近日,SK海力士宣布,已經(jīng)成功研發(fā)并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片,雖然包括SK海力士在內(nèi)多家廠商都研發(fā)出了1Tb QLC閃存,但這是TLC閃存第一次達(dá)到單顆1Tb。距離去年量產(chǎn)96層4
1、一塊SSD由主控、DRAM緩存和NAND閃存三種芯片所組成,主控是SSD的大腦,SSD所做的東西全部都是它所控制的;DRAM緩存則是高速緩沖區(qū),具體作用要看主控的算法而定,有些是用來(lái)放LBA表的,
目前 64-Layer 3D TLC 已經(jīng)是主流 SSD 選配的存儲(chǔ)器顆粒,用 96-Layer 顆粒的 SSD 也開(kāi)始上市。然而這當(dāng)然并不是終點(diǎn),業(yè)界已經(jīng)正在步向 128-Layer 的存儲(chǔ)器顆粒了。在年初的 Flash Memory Summit 2019,SK Hynix、長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)宣布了相關(guān)的計(jì)劃,現(xiàn)在 Toshiba 與 Western Digital (WD)的 128-Layer 存儲(chǔ)器顆粒計(jì)劃也泄漏出來(lái)了。
今年64層堆疊的3D TLC閃存已經(jīng)是SSD市場(chǎng)的絕對(duì)主流,用96層堆疊閃存的SSD也開(kāi)始上市了,廠商們已經(jīng)向更高層的128層堆疊進(jìn)軍,在年初的2019閃存峰會(huì)上SK海力士還有國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)宣布了他們的開(kāi)發(fā)計(jì)劃,現(xiàn)在東芝與西數(shù)的128層堆疊閃存計(jì)劃也泄露了出來(lái)。
游戲玩家的電腦里要是不裝上一塊SSD呀,都不好意思跟人打招呼。很多玩家在選購(gòu)SSD的時(shí)候會(huì)糾結(jié)里面的顆粒是MLC還是TLC,但其實(shí)對(duì)數(shù)據(jù)安全影響更大的是顆粒的級(jí)別,下面我們就來(lái)聊一聊水深的顆粒。英特爾
TLC展示的折疊屏采用AMOLED柔性屏面板,還是來(lái)自兄弟產(chǎn)業(yè)華星光電的技術(shù)與產(chǎn)品,攻克了產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中的多個(gè)難點(diǎn)。
在不久前的三星技術(shù)會(huì)議上,三星宣布了一系列新的技術(shù),同時(shí)更新了路線圖。作為存儲(chǔ)界的一方巨擎,三星也代表了未來(lái)存儲(chǔ)界的業(yè)界趨勢(shì)和走向。將TLC進(jìn)行到底目前的存儲(chǔ)界,使用TLC已經(jīng)是大勢(shì)所趨。雖然在多年的打磨和
PM981NVMe SSD和使用64層3D TLC的970 EVO零售版本將分別由PM981a和970 EVO Plus繼承。容量選項(xiàng)保持不變,范圍從250GB到2TB。最重要的性能改進(jìn)是順序?qū)懭胨俣龋玃M981a還帶來(lái)了顯著的隨機(jī)I / O改進(jìn)。
憑借高速讀寫(xiě)、低噪音和抗震等優(yōu)勢(shì),SSD取代HDD已成為時(shí)代必然,但受成本和容量影響,SSD在15年的發(fā)展里并未完成這一壯舉。而QLC SSD的出現(xiàn),在容量上已能與HDD齊平,并在價(jià)格上試圖將SSD拉
東芝日前發(fā)布了全球首個(gè)基于QLC(四比特單元) BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片,64層堆疊封裝,單顆容量可以做到768Gb(32GB),可以帶來(lái)容量更大、成本更低的SSD產(chǎn)品。不過(guò)隨著NAND閃存技術(shù)的發(fā)展,壽命和耐用性一直是個(gè)讓人憂慮的問(wèn)題。
SLC、MLC和TLCOFweek電子工程網(wǎng)訊:X3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸,最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell),原理是在1個(gè)存儲(chǔ)器
西數(shù)今天正式宣布成功試產(chǎn)全球首款64層512GB TLC NAND芯片,這意味著未來(lái)500GB以及TB級(jí)大容量SSD價(jià)格有望出現(xiàn)大幅跳水。
我們享受高速SSD給我們帶來(lái)行云流水般流暢使用系統(tǒng)的時(shí)候,同時(shí)我們最最最擔(dān)心的就是它的壽命!畢竟最好的顆粒SLC都是有它的壽命期限的,大限一到誰(shuí)也挽救不了,更何況是TLC?出于市場(chǎng)的需求,TLC顆粒的SSD是目前主流中的主流,大家有曾想過(guò)它可編程擦寫(xiě)次數(shù)寫(xiě)滿后會(huì)是神馬體驗(yàn)?
21ic訊,英特爾是全球領(lǐng)先的芯片廠商,在物聯(lián)網(wǎng)浪潮來(lái)臨之際,英特爾也早早地就成立了專門的物聯(lián)網(wǎng)部門。在智能硬件領(lǐng)域,英特爾的研究院也多有涉足。然而外部可能對(duì)英特爾研究院感覺(jué)十分神秘,到底這里面都有哪些黑
美光科技有限公司今天宣布,其豐富的閃存產(chǎn)品系列又添新成員——為尋求高性能和高可靠性,且極其注重成本的消費(fèi)類應(yīng)用提供了量身定制的解決方案。新型TLC NAND是基于16納米(nm)工藝制造而成,能讓U盤和消費(fèi)類固態(tài)硬盤等應(yīng)用的各方面功能取得理想平衡。預(yù)計(jì)市場(chǎng)在整個(gè)2015年都將對(duì)TLC有強(qiáng)勁需求,占到NAND存儲(chǔ)總量的幾乎一半。
TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報(bào)告顯示,受到新款智慧型手機(jī)上市以及 2015年度蘋果(Apple)新款iPhone即將開(kāi)始拉貨的影響,NAND Flash市況將逐漸增溫
SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸,最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell),原理是在1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料,直到MLC(Multi-Level Ce
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出自身的TLC271可編程運(yùn)算放大器系列 。新產(chǎn)品提供偏置選擇模式,在功耗和交流電性能之間取得更好的平衡,從而滿足以電池供電的消費(fèi)性
復(fù)位芯片TLC77XX的內(nèi)部功能框圖
存儲(chǔ)器系統(tǒng)的復(fù)位電路(TLC7XX)