芯片超高速 SK海力士
海力士大火估損9億美元恐成國內(nèi)最大保險(xiǎn)理賠案

今年9月初發(fā)生在無錫新區(qū)SK海力士的一場大火已經(jīng)過去了幾個(gè)月，這場大火盡管沒有人員傷亡，但其影響卻很大，比如在國內(nèi)芯片市場和保險(xiǎn)市場方面。昨日（12月19日），有險(xiǎn)企人士向《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者透露，SK海力士大

半導(dǎo)體
2013-12-27

三星半導(dǎo)體行業(yè) 海力士 SK海力士

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東芝、閃迪訴SK海力士竊取其先進(jìn)閃存芯片技術(shù)

三星、SK海力士擬擴(kuò)大TSV技術(shù)　設(shè)備業(yè)者可望受惠

傳東芝前工程師泄密給韓國SK海力士

SK海力士跨足系統(tǒng)半導(dǎo)體　第一步進(jìn)軍PMIC事業(yè)

三星、SK海力士擴(kuò)充大陸后段制程　沖擊后段協(xié)力廠

三星、SK海力士擬擴(kuò)大TSV技術(shù)　設(shè)備業(yè)者可望受惠

SK海力士跨足系統(tǒng)半導(dǎo)體第一步進(jìn)軍PMIC事業(yè)

三星、SK海力士擬擴(kuò)大TSV技術(shù)　設(shè)備業(yè)者可望受惠

SK海力士將強(qiáng)化系統(tǒng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù) 做PMIC是第一步

受SK海力士火災(zāi)等因素影響 NAND品牌供應(yīng)商Q4營收下滑4.5%

2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營收下滑4.5%

4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng)，連創(chuàng)5季新高

4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng)，連創(chuàng)5季新高

4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng)，連創(chuàng)5季新高

海力士陸續(xù)復(fù)工　DRAM合約價(jià)漲不動(dòng)

DRAM價(jià)格下月恐再跌

競逐MRAM主導(dǎo)權(quán) 三大陣營變換陣法

DRAM產(chǎn)業(yè)今年大躍進(jìn) 明年倍景氣

SK海力士開發(fā)出超高速存儲(chǔ)器速度提升3倍！

海力士大火估損9億美元恐成國內(nèi)最大保險(xiǎn)理賠案

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