新的 USB 3.1 Type-C 標準極大地簡化了我們互連和為電子產(chǎn)品供電的方式。該標準利用 USB Type-C 連接器在任意兩個設備之間傳輸高達 100W 的數(shù)據(jù)和功率。因此，電池充電系統(tǒng)需要更多的功能，對于每個新的便攜式設備來說，電池充電系統(tǒng)往往越來越小、越來越輕。本文回顧了典型的 USB Type-C 充電系統(tǒng)，并展示了如何簡化設計，同時在更小的空間內(nèi)提供更多功率和更多功能。
眾所周知，隨著汽車智能化和網(wǎng)聯(lián)化的演進，汽車上配裝的芯片數(shù)量和種類越來越多，但芯片產(chǎn)能并沒有及時跟上，且工業(yè)電源應用、消費電子、電力、通信及其他領(lǐng)域?qū)τ诎雽w產(chǎn)品也存在著巨大的需求。更何況，在去年疫情暴發(fā)后，大量汽車組裝廠關(guān)閉，很多車企也誤判了車市復蘇的速度以及對芯片的需求，導致大量芯片資源向筆記本電腦、智能手機等消費電子產(chǎn)品傾斜。再加上車規(guī)級芯片的技術(shù)門檻相對較高，生產(chǎn)周期也較長，不可能像口罩等防疫物資一樣快速投產(chǎn)。
關(guān)于研究大腦的故事也是一個關(guān)于為此設計技術(shù)的故事。過去幾十年最成功的神經(jīng)科學設備之一是神經(jīng)探針或微小的針狀大腦植入物，它們可以從單個神經(jīng)元接收信號。記錄大腦活動提供了一個獨特的視角，以了解神經(jīng)元如何在復雜的電路中進行交流以處理信息和控制行為。最終需要大規(guī)模的錄音來了解大腦的工作原理并開發(fā)更先進的腦機接口。
國際固態(tài)電路會議 ( ISSCC ) 是對 CMOS 晶體管縮放的慶祝活動。但在他的 ISSCC 全體會議上，TI 的首席技術(shù)官 Ahmad Bahai 要求采取不同的觀點。他沒有計算我們可以在微米級 CMOS 中渲染的晶體管數(shù)量，而是描述了一系列因素，包括巧妙的設計和專門的封裝。
PCIM Europe 2022 以一系列有趣的行業(yè)突破拉開帷幕，其中包括英飛凌最新的SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。這種新型 SiC MOSFET 芯片基于英飛凌最近發(fā)布的先進 M1H SiC MOSFET 技術(shù)。最近的進步實現(xiàn)了更大的柵極電壓窗口，從而提高了芯片導通電阻。
Ansys 是一家專門從事結(jié)構(gòu)、流體動力學、電磁和多物理工程仿真的公司，最近與 Electro Magnetic Applications, Inc. (EMA) 合作推出了其 EMA3D Charge 軟件。EMA3D Charge 是一款模擬軟件，可改進從太空探索到汽車和消費電子產(chǎn)品等應用的設計和安全性。
本文分析了高性能肖特基勢壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺上的成功協(xié)同集成。這些組件的添加使芯片設計具有擴展的功能和更高的性能，使單片集成 GaN 功率 IC 更進一步。這一成就為更小、更高效的DC/DC 轉(zhuǎn)換器和 PoL 轉(zhuǎn)換器 鋪平了道路。
在 2021 年國際電子器件會議 (IEEE IEDM 2021) 上，世界領(lǐng)先的納米電子和數(shù)字技術(shù)研究和創(chuàng)新中心 imec 展示了高-性能肖特基勢壘二極管和耗盡型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200 V GaN-on-SOI 智能功率集成電路 (IC) 平臺上開發(fā)，該平臺在 200 mm 襯底上開發(fā)。添加這些組件可以設計具有擴展功能的芯片并提高性能，從而使單片集成 GaN 功率 IC 更進一步。這一成就為更小、更高效的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和負載點轉(zhuǎn)換器鋪平了道路。
Qorvo 擴展了其 1200V 產(chǎn)品系列，并將其第 4 代SiC FET技術(shù)擴展到更高電壓的應用。 新型 UF4C/SC 系列 1200V 第 4 代 SiC FET 非常適合EV車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC太陽能逆變器、焊機、不間斷電源和感應加熱應用。
工業(yè)應用程序，如服務器電源、不間斷電源(UPS)和電機驅(qū)動器，消耗了世界上的很大一部分電力。因此，工業(yè)電力供應效率的任何提高都將大大降低公司的運營成本。結(jié)合更大的功率密度和更好的熱性能，對高效電源的需求呈指數(shù)級增長。 有幾個因素推動了這種增長。第一個是全球?qū)δ茉匆庾R的提高，以及更明智和更有效地使用能源。第二個是物聯(lián)網(wǎng)(IoT)，它導致各種新技術(shù)和服務引入工業(yè)應用。
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料，計劃顯著降低功率損耗并實現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率，同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復雜性，從而降低了電源系統(tǒng)的整體架構(gòu)。
從人工智能芯片和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心到航空航天應用等處理密集型應用以及所有集成到電動汽車中的設備都在產(chǎn)生大量熱量。由于傳統(tǒng)的熱管理技術(shù)無法跟上所有熱空氣的步伐，麻省理工學院的衍生公司提出了一種冷卻電子設備的新方法。
TI 的多通道電感數(shù)字轉(zhuǎn)換器 (LDC) 具有可調(diào)節(jié)傳感器電流驅(qū)動，可設置最佳傳感器幅度。最佳電流驅(qū)動水平取決于傳感器并基于諧振頻率 R P下的并聯(lián)電阻。與具有較高 R P的傳感器相比，具有較低 R P的傳感器需要更高的電流驅(qū)動。
在我的上一篇文章中，我逐步展示了WEBENCH? Coil Designer如何為電感傳感應用生成傳感器計算機輔助設計 (CAD) 文件。此方法適用于 LDC1614 等單線圈電感式傳感器，但 LDC0851 電感式開關(guān)需要兩個傳感器，可以并排或堆疊。 隨著最新的 WEBENCH 更新，不再需要手動繪制線圈；WEBENCH Coil Designer 可在五分鐘內(nèi)完成線圈設計。今天，我將向您展示如何在 WEBENCH 工具中設計堆疊線圈。
您是否嘗試使用電感式傳感器，但附近有干擾導體？這個問題可以通過在干擾金屬和傳感器線圈之間插入一塊鐵氧體材料來解決。 感應傳感技術(shù)測量導電材料的接近度，例如附近的金屬片。距離最多大約一個傳感器線圈直徑的金屬會影響電感數(shù)字轉(zhuǎn)換器 (LDC) 的電感讀數(shù)，例如LDC1614。
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