• MacBook和iPad Pro專屬：蘋果基于5nm的A14X芯片將開始量產(chǎn)

    據(jù)外媒MacRumors消息，蘋果公司A14X芯片，也就是Apple Silicon Mac和下一代 iPad Pro會(huì)搭載的芯片將于今年第四季度開始大規(guī)模量產(chǎn)。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱，蘋果將從2020年第四季度開始在臺(tái)積電為其新型蘋果自研芯片啟動(dòng)其5nm晶圓，月產(chǎn)量估計(jì)為5000-6000晶圓。 基于A14X芯片的Mac 此前有消息稱，蘋果正為即將推出的新一代MacBook和iPad Pro系列作好準(zhǔn)備，該系列采用自行設(shè)計(jì)的基于Arm的芯片，它們將使用臺(tái)積電的5nm EUV工藝技術(shù)制造。 去年，臺(tái)積電宣布對(duì)新的5nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)進(jìn)行250億美元的投資，以期繼續(xù)保持蘋果處理器的獨(dú)家供應(yīng)商，而且它似乎已經(jīng)獲得了回報(bào)。 有消息稱，首款搭載Apple Silicon的Mac將是12英寸MacBook，續(xù)航在15-20小時(shí)之間。A14X 將采用5納米工藝，基于5nm工藝的A14開發(fā)，性能上要比后者更強(qiáng)。 蘋果首款自研芯片Mac將采用 12 核設(shè)計(jì)，8 顆高性能核心，4顆高能效核心，而消息還顯示，蘋果已經(jīng)開始設(shè)計(jì)第二代Mac處理器，基于A15芯片。 據(jù)說(shuō)蘋果接下來(lái)要有三場(chǎng)發(fā)布會(huì)，9月新iPad、10月iPhone 12，而11月則是上述幾款新品。

    半導(dǎo)體 蘋果 a14x芯片 臺(tái)積電

  • 車載AI芯片，未來(lái)智能汽車的數(shù)字發(fā)動(dòng)機(jī)

    未來(lái)的智能汽車最核心的器件是車載AI芯片，是智能汽車的數(shù)字發(fā)動(dòng)機(jī)，意味著未來(lái)的智能汽車就是一臺(tái)四個(gè)輪子上的超級(jí)計(jì)算機(jī)。當(dāng)下，擁有高算力的車載AI芯片已經(jīng)成為車企們的剛需，將其稱為“通往智能汽車、自動(dòng)駕駛征途上的最強(qiáng)發(fā)動(dòng)機(jī)”也不為過(guò)。 一、“算法、數(shù)據(jù)、算力，三者缺一不可” “一般來(lái)說(shuō)，人工智能技術(shù)的發(fā)展需要三個(gè)要素：數(shù)據(jù)、算法和算力。”在今年全球人工智能和機(jī)器人峰會(huì)(CCF-GAIR 2020)上，人工智能學(xué)院院長(zhǎng)、CCF會(huì)士周志華教授表示。 智能汽車是人工智能技術(shù)落地集大成者，其發(fā)展更是需要這三要素的支撐。車輛的智能化演進(jìn)需要源源不斷的數(shù)據(jù)——數(shù)據(jù)又能反哺汽車的升級(jí)和迭代。 當(dāng)然，大數(shù)據(jù)本身并不必然意味著大價(jià)值。 “數(shù)據(jù)是資源，要得到資源的價(jià)值，就必須進(jìn)行有效的數(shù)據(jù)分析。今天有效的數(shù)據(jù)分析主要依靠機(jī)器學(xué)習(xí)算法”。周志華教授表示。 當(dāng)下，不少主機(jī)廠、零部件供應(yīng)商的軟件意識(shí)都在覺醒，紛紛建立、或者擴(kuò)大自身軟件團(tuán)隊(duì)。 奧迪新任 CEO Markus Duesmann 就正在組建新的團(tuán)隊(duì)，希望依托大眾集團(tuán)的資源，用200名工程師打造全新的計(jì)算機(jī)驅(qū)動(dòng)車輛系統(tǒng)。 “在數(shù)字化上我們確實(shí)落后了。”Duesmann 在奧迪總部接受采訪時(shí)說(shuō)道。“汽車技術(shù)的發(fā)展早已不再以體型論英雄，車輛的電子與電氣化架構(gòu)才最為重要?！痹谒磥?lái)，豪華車和高端型號(hào)現(xiàn)在就應(yīng)該靠著算力與傳感器級(jí)別來(lái)建立與其他產(chǎn)品的差異化。 盡管大眾首批ID.3的軟件問(wèn)題也還有待解決，但大眾和奧迪對(duì)特斯拉發(fā)起的追趕意味不言而明。 更早之前，豐田宣布成立新的控股子公司，專注于開發(fā)自動(dòng)駕駛、新的汽車操作系統(tǒng)以及高清地圖等軟件業(yè)務(wù)。 在國(guó)內(nèi)，上汽集團(tuán)也于7月成立了獨(dú)立的軟件團(tuán)隊(duì)公司，并表示在2023年將團(tuán)隊(duì)規(guī)模擴(kuò)大至2200人。 這種對(duì)軟件的加大碼注，無(wú)疑會(huì)促進(jìn)汽車智能化更快地到來(lái)。 打造一輛智能化汽車需要軟硬件的高度耦合。除了軟件，車輛的底層硬件，是更加不可或缺的一部分。 正如余凱在文章中表示： “制約當(dāng)前智能汽車發(fā)展的核心瓶頸就是車載AI芯片的算力不足，算力就好比智能汽車的腦容量，自動(dòng)駕駛每往上走一級(jí)，所需要芯片算力就要翻一個(gè)數(shù)量級(jí)。要實(shí)現(xiàn)完全自動(dòng)駕駛，我們需要在四個(gè)輪子上搭載天河二號(hào)級(jí)別的計(jì)算能力。” 算力是支撐智能化的根基。如果算力跟不上，再好的算法也無(wú)法支撐其功能落地。 二、算力即權(quán)力時(shí)代，千帆競(jìng)發(fā) 趨勢(shì)愈發(fā)明朗，車載AI芯片上的競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈。 當(dāng)下勢(shì)頭最為強(qiáng)勁的無(wú)疑是英偉達(dá)和特斯拉，雙方的相愛相殺，也成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的大戲。 前腳，英偉達(dá)5月在NVIDIA GTC 2020大會(huì)上，黃仁勛發(fā)布了面向自動(dòng)駕駛領(lǐng)域的Orin系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)，采用的是7nm工藝。 后腳，8月份就有報(bào)道表示，特斯拉正與博通合作研發(fā)新款HW 4.0自動(dòng)駕駛芯片，并于明年第四季度大規(guī)模量產(chǎn)，采用臺(tái)積電7nm技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。 在性能上，英偉達(dá)的新一代SOC Orin，可以提供200TOPS的運(yùn)算能力，是上一代Xavier SOC的7倍，功耗45W，主要面向L2+級(jí)自動(dòng)駕駛場(chǎng)景。 雖然特斯拉HW 4.0自動(dòng)駕駛芯片的性能暫時(shí)還沒公布，但預(yù)計(jì)會(huì)比當(dāng)下HW 3.0自動(dòng)駕駛上的FSD芯片性能要高3倍，預(yù)計(jì)明年第四季度大規(guī)模投產(chǎn)。目前FSD芯片算力72TOPS，功耗36W。 如果特斯拉HW 4.0的算力能提升三倍，則比英偉達(dá)的SOC Orin算力更高?？梢姡谲囕dAI芯片這個(gè)賽道上，特斯拉與英偉達(dá)都對(duì)頭把交椅虎視眈眈。 當(dāng)然，芯片能力的高低不能只看算力的峰值。 因?yàn)樵趯?shí)際場(chǎng)景下，解決問(wèn)題用到的算力可能一半都不到。算力如何跟算法契合，跑得更加快速而精準(zhǔn)，才是解決具體問(wèn)題的關(guān)鍵。 地平線也表示：峰值算力只反映AI芯片理論上的最大計(jì)算能力，而非在實(shí)際AI應(yīng)用場(chǎng)景中的處理能力，有很大的局限性。因此評(píng)估AI芯片的性能，本質(zhì)上應(yīng)該關(guān)注做AI任務(wù)的速度和精度，即“多快”和“多準(zhǔn)”。 在這個(gè)層面，特斯拉自研的芯片無(wú)疑會(huì)和內(nèi)部的AI算法更加契合，而英偉達(dá)的通用芯片，無(wú)法面向客戶的特定算法進(jìn)行優(yōu)化。 也就說(shuō)，軟硬結(jié)合才是更硬的道理。 不過(guò)無(wú)論如何，在這個(gè)算力代表著一定權(quán)力的時(shí)代，特斯拉和英偉達(dá)都嘗到了實(shí)打?qū)嵉奶痤^。 從特斯拉2020年Q2財(cái)報(bào)來(lái)看，特斯拉軟件(包括 Autopilot FSD完全自動(dòng)駕駛選裝包、OTA付費(fèi)升級(jí)以及高級(jí)車聯(lián)網(wǎng)功能)現(xiàn)金收入累積超 10 億美金。 馬斯克自己也說(shuō)：“短期而言，全自動(dòng)駕駛是遠(yuǎn)超其他功能的最大商機(jī)?！币矡o(wú)怪乎其市值于近日超越豐田，成為全球汽車行業(yè)一哥。 英偉達(dá)的市值也不賴，跟其算力提升一樣蹭蹭蹭往上漲。 截止9月3日，英偉達(dá)市值達(dá)到3541億美元，成為全球市值最高的芯片霸主，而昔日的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾市值為2222億美元。 據(jù)AI財(cái)經(jīng)社報(bào)道，一位接近英偉達(dá)和英特爾的人士表示：“實(shí)際上英偉達(dá)的營(yíng)收比英特爾小很多，只有1/7多一點(diǎn)。但AI、自動(dòng)駕駛等概念，推動(dòng)了英偉達(dá)的市值高漲?！? 目前，英偉達(dá)的Xavier芯片已經(jīng)搭載在小鵬 P7、以及沃爾沃、奔馳、豐田等車型上。 這里面存在一個(gè)邏輯：隨著芯片算力的增強(qiáng)，車企們的數(shù)字化驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng)，車輛的智能化表現(xiàn)也會(huì)更加豐富和高級(jí)，同時(shí)也能為車輛品牌方帶來(lái)更高的溢價(jià)空間和銷量。由此，芯片玩家的身價(jià)自然也水漲船高。 地平線余凱也在文章中指出，預(yù)計(jì)到2030年，每輛汽車的車載AI芯片平均售價(jià)將達(dá)1000美元，整個(gè)車載AI芯片市場(chǎng)的規(guī)模將達(dá)到1000億美元，成為半導(dǎo)體行業(yè)最大的單一市場(chǎng)。 三、國(guó)內(nèi)車載AI芯片的新銳力量 正如中國(guó)電動(dòng)汽車百人會(huì)理事長(zhǎng)陳清泰所說(shuō)：在燃油車時(shí)代，國(guó)內(nèi)汽車產(chǎn)業(yè)對(duì)零部件的關(guān)注度和投入度都不夠，國(guó)內(nèi)汽車行業(yè)也一直飽嘗核心零部件空心化的苦果。尤其是在今年新冠疫情爆發(fā)和國(guó)際形勢(shì)變化的情況下，這種缺點(diǎn)暴露的更加明顯。 但隨著汽車新四化浪潮的到來(lái)，汽車零部件的概念和范疇正在被重新定義。三電技術(shù)、自動(dòng)駕駛芯片、傳感器、控制器等硬件，還有高精度地圖、網(wǎng)聯(lián)通信、云控平臺(tái)、AI軟件算法等，都在成為未來(lái)智能汽車的核心技術(shù)。 更重要的是，這些領(lǐng)域的技術(shù)壁壘尚未形成，新進(jìn)入者還有著巨大的創(chuàng)新空間。以車載AI級(jí)芯片為例，即便行業(yè)中有特斯拉和英偉達(dá)相愛相殺，但國(guó)產(chǎn)新銳獨(dú)角獸地平線也逐漸冒出。另一方面瞬息萬(wàn)變的國(guó)際環(huán)境，凸顯了中國(guó)缺芯之痛。 去年，地平線推出中國(guó)第一款車規(guī)級(jí)AI芯片征程2，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)汽車芯片產(chǎn)業(yè)的空白。 如前文所提，車載AI芯片不僅在算力方面有著要求，更要與用戶企業(yè)的算法有極強(qiáng)的適配性。 據(jù)地平線余凱介紹，征程2芯片與當(dāng)前國(guó)際市場(chǎng)主打的專用ADAS芯片不同，有極強(qiáng)的通用性，可以靈活地支持不同軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)差異化功能。 不僅可以應(yīng)用在車輛的智能駕駛域的ADAS上，還可以應(yīng)用于車輛的智能座艙域的人機(jī)交互應(yīng)用方面。 目前，征程2芯片已經(jīng)陸續(xù)簽下了兩位數(shù)的量產(chǎn)定點(diǎn)車型。 在已經(jīng)量產(chǎn)的長(zhǎng)安汽車UNI-T車型上，也可以見到征程2芯片的身影?；谶@款芯片，長(zhǎng)安汽車與地平線聯(lián)合開發(fā)了智能座艙NPU計(jì)算平臺(tái)。 得益于「智能」標(biāo)簽的加持，長(zhǎng)安UNI-T在短短二十天內(nèi)預(yù)售車輛破萬(wàn)。在7月，長(zhǎng)安UNIT的銷量達(dá)到10081輛，跑進(jìn)7月國(guó)產(chǎn)SUV銷量榜的前十。這在國(guó)內(nèi)汽車銷量下行的階段，算是一個(gè)不錯(cuò)的成績(jī)。 摩根士丹利也在長(zhǎng)安汽車二季度的評(píng)估報(bào)告中表示，長(zhǎng)安汽車國(guó)產(chǎn)品牌的強(qiáng)勁增長(zhǎng)讓人印象深刻，長(zhǎng)安CS75 Plus和UNI-T就是典型案例。 這也再次顯示了，智能化功能越來(lái)越成為車企車輛銷量提升的關(guān)鍵要素，也逐漸成為汽車行業(yè)分析師關(guān)注的重點(diǎn)。 地平線表示，今年下半年將針對(duì)國(guó)內(nèi)陸續(xù)推出性能更強(qiáng)大的征程3和征程5芯片。“其中征程3能夠支持泊車輔助等多攝像頭ADAS應(yīng)用，而征程5將達(dá)到單芯片96TOPS的AI算力，組成的自動(dòng)駕駛計(jì)算平臺(tái)具備192-384TOPS算力，可支持L3-L4級(jí)自動(dòng)駕駛?！? 當(dāng)然，地平線的生態(tài)圈朋友并非只有主機(jī)廠，其努力和成果正在得到越來(lái)越多產(chǎn)業(yè)伙伴的認(rèn)可。 近日，地平線與低速自動(dòng)駕駛企業(yè)新石器達(dá)成合作，搭載征程2芯片和感知算法的新石器無(wú)人車將于今年下半年量產(chǎn)部署。 此前，地平線還和地圖服務(wù)提供商凱立德簽署協(xié)議，雙方將共同打造面向后裝市場(chǎng)的主動(dòng)安全和眾包地圖方案，實(shí)現(xiàn)高精度地圖的動(dòng)態(tài)更新。 地平線和圖商易圖通合作的前裝高精度地圖產(chǎn)品也將于年內(nèi)面世。地平線正在努力地賦能產(chǎn)業(yè)，擺脫算力對(duì)智能汽車的掣肘。

    半導(dǎo)體 自動(dòng)駕駛 智能汽車 車載ai芯片

  • 在9月14日前，華為海思到臺(tái)灣包機(jī)運(yùn)回所有麒麟芯片

    美國(guó)政府公布了芯片禁令的時(shí)間，從9月15日開始，美國(guó)便將正式實(shí)施這一禁令。禁令表示任何使用了美國(guó)技術(shù)和設(shè)備的外國(guó)企業(yè)，在未經(jīng)美國(guó)允許的情況下，禁止向華為出口芯片。意味著華為將無(wú)法在生產(chǎn)、夠買手機(jī)芯片。目前，依靠芯片庫(kù)存成為唯一的渠道。 據(jù)爆料，華為海思這幾天會(huì)包一臺(tái)貨運(yùn)專機(jī)到臺(tái)灣，把麒麟與相關(guān)芯片在9月14日之前運(yùn)回所有芯片。 早在8月7日的中國(guó)信息化百人會(huì)2020峰會(huì)上，華為消費(fèi)者業(yè)務(wù)CEO余承東就曾表示，今年秋天上市的Mate 40，將搭載的麒麟9000可能是華為高端芯片的絕版。 余承東表示，華為Mate 40搭載了我們新一代的麒麟9000芯片，將會(huì)擁有更強(qiáng)大的5G能力，更強(qiáng)大的AI處理能力，更強(qiáng)大的CPU和GPU。但華為的芯片生產(chǎn)，只接受了5月15號(hào)之前的訂單，到9月15號(hào)生產(chǎn)就截止了。 有消息稱，麒麟9000備貨量在1000萬(wàn)片左右，有約1000萬(wàn)臺(tái)華為手機(jī)可以用上這一芯片，或許可以支撐半年左右。 不過(guò)，當(dāng)備貨用完后，華為手機(jī)業(yè)務(wù)，尤其是高端手機(jī)業(yè)務(wù)很快會(huì)遇到巨大挑戰(zhàn)。 在美國(guó)新一輪禁令之前，華為還能聯(lián)發(fā)科夠買芯片，但8月17日的新禁令把這一渠道也切斷了。 在8月17日升級(jí)禁令到來(lái)之前，華為自研的麒麟芯片雖然生產(chǎn)受限，但并不影響華為向第三方IC設(shè)計(jì)芯片廠商采購(gòu)，聯(lián)發(fā)科成為華為外購(gòu)芯片的主要供應(yīng)商。8月28日，聯(lián)發(fā)科證實(shí)，目前已經(jīng)依照規(guī)定向美方申請(qǐng)，力爭(zhēng)9月15日之后，可以繼續(xù)向華為出貨。但目前來(lái)看，幾乎沒有希望會(huì)獲得許可。 在芯片遭遇斷貨的情況下，有分析認(rèn)為華為手機(jī)的銷量面臨較大的下滑壓力。 在昨天的華為2020開發(fā)者大會(huì)期間，華為消費(fèi)者業(yè)務(wù)軟件總裁王成錄博士表示：首先我不知道明年會(huì)不會(huì)下滑，至少現(xiàn)在還沒有下滑。現(xiàn)在我們還是在保持著非?？斓脑鲩L(zhǎng)。華為現(xiàn)在遇到的困難，當(dāng)然很挑戰(zhàn)，但是我相信我們可以找到解決方案的。我覺得至少華為手機(jī)到今天仍然還在增長(zhǎng)，我相信我們有辦法跟國(guó)內(nèi)的伙伴一起能夠把這個(gè)問(wèn)題更快地解決。

    半導(dǎo)體 華為 海思 麒麟

  • 從設(shè)備和材料兩個(gè)環(huán)節(jié)，分析我國(guó)芯片供應(yīng)鏈的發(fā)展水平

    28nm技術(shù)，這是當(dāng)下成熟制程與先進(jìn)制程的分界點(diǎn)。完全掌握了28nm技術(shù)，就意味著市場(chǎng)上絕大部分的芯片需求，目前的芯片種類里，除了對(duì)功耗要求比較高的CPU，GPU，AI芯片外，其余的工業(yè)級(jí)芯片其實(shí)都是用的28nm以上的技術(shù)。比如電視、空調(diào)、汽車、高鐵、火箭、衛(wèi)星、工業(yè)機(jī)器人、電梯、醫(yī)療設(shè)備、智能手環(huán)、無(wú)人機(jī)等等，這些驅(qū)動(dòng)芯片的工藝，都是28nm以上的技術(shù)。 目前不僅中芯國(guó)際已經(jīng)掌握了28nm的量產(chǎn)能力，華虹半導(dǎo)體也在2018年實(shí)現(xiàn)了28nm芯片的量產(chǎn)，就量產(chǎn)運(yùn)營(yíng)能力而言，我國(guó)是有足夠儲(chǔ)備的。 從設(shè)備和材料兩個(gè)環(huán)節(jié)，跟大家分析一下我國(guó)芯片供應(yīng)鏈的發(fā)展水平。 一、PART ONE 設(shè)備端 1)硅片設(shè)備 制作硅片，是芯片生產(chǎn)的第一道環(huán)節(jié)，硅單晶爐是制作硅片的主要裝置。 晶盛機(jī)電是該領(lǐng)域龍頭，承擔(dān)過(guò)2項(xiàng)國(guó)家科技重大專項(xiàng)，硅單晶爐技術(shù)領(lǐng)先，國(guó)內(nèi)高端市場(chǎng)占有率第一。 2019 年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 31.09 億元，其中單晶爐實(shí)現(xiàn)營(yíng)收21.73 億元，占比近 70%，毛利 8.29 億元，占比 74.93%。中環(huán)股份、滬硅產(chǎn)業(yè)、有研硅股等硅片企業(yè)都是其客戶。 今年上半年，公司完成了8英寸硬軸直拉硅單晶爐、6 英寸碳化硅單晶爐外延設(shè)備的開發(fā)。其中碳化硅單晶爐已經(jīng)交付客戶使用，外延設(shè)備、拋光設(shè)備完成技術(shù)驗(yàn)證，12英寸半導(dǎo)體單晶爐已經(jīng)在國(guó)內(nèi)知名客戶中產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。 此外，公司增加了半導(dǎo)體拋光液、閥門、磁流體部件、16-32 英寸坩堝等新產(chǎn)品的研發(fā)和市場(chǎng)開拓力度，產(chǎn)業(yè)鏈配套優(yōu)勢(shì)逐步顯現(xiàn)。晶盛機(jī)電早年從光伏設(shè)備行業(yè)起步，逐步進(jìn)入半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，如今又從單一的硅單晶爐設(shè)備，向切片、拋光、外延設(shè)備等拓展，甚至研發(fā)出了第三代碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備。 2)熱處理設(shè)備 熱處理設(shè)備包括臥式爐、立式爐和快速升溫爐(RTP)等，主要是對(duì)硅片進(jìn)行氧化、擴(kuò)散、退火等工藝處理。 北方華創(chuàng)是該領(lǐng)域龍頭，在熱處理設(shè)備的各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域均有成熟的產(chǎn)品線。 今年上半年，公司在長(zhǎng)江存儲(chǔ)獲得 3 臺(tái)硅刻蝕、3 臺(tái) PVD、2 臺(tái)爐管及 5 臺(tái)退火設(shè)備訂單，其中硅刻蝕設(shè)備市占率達(dá) 27%。同時(shí)在華虹系獲得 3 臺(tái)硅刻蝕、1 臺(tái) PVD 及 2 臺(tái)退火設(shè)備訂單;在積塔半導(dǎo)體獲得 2 臺(tái)刻蝕、4 臺(tái)氧化設(shè)備及 1 臺(tái)退火設(shè)備訂單。 北方華創(chuàng)不僅是熱處理設(shè)備的龍頭，還是光伏、鋰電、半導(dǎo)體的硅刻蝕、薄膜沉積、清洗設(shè)備，甚至第三代碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備的龍頭之一。今年上半年，公司的碳化硅(SiC)長(zhǎng)晶爐、刻蝕機(jī)、PVD、PECVD 等第三代半導(dǎo)體設(shè)備開始批量供應(yīng)市場(chǎng); 12 寸硅刻蝕機(jī)、金屬 PVD、立式氧化/退火爐、濕法清洗機(jī)等多款高端半導(dǎo)體設(shè)備也相繼進(jìn)入量產(chǎn)階段，研發(fā)成果有種下餃子的感覺。 3)光刻設(shè)備 光刻是晶圓生產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)，包括光刻機(jī)和涂膠顯影機(jī)。 我國(guó)的光刻機(jī)技術(shù)比較落后，最先進(jìn)的上海微電子也只能量產(chǎn)90nm的沉浸式光刻機(jī)。 據(jù)報(bào)道，上海微電子將在2021年完成首臺(tái)28nm國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的交付。為了加快我國(guó)光刻機(jī)技術(shù)的進(jìn)步，各方群策群力。 據(jù)悉，張江高科參與了上海微電子的A輪融資，投資成本為2.23億元。業(yè)內(nèi)預(yù)測(cè)，考慮在不同市值和不同IPO攤薄比例的情景下，張江高科有望獲得26.6億元到54.9億元之間的稅后投資收益(所得稅率按25%)。 對(duì)我國(guó)光刻機(jī)技術(shù)形成瓶頸制約的，主要是光學(xué)精密元器件的落后。該領(lǐng)域的龍頭是茂萊光學(xué)，目前已獲科創(chuàng)板IPO受理，主要產(chǎn)品包括精密光學(xué)器件、高端光學(xué)鏡頭和先進(jìn)光學(xué)系統(tǒng)三大類業(yè)務(wù)，覆蓋深紫外DUV、可見光到遠(yuǎn)紅外全譜段。 茂萊光學(xué)是上海微電子的核心供應(yīng)商之一，2017-2019年，茂萊光學(xué)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入分別為1.52億元、1.84億元及2.22億元，復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)20.82%。根據(jù)招股書，2019年公司實(shí)現(xiàn)了大視場(chǎng)大數(shù)值孔徑顯微物鏡系列產(chǎn)品、高精度快速半導(dǎo)體制造工藝缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)的量產(chǎn)。 同時(shí)，也在不斷突破紫外光學(xué)的加工和鍍膜、大口徑高精度透鏡加工等各類技術(shù)，推進(jìn)大口徑干涉系統(tǒng)、光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)、車載激光雷達(dá)等高端鏡頭和系統(tǒng)的國(guó)產(chǎn)化研發(fā)。 除了在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開拓，公司在AR/VR、自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域，也成功進(jìn)入了微軟、臉譜、谷歌旗下自動(dòng)駕駛平臺(tái)的供應(yīng)鏈體系。 在涂膠顯影機(jī)領(lǐng)域，芯源微是行業(yè)龍頭。 在國(guó)內(nèi)的涂膠顯影設(shè)備市場(chǎng)上，日本東京電子壟斷了90%的份額，芯源微的市占率為5%左右，是我國(guó)唯一能突破28nm技術(shù)的公司。光刻機(jī)是主要瓶頸，茂萊光學(xué)的深紫外DUV光學(xué)技術(shù)正在研發(fā)中。 4)刻蝕設(shè)備 刻蝕是硅片進(jìn)行光刻之后最重要的流程，包括硅刻蝕、金屬刻蝕和介質(zhì)刻蝕設(shè)備等。 目前，我國(guó)的刻蝕設(shè)備是比較先進(jìn)的，中微公司的第二代電介質(zhì)刻蝕設(shè)備已廣泛應(yīng)用于28到7nm后段制程以及10nm前段制程，北方華創(chuàng)的硅刻蝕機(jī)也在14nm工藝上取得了重大進(jìn)展。 中微公司是該領(lǐng)域的龍頭，2020 年上半年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 9.78 億元，同比增 22.14%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 1.19 億元，同比增 291.98%。 其中，刻蝕設(shè)備營(yíng)收約 6.13 億元，同比增長(zhǎng)約72.53%，在整體營(yíng)收中占比超過(guò)一半。 公司是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)投入強(qiáng)度最大的公司之一，最新定增融資約100億元，用于研發(fā)7nm 以下制程的 CCP 刻蝕設(shè)備、介質(zhì)刻蝕設(shè)備、高端 MEMS 等離子體刻蝕設(shè)備、先進(jìn)3nm技術(shù)的多晶硅刻蝕、3D NAND 多層臺(tái)階刻蝕、ALE 原子層刻蝕設(shè)備、CVD 設(shè)備等。 5)離子注入設(shè)備 硅片刻蝕后，需要將一些特殊的雜質(zhì)離子注入到硅襯底去，這就是離子注入機(jī)。 離子注入機(jī)是半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備中，難度和單價(jià)僅次于光刻機(jī)的關(guān)鍵設(shè)備，此前由美國(guó)AMAT 和 Axcelis 兩大公司壟斷約 70%份額。 我國(guó)該領(lǐng)域的龍頭是萬(wàn)業(yè)企業(yè)旗下的凱世通，背后大股東是上海浦東科技投資公司，我國(guó)頂級(jí)的科技創(chuàng)投勢(shì)力之一。 凱世通2009年成立，早期主要從事光伏行業(yè)的離子注入設(shè)備研發(fā)，出貨量排名世界第一。近兩年，公司開始切入半導(dǎo)體領(lǐng)域，全力推進(jìn)“高能離子注入機(jī)關(guān)鍵技術(shù)研究及樣機(jī)驗(yàn)證”的研發(fā)工作。 2019年，凱世通的晶圓離子注入機(jī)已獲得國(guó)內(nèi)12英寸晶圓廠和主流存儲(chǔ)器芯片廠的產(chǎn)線驗(yàn)證，產(chǎn)品在束流強(qiáng)度指標(biāo)上表現(xiàn)優(yōu)秀。另外，中國(guó)電子科技集團(tuán)旗下的電科裝備也已經(jīng)研制出了大束流28nm高能離子注入機(jī)，并在中芯國(guó)際12英寸生產(chǎn)線現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行使用。 6)薄膜沉積設(shè)備 薄膜沉積工藝，分為物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)和外延三大類。 北方華創(chuàng)的PVD設(shè)備已經(jīng)用于28nm生產(chǎn)線中，14nm工藝設(shè)備也已實(shí)現(xiàn)重大進(jìn)展。沈陽(yáng)拓荊的PECVD設(shè)備已在中芯國(guó)際40-28nm產(chǎn)線使用，ALD設(shè)備也在14nm工藝產(chǎn)線通過(guò)驗(yàn)證。 7)拋光設(shè)備 晶圓制造的后期，需要對(duì)硅片表面進(jìn)行平坦化處理，這就用到了拋光機(jī)。 該領(lǐng)域的龍頭是華海清科，目前處于科創(chuàng)板上市輔導(dǎo)中。 華海清科成立于2013年，實(shí)際控制人為清華大學(xué)，核心團(tuán)隊(duì)成員來(lái)自清華大學(xué)摩擦學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。 根據(jù)中國(guó)國(guó)際招標(biāo)網(wǎng)的信息，今年上半年，華海清科在華虹半導(dǎo)體(無(wú)錫)項(xiàng)目獲得3臺(tái)CMP，累計(jì)獲得5臺(tái)CMP訂單，在該產(chǎn)線的CMP 市占率是38%。此外，華海清科還中標(biāo)上海新昇1臺(tái)CMP設(shè)備，在長(zhǎng)江存儲(chǔ)的CMP設(shè)備份額為14.9%。 華海清科還參與了國(guó)家02專項(xiàng)項(xiàng)目——“28-14nm拋光設(shè)備及工藝、配套材料產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目，是我國(guó)在拋光設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。 8)清洗設(shè)備 幾乎所有工藝流程都需要清洗環(huán)節(jié)，這就用到了清洗設(shè)備。 盛美半導(dǎo)體是該領(lǐng)域的龍頭，目前科創(chuàng)板上市申請(qǐng)已獲受理，并已在2017年美國(guó)納斯達(dá)克上市。 在國(guó)內(nèi)的國(guó)產(chǎn)清洗設(shè)備市場(chǎng)中，盛美占據(jù)80%左右的市場(chǎng)份額，其余20%則由北方華創(chuàng)、芯源微和至純科技三家公司瓜分。 除了盛美，北方華創(chuàng)的清洗設(shè)備也能滿足28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的需求。 作為行業(yè)龍頭，盛美半導(dǎo)體在2009年就研發(fā)出了第一款兆聲波清洗技術(shù)SAPS，并進(jìn)入到SK海力士的無(wú)錫生產(chǎn)線。此后，陸續(xù)研發(fā)出了TEBO、Tahoe等全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體清洗技術(shù)，技術(shù)節(jié)點(diǎn)正向5nm、3nm等先進(jìn)制程工藝不斷突破。 9)檢測(cè)設(shè)備 測(cè)試設(shè)備包括工藝檢測(cè)設(shè)備、硅片測(cè)試設(shè)備和晶圓中測(cè)設(shè)備等，晶圓中測(cè)設(shè)備又包括探針卡、探針臺(tái)和測(cè)試機(jī)等，種類繁多。 該領(lǐng)域的龍頭是賽騰股份，公司通過(guò)收購(gòu)日本Optima進(jìn)入半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域，客戶包括了三星、SK 海力士、臺(tái)積電等頂級(jí)大廠。 目前世界芯片檢測(cè)設(shè)備由美國(guó)科磊、應(yīng)用材料、日本日立三家公司壟斷，合計(jì)市占率高達(dá)75%。我國(guó)的國(guó)產(chǎn)化率在5%以下，賽騰股份瞅準(zhǔn)機(jī)會(huì)，2019年9月以1.6億元收購(gòu)了日本Optima株式會(huì)社67.53%股份。 Optima的規(guī)模雖然不大，2018年實(shí)現(xiàn)收入1.79億元、凈利潤(rùn)3070.55萬(wàn)元。 但由于發(fā)展時(shí)間較早，在晶圓邊緣檢測(cè)、晶圓正面/背面檢測(cè)、宏觀檢測(cè)、針孔檢測(cè)等晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備上有成熟的產(chǎn)品線，技術(shù)儲(chǔ)備對(duì)國(guó)內(nèi)來(lái)說(shuō)是稀缺的。通過(guò)母公司的穿針引線，目前其設(shè)備正陸續(xù)進(jìn)入到國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)線中。截至2020年上半年，Optima的主要國(guó)內(nèi)客戶包括上海新昇、中環(huán)半導(dǎo)體、西安奕斯偉硅片等。 二、PART TWO 材料端 1)硅片 硅片是制作芯片的基底，也是占半導(dǎo)體材料市場(chǎng)比重最大的環(huán)節(jié)。 在國(guó)際市場(chǎng)上，日本的信越化學(xué)、住友勝高、德國(guó)的世創(chuàng)、臺(tái)灣的環(huán)球晶圓為全球四大龍頭，市場(chǎng)合計(jì)占比80%以上。我國(guó)的龍頭是滬硅產(chǎn)業(yè)、中環(huán)股份，雖然規(guī)模尚小，但12英寸大硅片已完全能滿足28nm技術(shù)需求。 其中以滬硅產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大，目前已完成了上海新晟、新傲科技、Okmetic三大子公司布局，產(chǎn)品覆蓋中芯國(guó)際、臺(tái)積電等知名企業(yè)，預(yù)計(jì)2021-2022年12英寸大硅片產(chǎn)能可達(dá)60萬(wàn)片\月。 在新產(chǎn)品的研發(fā)方面，目前公司已開展“20-14nm”的國(guó)家02 專項(xiàng)研發(fā)進(jìn)度，正在認(rèn)證或研發(fā)過(guò)程中的產(chǎn)品規(guī)格超過(guò) 30 種，包括應(yīng)用于 14nm 邏輯芯片、19nm DRAM 芯片及 128 層 3D NAND 產(chǎn)品等。 2)電子特種氣體 半導(dǎo)體生產(chǎn)中幾乎每個(gè)環(huán)節(jié)都要用到電子特氣，因此被稱為半導(dǎo)體制造的“血液”和“糧食”。 電子特氣的純度直接決定了產(chǎn)品的性能、集成度和成品率，這是僅次于硅片的第二大晶圓制造材料。 國(guó)際市場(chǎng)上，美國(guó)空氣化工、普萊克斯、德國(guó)林德、法國(guó)液化空氣、日本大陽(yáng)日酸等五大公司控制著全球90%以上的市場(chǎng)份額，形成寡頭壟斷的局面。 在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，雖然國(guó)產(chǎn)化率還不高，但國(guó)產(chǎn)替代速度是比較快的，本土具有競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)包括華特氣體、南大光電、昊華科技、雅克科技、金宏氣體等。 目前，華特氣體的部分產(chǎn)品已批量供應(yīng)7nm、14nm等晶圓產(chǎn)線，部分氟碳類產(chǎn)品已被臺(tái)積電7nm以下工藝使用。 公司研發(fā)出的20種進(jìn)口替代產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)，其中Ar/F/Ne混合氣、Kr/Ne混合氣、Ar/Ne混合氣、Kr/F/Ne混合氣4種光刻氣產(chǎn)品2017年在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率位居第一，高達(dá)60%。 華特氣體也通過(guò)了全球最大光刻機(jī)供應(yīng)商ASML公司的產(chǎn)品認(rèn)證，并為中芯國(guó)際、華虹宏力等一線企業(yè)供貨。相對(duì)來(lái)說(shuō)，南大光電的產(chǎn)品以磷烷、砷烷等混合氣體為主，市場(chǎng)集中在LED、面板等行業(yè)，半導(dǎo)體特種氣體仍處于開拓階段。 昊華科技的產(chǎn)品以含氟電子氣體(三氟化氮、六氟化硫)為主，市場(chǎng)集中在電力、軍工、光伏領(lǐng)域，半導(dǎo)體特種氣體仍處于開拓階段。雅克科技通過(guò)收購(gòu)成都科美特切入氟碳類氣體行業(yè)，市場(chǎng)集中在電力行業(yè)，并小規(guī)模為臺(tái)積電、美國(guó)intel、美國(guó)TI等企業(yè)供貨。 3)光刻膠 光刻膠是配套光刻機(jī)使用的特殊材料，市場(chǎng)規(guī)模不大，卻是摩爾定律得以不斷推進(jìn)的關(guān)鍵材料之一。 國(guó)際市場(chǎng)上，光刻膠由日本的TOK、JSR、富士膠片、信越化學(xué)、住友化學(xué)，美國(guó)的陶氏化學(xué)等六大公司壟斷。 國(guó)內(nèi)的光刻膠企業(yè)包括北京科華、上海新陽(yáng)、晶瑞股份、南大光電、蘇州瑞紅、恒坤股份等，目前技術(shù)進(jìn)步很快，處于你追我趕的階段。 本土龍頭是北京科華，這是國(guó)內(nèi)目前唯一能匹配荷蘭ASML光刻機(jī)產(chǎn)線供貨的光刻膠公司，彤程新材通過(guò)受讓北京科華 33.70%的股權(quán)為其第一大股東。 科華的光刻膠產(chǎn)品涵蓋KrF、I-line、G-line、紫外寬譜等各細(xì)分領(lǐng)域，客戶包括中芯國(guó)際、華潤(rùn)上華、杭州士蘭、吉林華微電子、三安光電、華燦光電、德豪光電等。 另外，上海新陽(yáng)也在 IC 制造用 ArF 干法、KrF 厚膜膠、I 線等高端光刻膠領(lǐng)域取得重大突破，在建的19000噸/年ArF(干法)光刻膠項(xiàng)目預(yù)計(jì)2022年達(dá)產(chǎn)。過(guò)1-2年將可實(shí)現(xiàn)28nm產(chǎn)線的落地。 4)CMP 拋光材料 拋光液和拋光墊是配合拋光設(shè)備使用的，是CMP拋光工藝的關(guān)鍵材料。 國(guó)際市場(chǎng)上，拋光墊由美國(guó)陶氏化學(xué)(約80%份額)、美國(guó)卡博特、日本東麗等三家公司壟斷，拋光液由美國(guó)的卡博特(約36%份額)、陶氏杜邦、VSM、日本日立、富士美等五家公司壟斷。 都是被美國(guó)、日本兩國(guó)的少數(shù)幾個(gè)企業(yè)把持，主要是由于市場(chǎng)規(guī)模不大，技術(shù)門檻高，并且晶圓廠為了生產(chǎn)質(zhì)量的穩(wěn)定，不愿意輕易更換供應(yīng)商。 結(jié)果就是行業(yè)格局的高度集中，新進(jìn)入者難以找到發(fā)展的機(jī)會(huì)。拋光液領(lǐng)域的龍頭是安集科技，產(chǎn)品已在14nm技術(shù)的芯片產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用，10-7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)正在研發(fā)中，中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、臺(tái)積電、三安光電均為公司客戶。 公司目前擁有拋光液總產(chǎn)能13314.34噸/年，在建產(chǎn)能16100噸/年，在拋光液中使用的CeO2磨料的專利數(shù)量位居全球第一。 公司 2020 年上半年?duì)I業(yè)收入為 1.92 億元，同比增長(zhǎng) 48.56%，發(fā)展迅猛。 拋光墊領(lǐng)域的龍頭是鼎龍股份，2020年上半年拋光墊營(yíng)收 0.21 億元，同比增加 2145.96%，開始進(jìn)入早期放量階段。 公司上半年在國(guó)內(nèi)多個(gè)晶圓廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)、武漢新芯、中芯國(guó)際、合肥長(zhǎng)鑫等取得重大進(jìn)展，拋光墊產(chǎn)品已獲得大客戶的量產(chǎn)驗(yàn)證。 就技術(shù)而言，2020 年上半年推出了DH3110/DH3310 等應(yīng)用于先進(jìn)制程的產(chǎn)品，匹配于28nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)的拋光墊產(chǎn)品已經(jīng)成熟，研發(fā)進(jìn)度已推進(jìn)到 14nm 階段。 5)高純濕電子化學(xué)品 超凈高純?cè)噭┦侵钢黧w成分純度高于99.99%的化學(xué)試劑，主要用于芯片的清洗、蝕刻等制造領(lǐng)域。 這個(gè)領(lǐng)域的集中度相對(duì)較低，歐美、日韓、臺(tái)灣、中國(guó)大陸都有企業(yè)能夠生產(chǎn)，我國(guó)的主要廠家包括上海新陽(yáng)、晶瑞股份、江化微、浙江凱圣和江陰潤(rùn)瑪?shù)?。其中，龍頭是上海新陽(yáng)，其超純電鍍硫酸銅電鍍液已成功進(jìn)入中芯國(guó)際、海力士的28nm工藝制造過(guò)程。 晶瑞股份也是重要的供應(yīng)商，超純雙氧水、超純氨水及在建的高純硫酸等主導(dǎo)產(chǎn)品已達(dá)到G5等級(jí)，其它高純化學(xué)品均普遍在G3、G4等級(jí)。 6)靶材 在晶圓制造和測(cè)試封裝兩個(gè)環(huán)節(jié)需要使用靶材，目前芯片工藝中，45-28nm主要使用純銅鋁和銅錳合金靶材。 當(dāng)芯片制程在20nm以下，尤其是小于7nm時(shí)，鈷靶材在填滿能力、抗阻力和可靠度三方面優(yōu)勢(shì)明顯。 國(guó)際市場(chǎng)上，日本的日礦金屬、東曹和美國(guó)的霍尼韋爾、普萊克斯四家企業(yè)占據(jù)80%的份額。國(guó)內(nèi)企業(yè)主要有阿石創(chuàng)、隆華科技、有研新材和江豐電子等。 其中，阿石創(chuàng)、隆華科技產(chǎn)品主要用于面板、觸控，江豐電子產(chǎn)品在半導(dǎo)體、太陽(yáng)能光伏和面板領(lǐng)域均有覆蓋，有研新材主要生產(chǎn)半導(dǎo)體靶材。 龍頭是江豐電子，目前已可量產(chǎn)用于90-7nm半導(dǎo)體芯片的鉭、銅、鈦、鋁靶材，其中鉭靶材在臺(tái)積電7nm芯片中已量產(chǎn)，5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品也已進(jìn)入驗(yàn)證階段。 有研新材的靶材營(yíng)收規(guī)模不及江豐電子，但也能生產(chǎn)8-12英寸的鋁、鈦、銅、鈷、鉭半導(dǎo)體用靶材，客戶覆蓋中芯國(guó)際、臺(tái)積電、聯(lián)電等芯片企業(yè)。 三、總結(jié) 我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于高速發(fā)展階段，每個(gè)細(xì)分領(lǐng)域都有龍頭企業(yè)在卡位研發(fā)，技術(shù)的進(jìn)步日新月異。 許多環(huán)節(jié)，雖然媒體上都表示技術(shù)難度很大，大部分市場(chǎng)被跨國(guó)巨頭壟斷，國(guó)產(chǎn)化率很低。 但實(shí)際上，就今年的業(yè)界推進(jìn)情況來(lái)看，幾乎所有環(huán)節(jié)(除了光刻機(jī))，都已經(jīng)有28nm技術(shù)的國(guó)產(chǎn)設(shè)備和材料處于生產(chǎn)線驗(yàn)證階段。目前的瓶頸，主要就在光刻機(jī)。

    半導(dǎo)體 設(shè)備 材料 芯片產(chǎn)業(yè)鏈

  • 三大芯片巨頭強(qiáng)攻先進(jìn)3D封裝

    過(guò)去十年各種計(jì)算工作負(fù)載飛速發(fā)展，而摩爾定律卻屢屢被傳將走到盡頭。面對(duì)多樣化的計(jì)算應(yīng)用需求，為了將更多功能 " 塞 " 到同一顆芯片里，先進(jìn)封裝技術(shù)成為持續(xù)優(yōu)化芯片性能和成本的關(guān)鍵創(chuàng)新路徑。臺(tái)積電、英特爾、三星均在加速 3D 封裝技術(shù)的部署。 今年 8 月，這三大芯片制造巨頭均亮出，使得這一戰(zhàn)場(chǎng)愈發(fā)硝煙四起。 ▲英特爾封裝技術(shù)路線圖 通過(guò)三大芯片制造巨頭的先進(jìn)封裝布局，我們可以看到在接下來(lái)的一年，3D 封裝技術(shù)將是超越摩爾定律的重要?dú)⑹诛怠? 一、先進(jìn)封裝：將更多功能塞進(jìn)一顆芯片 此前芯片多采用 2D 平面封裝技術(shù)，但隨著異構(gòu)計(jì)算應(yīng)用需求的增加，能將不同尺寸、不同制程工藝、不同材料的芯片集成整合的 3D 封裝技術(shù)，已成為兼顧更高性能和更高靈活性的必要選擇。 從最新 3D 封裝技術(shù)落地進(jìn)展來(lái)看，英特爾 Lakefield 采用 3D 封裝技術(shù) Foveros，臺(tái)積電的 3D 封裝技術(shù) SoIC 按原計(jì)劃將在 2021 年量產(chǎn)，三星的 3D 封裝技術(shù)已應(yīng)用于 7nm EUV 芯片。 為什么要邁向先進(jìn)封裝技術(shù)?主要原因有二點(diǎn)，一是迄今處理器的大多數(shù)性能限制來(lái)自內(nèi)存帶寬，二是生產(chǎn)率提高。 一方面，存儲(chǔ)帶寬的開發(fā)速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于處理器邏輯電路的速度，因此存在 " 內(nèi)存墻 " 的問(wèn)題。 在傳統(tǒng) PCB 封裝中，走線密度和信號(hào)傳輸速率難以提升，因而內(nèi)存帶寬緩慢增長(zhǎng)。而先進(jìn)封裝的走線密度短，信號(hào)傳輸速率有很大的提升空間，同時(shí)能大大提高互連密度，因而先進(jìn)封裝技術(shù)成為解決內(nèi)存墻問(wèn)題的主要方法之一。 另一方面，高性能處理器的體系架構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜，晶體管的數(shù)量也在增加，但先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝仍然很昂貴，并且生產(chǎn)率也不令人滿意。 在半導(dǎo)體制造中，芯片面積越小，往往成品率越高。為了降低使用先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的成本并提高良率，一種有效的方法是將大芯片切分成多個(gè)小芯片，然后使用先進(jìn)的封裝技術(shù)將它們連接在一起。 在這一背景下，以臺(tái)積電、英特爾、三星為代表的三大芯片巨頭正積極探索 3D 封裝技術(shù)及其他先進(jìn)封裝技術(shù)。 二、臺(tái)積電的3D封裝組合拳 今年 8 月底，臺(tái)積電推出 3DFabric 整合技術(shù)平臺(tái)，旨在加快系統(tǒng)級(jí)方案的創(chuàng)新速度，并縮短上市時(shí)間。 臺(tái)積電 3DFabric 可將各種邏輯、存儲(chǔ)器件或?qū)Ｓ眯酒c SoC 集成在一起，為高性能計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、IoT 邊緣設(shè)備等應(yīng)用提供更小尺寸的芯片，并且可通過(guò)將高密度互連芯片集成到封裝模塊中，從而提高帶寬、延遲和電源效率。 3DFabric 由臺(tái)積電前端和后端封裝技術(shù)組成。 前端 3D IC 技術(shù)為臺(tái)積電 SoIC 技術(shù)，于 2018 年首次對(duì)外公布，支持 CoW(Chip on Wafer)和 WoW(Wafer on Wafer)兩種鍵合方式。 ▲ a 為芯片分割前的 SoC;b、c、d 為臺(tái)積電 SoIC 服務(wù)平臺(tái)支持的多種分區(qū)小芯片和重新集成方案 通過(guò)采用硅穿孔(TSV)技術(shù)，臺(tái)積電 SoIC 技術(shù)可達(dá)到無(wú)凸起的鍵合結(jié)構(gòu)， 從而可將不同尺寸、制程、材料的小芯片重新集成到一個(gè)類似 SoC 的集成芯片中，使最終的集成芯片面積更小，并且系統(tǒng)性能優(yōu)于原來(lái)的 SoC。 臺(tái)積電后端技術(shù)包括 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)和 InFO(Integrated Fan-out)系列封裝技術(shù)，已經(jīng)廣泛落地。例如今年全球 TOP 500 超算榜排名第一的日本超算 " 富岳 " 所搭載的 Fujitsu A64FX 處理器采用了臺(tái)積電 CoWoS 封裝技術(shù)，蘋果手機(jī)芯片采用了臺(tái)積電 InFO 封裝技術(shù)。 此外，臺(tái)積電擁有多個(gè)專門的后端晶圓廠，負(fù)責(zé)組裝和測(cè)試包括 3D 堆疊芯片在內(nèi)的硅芯片，將其加工成封裝后的設(shè)備。 這帶來(lái)的一大好處是，客戶可以在模擬 IO、射頻等不經(jīng)常更改、擴(kuò)展性不大的模塊上采用更成熟、更低成本的半導(dǎo)體技術(shù)，在核心邏輯設(shè)計(jì)上采用最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，既節(jié)約了成本，又縮短了新產(chǎn)品的上市時(shí)間。 臺(tái)積電 3DFabric 將先進(jìn)的邏輯、高速存儲(chǔ)器件集成到封裝模塊中。在給定的帶寬下，高帶寬內(nèi)存(HBM)較寬的接口使其能以較低的時(shí)鐘速度運(yùn)行，從而減少功耗。 如果以數(shù)據(jù)中心規(guī)模來(lái)看，這些邏輯和 HBM 器件節(jié)省的成本十分可觀。 三、英特爾用"分解設(shè)計(jì)"策略打出差異化優(yōu)勢(shì) 和臺(tái)積電相似，英特爾也早已在封裝領(lǐng)域布局了多種維度的先進(jìn)封裝技術(shù)。 在 8 月 13 日的 2020 年英特爾架構(gòu)日上，英特爾發(fā)布一個(gè)全新的混合結(jié)合(Integrated Fan-out)技術(shù)，使用這一技術(shù)的測(cè)試芯片已在 2020 年第二季度流片。 相比當(dāng)前大多數(shù)封裝技術(shù)所使用的熱壓結(jié)合(Thermocompression bonding)技術(shù)，混合結(jié)合技術(shù)可將凸點(diǎn)間距降到 10 微米以下，提供更高互連密度、更高帶寬和更低功率。 ▲英特爾混合結(jié)合技術(shù) 此前英特爾已推出標(biāo)準(zhǔn)封裝、2.5D 嵌入式多互連橋(EMIB)技術(shù)、3D 封裝 Foveros 技術(shù)、將 EMIB 與 Foveros 相結(jié)合的 Co-EMIB 技術(shù)、全方位互連(ODI)技術(shù)和多模 I/O(MDIO)技術(shù)等，這些封裝互連技術(shù)相互疊加后，能帶來(lái)更大的可擴(kuò)展性和靈活性。 據(jù)英特爾研究院院長(zhǎng)宋繼強(qiáng)介紹：" 封裝技術(shù)的發(fā)展就像我們蓋房子，一開始蓋的是茅廬單間，然后蓋成四合院，最后到高樓大廈。以 Foveros 3D 來(lái)說(shuō)，它所實(shí)現(xiàn)的就是在建高樓的時(shí)候，能夠讓線路以低功率同時(shí)高速率地進(jìn)行傳輸。" 他認(rèn)為，英特爾在封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于，可以更早地知道未來(lái)這個(gè)房子會(huì)怎么搭，也就是說(shuō)可以更好地對(duì)未來(lái)芯片進(jìn)行設(shè)計(jì)。 面向未來(lái)的異構(gòu)計(jì)算趨勢(shì)，英特爾推出 " 分解設(shè)計(jì)(Digression design)" 策略，結(jié)合新的設(shè)計(jì)方法和先進(jìn)的封裝技術(shù)，將關(guān)鍵的架構(gòu)組件拆分為仍在統(tǒng)一封裝中單獨(dú)晶片。 也就是說(shuō)，將原先整個(gè) SoC 芯片 " 化整為零 "，先做成如 CPU、GPU、I/O 等幾個(gè)大部分，再將 SoC 的細(xì)粒度進(jìn)一步提升，將以前按照功能性來(lái)組合的思路，轉(zhuǎn)變?yōu)榘淳?IP 來(lái)進(jìn)行組合。 這種思路的好處是，不僅能提升芯片設(shè)計(jì)效率、減少產(chǎn)品化的時(shí)間，而且能有效減少此前復(fù)雜設(shè)計(jì)所帶來(lái)的 Bug 數(shù)量。 " 原來(lái)一定要放到一個(gè)晶片上做的方案，現(xiàn)在可以轉(zhuǎn)換成多晶片來(lái)做。另外，不僅可以利用英特爾的多節(jié)點(diǎn)制程工藝，也可以利用合作伙伴的工藝。" 宋繼強(qiáng)解釋。 這些分解開的小部件整合起來(lái)之后，速度快、帶寬足，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)低功耗，有很大的靈活性，將成為英特爾的一大差異性優(yōu)勢(shì)。 四、三星首秀3D封裝技術(shù)，可用于7nm工藝 除了臺(tái)積電和英特爾外，三星也在加速其 3D 封裝技術(shù)的部署。 8 月 13 日，三星也公布了其 3D 封裝技術(shù)為 "eXtended-Cube"，簡(jiǎn)稱 "X-Cube"，通過(guò) TSV 進(jìn)行互連，已能用于 7nm 乃至 5nm 工藝。 據(jù)三星介紹，目前其 X-Cube 測(cè)試芯片可以做到將 SRAM 層堆疊在邏輯層上，可將 SRAM 與邏輯部分分離，從而能騰出更多空間來(lái)堆棧更多內(nèi)存。 ▲三星 X-Cube 測(cè)試芯片架構(gòu) 此外，TSV 技術(shù)能大幅縮短裸片間的信號(hào)距離，提高數(shù)據(jù)傳輸速度和降低功耗。 三星稱，該 3D 封裝技術(shù)在速度和功效方面實(shí)現(xiàn)了重大飛躍，將幫助滿足5G、AI、AR、VR、HPC、移動(dòng)和可穿戴設(shè)備等前沿應(yīng)用領(lǐng)域的嚴(yán)格性能要求。 五、結(jié)語(yǔ)：三大芯片巨頭強(qiáng)攻先進(jìn)封裝 在 2020 年，圍繞 3D 封裝技術(shù)的戰(zhàn)火繼續(xù)升級(jí)，臺(tái)積電、英特爾、三星這三大先進(jìn)芯片制造商紛紛加碼，探索更廣闊的芯片創(chuàng)新空間。盡管這些技術(shù)方法的核心細(xì)節(jié)有所不同，但殊途同歸，都是為了持續(xù)提升芯片密度、實(shí)現(xiàn)更為復(fù)雜和靈活的系統(tǒng)級(jí)芯片，以滿足客戶日益豐富的應(yīng)用需求。應(yīng)用需求的持續(xù)多元化，散熱技術(shù)以及先進(jìn)封裝技術(shù)的融合都成為未來(lái)芯片制造商的重點(diǎn)挑戰(zhàn)。

    半導(dǎo)體 三星 封裝 3d 臺(tái)積電

  • 韓企芯片供應(yīng)中斷 ，華為半導(dǎo)體供應(yīng)鏈震蕩

    據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，由于受到美國(guó)政府進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)于華為制裁措施的影響，韓國(guó)三星電子與SK海力士(下稱“海力士”)將在禁令預(yù)定生效的9月15日起，停止對(duì)華為提供存儲(chǔ)類芯片。 根據(jù)原有美國(guó)方面的制裁措施，韓系兩家企業(yè)曾內(nèi)部評(píng)估使用美國(guó)生產(chǎn)的設(shè)備不足50%而不受制裁影響，但由于隨后美國(guó)商務(wù)部加強(qiáng)了制裁措施，將受影響的范圍擴(kuò)大至使用美國(guó)設(shè)備、軟件及設(shè)計(jì)的所有芯片企業(yè)，最后決定停止供應(yīng)。 韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)常務(wù)副會(huì)長(zhǎng)黃喆周向第一財(cái)經(jīng)記者表示，目前的韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)體系為少部分大企業(yè)帶動(dòng)許許多多中小型供應(yīng)商的發(fā)展模式，若這些芯片巨頭無(wú)法尋找到比華為更加穩(wěn)定的供應(yīng)商，會(huì)使韓國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)整體遭受危機(jī)，成為這些供應(yīng)鏈體系的生死考驗(yàn)。 根據(jù)華為方面公布的數(shù)據(jù)，2019年華為共從韓國(guó)企業(yè)購(gòu)入了11.85萬(wàn)億韓元的產(chǎn)品，主要由芯片、半導(dǎo)體制品及顯示器組成，而該金額占據(jù)當(dāng)年度韓國(guó)對(duì)華出口的電子裝備總額的近6%。 1、韓企芯片供應(yīng)或被中斷 8月17日，美國(guó)商務(wù)部公布針對(duì)華為的新一輪制裁措施，一是進(jìn)一步限制華為獲取美國(guó)技術(shù)的能力，重點(diǎn)限制美國(guó)以外企業(yè)用美國(guó)軟件設(shè)計(jì)的芯片，二是將38家華為下屬企業(yè)加入實(shí)體清單，主要涉及華為云，使華為旗下被出口管制的企業(yè)達(dá)到152家。 “這一修訂將進(jìn)一步限制華為獲取外國(guó)芯片的能力，只要這些芯片是用美國(guó)軟件或技術(shù)開發(fā)或制造的，它們將受到與美國(guó)芯片一樣的限制。”美國(guó)商務(wù)部聲明。 根據(jù)華為方面公布的數(shù)據(jù)，2019年華為共從韓國(guó)企業(yè)購(gòu)入了11.85萬(wàn)億韓元的產(chǎn)品，主要由芯片、半導(dǎo)體制品及顯示器組成，其中韓國(guó)企業(yè)中，三星以及海力士均為華為的重要供應(yīng)商。 據(jù)記者了解，華為從三星電子、SK海力士?jī)杉翼n系企業(yè)購(gòu)入部分DRAM、閃存等存儲(chǔ)類芯片，并搭載于中檔智能手機(jī)，其中三星電子被華為列為“金牌”供應(yīng)商之一。根據(jù)相關(guān)財(cái)報(bào)，2019年華為系三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部(DS事業(yè)部)的五大客戶之一，為華為供應(yīng)智能手機(jī)存儲(chǔ)芯片、顯示器芯片等產(chǎn)品。 而SK海力士的財(cái)報(bào)顯示，2019年該公司對(duì)華銷量，占總銷售額的比重首度接近50%，達(dá)到46.6%，這也被視為中韓兩國(guó)產(chǎn)業(yè)具有合作前景及互補(bǔ)性的重要印證，華為的訂單額占據(jù)海力士公司年度訂單總額的9.5%。 韓國(guó)新韓證券分析師李先燁認(rèn)為，從短期來(lái)看，三星電子、SK海力士、LG顯示器等關(guān)聯(lián)公司的業(yè)績(jī)不太可能會(huì)出現(xiàn)大的變化，但在第四季度的財(cái)報(bào)上則會(huì)有所體現(xiàn)，尤其是兩大韓系芯片企業(yè)的對(duì)華銷售份額仍處于高位的背景下，若無(wú)法尋找到類似于華為的“大客戶”，可能會(huì)使這些企業(yè)的業(yè)績(jī)及投資者期望出現(xiàn)較大幅度下滑，進(jìn)而會(huì)影響設(shè)備的上下游供應(yīng)商，并直接打擊韓國(guó)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的出口進(jìn)程。 此外，韓國(guó)當(dāng)?shù)囟辔粯I(yè)界人士也對(duì)于目前情況表示了擔(dān)憂。 在今年剛剛成立的韓國(guó)顯示器產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)韓中產(chǎn)業(yè)合作小組負(fù)責(zé)人向第一財(cái)經(jīng)記者表示，韓中兩國(guó)的各自優(yōu)勢(shì)非常明顯，而貿(mào)易保護(hù)主義措施很容易使兩國(guó)產(chǎn)業(yè)及消費(fèi)者共同受到打擊。 三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕在“沒有預(yù)告”的背景下，訪問(wèn)三星電子位于首爾的一家分店 值得注意的是，在三星產(chǎn)業(yè)鏈全系宣布向華為“停止供應(yīng)”的當(dāng)天，據(jù)三星方面負(fù)責(zé)人透露，三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕“在沒有提前預(yù)告的情況下”訪問(wèn)三星電子位于首爾的某品牌店，并現(xiàn)場(chǎng)召開員工懇談會(huì)，鼓勵(lì)公司員工進(jìn)一步了解消費(fèi)者需求。 另外，三星中國(guó)也在其社交網(wǎng)站上發(fā)布通知，表示將在9日晚間針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)召開其旗艦折疊款智能手機(jī)Galaxy Z Fold 2 5G的發(fā)布會(huì)，這也是三星電子智能手機(jī)中，全球首發(fā)與中國(guó)首發(fā)間隔最短的一次。 2、美國(guó)“極端”影響全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈走勢(shì) “此前，在臺(tái)積電確定斷供的背景下，華為與三星等韓系企業(yè)曾探討過(guò)供應(yīng)合作，但后來(lái)由于各種原因未能成行?！敝槿耸繉?duì)記者表示。 除了芯片以外，第一財(cái)經(jīng)記者還了解到，三星集團(tuán)旗下三星顯示器，以及LG顯示器兩家公司也將停止供應(yīng)華為的所有顯示屏幕相關(guān)部件，其中既包括受到制裁影響的顯示芯片、面板驅(qū)動(dòng)芯片(Drive IC)，也包括不受制裁影響的面板本身。 要求匿名的某韓系顯示器企業(yè)負(fù)責(zé)人對(duì)記者表示，一般情況下，對(duì)海外生產(chǎn)商出口用于智能手機(jī)的顯示面板時(shí)，會(huì)將面板及驅(qū)動(dòng)芯片同時(shí)進(jìn)行方案綁定，由于韓系企業(yè)采用的驅(qū)動(dòng)芯片由美國(guó)ARM主導(dǎo)設(shè)計(jì)，因而難以在短期內(nèi)尋找到替代產(chǎn)品。 在分析機(jī)構(gòu)看來(lái)，美國(guó)選擇采取“最極端”的方式打開了潘多拉盒子，將影響全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的長(zhǎng)期走勢(shì)。 波士頓咨詢(BCG)在今年3月發(fā)布的一份報(bào)告中指出，美國(guó)對(duì)中美技術(shù)貿(mào)易的限制可能會(huì)終結(jié)其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，如果美國(guó)完全禁止半導(dǎo)體公司向中國(guó)客戶出售產(chǎn)品，那么其全球市場(chǎng)份額將損失18個(gè)百分點(diǎn)，其收入將損失37%，這實(shí)際上會(huì)導(dǎo)致美國(guó)與中國(guó)技術(shù)脫鉤。 而在當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月3號(hào)，美國(guó)芯片股大跌，英偉達(dá)下跌高達(dá)9.3%，AMD、博通、高通、賽靈思和英特爾分別下跌8.5%、6.1%、5.5%、5.3%和3.6%。反映全球半導(dǎo)體業(yè)景氣主要指標(biāo)的費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)周下跌5.7%，為6月中旬以來(lái)最差的一天。 韓國(guó)貿(mào)易協(xié)會(huì)駐滬首席代表沈準(zhǔn)碩也表現(xiàn)出了他的擔(dān)憂。他表示，去年韓國(guó)對(duì)華設(shè)備、配件出口額超過(guò)了120萬(wàn)億韓元，若中美貿(mào)易摩擦及貿(mào)易保護(hù)主義浪潮持續(xù)，很有可能將導(dǎo)致韓國(guó)科技及設(shè)備企業(yè)受到的打擊，甚至大于2008年全球次貸危機(jī)時(shí)期，且考慮到設(shè)備企業(yè)多為中小型企業(yè)，資本自給能力較差，市場(chǎng)的不穩(wěn)定性會(huì)影響這些企業(yè)的研發(fā)進(jìn)程。 “我們協(xié)會(huì)針對(duì)在韓國(guó)境內(nèi)的科技企業(yè)，召開華為受到制裁的相關(guān)線上說(shuō)明研討會(huì)，原本預(yù)計(jì)只有數(shù)十人參加，但最終參加者超過(guò)了百人，這足以說(shuō)明韓國(guó)科技企業(yè)對(duì)于美方措施的措手不及和慌張。”沈準(zhǔn)碩說(shuō)。 另外，華為的斷供，或?qū)⒂绊戫n國(guó)正在推進(jìn)的5G網(wǎng)絡(luò)的鋪設(shè)工作。 根據(jù)韓國(guó)方面的數(shù)據(jù)，目前韓國(guó)三大運(yùn)營(yíng)商完成了覆蓋韓國(guó)全國(guó)約七成的5G網(wǎng)絡(luò)鋪設(shè)，其中韓國(guó)運(yùn)營(yíng)商LG U+使用了華為設(shè)備，并成為華為在海外的第一大5G網(wǎng)絡(luò)設(shè)備用戶。 不過(guò)，對(duì)于美國(guó)新政的影響，LG U+方面在回應(yīng)記者時(shí)表示，目前由于已經(jīng)充足的購(gòu)買了5G基站所使用的設(shè)備，進(jìn)而對(duì)于構(gòu)建網(wǎng)絡(luò)影響不大。 3、華為如何繼續(xù)“航行”? “如果有人擰熄了燈塔，我們?cè)趺春叫?”近日這句由華為創(chuàng)始人任正非發(fā)出的聲音成為了眼下華為內(nèi)部思考最多的話題。 在此前舉行的華為年報(bào)溝通會(huì)上，華為公司輪值董事長(zhǎng)徐直軍曾對(duì)美國(guó)限制芯片制造商對(duì)華為供貨做出了回應(yīng)。徐直軍說(shuō)，如果美國(guó)政府可以任意修改“外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則”，其實(shí)是破壞全球技術(shù)生態(tài)，如果中國(guó)政府采取反制，會(huì)對(duì)產(chǎn)業(yè)造成怎樣的影響，推演下去，這種破壞性的連鎖效應(yīng)是令人吃驚的。 他認(rèn)為，潘多拉盒子一旦打開，對(duì)于全球化的產(chǎn)業(yè)生態(tài)可能是毀滅性的連鎖破壞，毀掉的可能將不止是華為一家企業(yè)。 不過(guò)，隨著美國(guó)新政的步步緊逼，記者從華為內(nèi)部了解到，華為已對(duì)外部環(huán)境已經(jīng)做好了“最壞”打算，放棄“幻想”，按照既定節(jié)奏繼續(xù)加大研發(fā)推進(jìn)業(yè)務(wù)向前。 在內(nèi)部，華為正在成立各種新公司以發(fā)展新的業(yè)務(wù)。以屏幕為例，華為消費(fèi)者業(yè)務(wù)CEO余承東不久前簽發(fā)《關(guān)于終端芯片業(yè)務(wù)部成立顯示驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品領(lǐng)域的通知》文件，內(nèi)容顯示華為將組建顯示驅(qū)動(dòng)芯片及部件產(chǎn)品領(lǐng)域團(tuán)隊(duì)，包括顯示驅(qū)動(dòng)FAE(現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師)、顯示驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品管理、顯示驅(qū)動(dòng)芯片及部件開發(fā)部等。 TrendForce集邦咨詢分析師范博毓對(duì)第一財(cái)經(jīng)記者表示，顯示驅(qū)動(dòng)IC涵蓋大尺寸電視和小尺寸手機(jī)手表等，只要是顯示屏幕都需要使用到驅(qū)動(dòng)IC。目前屏幕顯示驅(qū)動(dòng)芯片主流玩家以中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)廠商為主，包括Novatek、Raydium、Focal、Ilitek、LSI、Siliconwork等，中國(guó)大陸有Eswin奕斯偉和Chipone集創(chuàng)北方等。 2019年京東方采購(gòu)屏幕驅(qū)動(dòng)芯片金額超過(guò)60億元，其中國(guó)產(chǎn)芯片占比不到5%，外企單單對(duì)京東方一家企業(yè)出口屏幕驅(qū)動(dòng)芯片，每年就可以賺走57億元。華為的布局長(zhǎng)期來(lái)看將會(huì)讓其在供應(yīng)鏈上獲取更加穩(wěn)定的收入以及可控性。 此外，在終端業(yè)務(wù)上，華為即將在9月10日舉行的華為開發(fā)者大會(huì)上發(fā)布鴻蒙系統(tǒng)的最新進(jìn)展以及全場(chǎng)景終端軟件等重要產(chǎn)品，而華為鴻蒙手機(jī)最快將在明年正式發(fā)布。 “我們一直在思考，華為的生態(tài)、華為的能力在未來(lái)的下一步將怎么走，我們不再做得跟別人一樣?！比A為HMSCore平臺(tái)內(nèi)部人士對(duì)記者表示，華為手機(jī)設(shè)備的月活在過(guò)去一年增長(zhǎng)了32%，從5.3億增長(zhǎng)到7億。而HMS生態(tài)注冊(cè)開發(fā)者去年91萬(wàn)，今年到達(dá)了160萬(wàn)，增長(zhǎng)了接近70%。經(jīng)過(guò)一年的構(gòu)建發(fā)布了3.0、4.0、5.0，現(xiàn)在接入HMSCore的超過(guò)8萬(wàn)，用了不到一年時(shí)間，幾乎翻番。 未來(lái)華為將著力構(gòu)建兩個(gè)生態(tài)，一個(gè)是硬件生態(tài)，另一個(gè)則是服務(wù)和應(yīng)用軟件生態(tài)，HMS的5.0版本已全面開放華為的芯、端、云能力。從終端業(yè)務(wù)延續(xù)來(lái)看，華為正在全力加速芯片的補(bǔ)洞以及操作系統(tǒng)、移動(dòng)應(yīng)用軟件的迭代，手機(jī)業(yè)務(wù)外的平板、電腦以及手表等業(yè)務(wù)也在逐步展開。

    半導(dǎo)體 華為 韓國(guó) 芯片供應(yīng)

  • 半導(dǎo)體迎重磅利好！國(guó)產(chǎn)借此“彎道超車”？

    近期，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導(dǎo)體概念異軍突起。機(jī)構(gòu)人士指出，第三代半導(dǎo)體的火爆，一方面受國(guó)家政策面影響：另外有消息稱，中國(guó)正在規(guī)劃將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入“十四五”規(guī)劃之中;而更重要的是當(dāng)前國(guó)內(nèi)的人工智能、5G等產(chǎn)業(yè)的技術(shù)和應(yīng)用發(fā)展向好，支撐了板塊內(nèi)相關(guān)細(xì)分行業(yè)的業(yè)績(jī)。 一、“第三代半導(dǎo)體”是何方神圣? 中芯國(guó)際創(chuàng)始人兼原CEO、中國(guó)半導(dǎo)體奠基人張汝京曾在8月份舉辦的“中國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展機(jī)遇交流峰會(huì)”上這樣闡釋第三代半導(dǎo)體： 第一代半導(dǎo)體材料以和硅為主，因?yàn)榧夹g(shù)開發(fā)得好，所以現(xiàn)在很少用到鍺，用硅比較多; 第二代半導(dǎo)體材料中，常用的是砷化鎵和磷化銦，但由于砷有毒，所以很多地方不允許使用，所以第二代半導(dǎo)體材料在高速功率放大器中應(yīng)用得比較多、LED里也會(huì)用到; 第三代半導(dǎo)體出現(xiàn)了更好的材料，有碳化硅、氮化鎵、氮化鋁等。碳化硅用在高電壓、大功率等方面有特別優(yōu)勢(shì)。而人們最熟悉的應(yīng)用，則是在新能源汽車?yán)铮热缣厮估腗odel 3就有用到。氮化鎵則在高頻的功放器件上用得很多，氮化鋁有特殊用途，民用較少。 有消息稱，中國(guó)正在規(guī)劃將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入“十四五”規(guī)劃之中，計(jì)劃在2021到2025年的五年之內(nèi)，舉全國(guó)之力，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面對(duì)第三代半導(dǎo)體發(fā)展提供廣泛支持，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。 在我國(guó)發(fā)力“新基建”的背景下，第三代半導(dǎo)體材料成了非常重要的技術(shù)支撐。今年4月，國(guó)家發(fā)改委首次官宣“新基建”的范圍，正式定調(diào)了5G基建、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等七大領(lǐng)域的發(fā)展方向。而以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為首的第三代半導(dǎo)體是支持“新基建”的核心材料。 比如，以氮化鎵(GaN)為核心的射頻半導(dǎo)體，支撐著5G基站及工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的建設(shè);以碳化硅(SiC) 以及IGBT為核心的功率半導(dǎo)體，支撐著新能源汽車、充電樁、基站/數(shù)據(jù)中心電源、特高壓以及軌道交通系統(tǒng)的建設(shè)。 二、國(guó)內(nèi)外大廠紛紛“卡位” 全球范圍內(nèi)，半導(dǎo)體大廠紛紛布局，IDM廠商意法半導(dǎo)體購(gòu)并NorstelAB以及法國(guó)Exagan、英飛凌收購(gòu)Siltectra，以及日商ROHM收購(gòu)SiCrystal等事件都頗受業(yè)界關(guān)注。 國(guó)內(nèi)方面，不少?gòu)S商也開始圍繞第三代半導(dǎo)體“排兵布陣”。比如，海特高新(002023,股吧)子公司海威華芯建立了國(guó)內(nèi)第一條6英寸砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線。據(jù)稱，其技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)外同行業(yè)先進(jìn)水平，部分產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。賽微電子涉及第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，主要包括GaN(氮化鎵)材料的與器件的設(shè)計(jì)。 三安光電在長(zhǎng)沙設(shè)立子公司湖南三安從事碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，目前項(xiàng)目正處于建設(shè)階段。聚燦光電(300708,股吧)目前產(chǎn)品涉及氮化鎵的研發(fā)和生產(chǎn)，外延片的技術(shù)就是研發(fā)氮化材料的生長(zhǎng)技術(shù)，芯片的技術(shù)就是研發(fā)氮化鎵芯片的制作技術(shù)。 露笑科技也在今年8月投資了100億建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)產(chǎn)業(yè)園。露笑科技(002617,股吧)與合肥市長(zhǎng)豐縣人民政府簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，包括但不限于碳化硅等第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括碳化硅晶體生長(zhǎng)、襯底制作、外延生長(zhǎng)等的研發(fā)生產(chǎn)，項(xiàng)目投資總規(guī)模預(yù)計(jì)100億元。 華為旗下的哈勃科技投資有限公司早在2019年8月份投資了碳化硅龍頭企業(yè)山東天岳，持股10%;聯(lián)想也斥資近10億元戰(zhàn)略投資安防視頻監(jiān)控領(lǐng)域的芯片企業(yè)富瀚微(300613,股吧)。 據(jù)張汝京介紹，第三代半導(dǎo)體的設(shè)備并不是特別貴，投資不需要很大，他估計(jì)，一個(gè)工廠，不算廠房和土地，設(shè)備10億-20億就可以了。在他看來(lái)，國(guó)內(nèi)發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最大的掣肘在于人才，這在國(guó)內(nèi)比較稀缺。 但它的材料不容易做，設(shè)計(jì)上要有特別的優(yōu)勢(shì)。投資方更需要考慮的是市場(chǎng)、投資回報(bào)率、政府支持度和好的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，在他看來(lái)，真正有經(jīng)驗(yàn)做第三代半導(dǎo)體的人在國(guó)內(nèi)并不多。 三、國(guó)產(chǎn)替代空間幾何? 我國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，消費(fèi)量占全球比重超40%，根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元，同比增長(zhǎng)15.77%。但需要注意的是，我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)品仍以進(jìn)口為主。據(jù)CSIA數(shù)據(jù)顯示，2020上半年，我國(guó)集成電路銷售額為3539億元;而據(jù)海關(guān)總署數(shù)據(jù)顯示，2020上半年我國(guó)集成電路產(chǎn)品進(jìn)口額達(dá)1546.1億美元(約合10567.59億人民幣)，遠(yuǎn)高于本土集成電路銷售額。 為何目前第三代半導(dǎo)體材料的比重仍然較低，業(yè)內(nèi)人士指出，量產(chǎn)的困難仍是業(yè)界最大的挑戰(zhàn)。架橋資本合伙人童亮亮接受記者采訪時(shí)表示，半導(dǎo)體材料的量產(chǎn)低主要原因是：碳化硅的單晶需要在2000度的高溫和350MPa條件下生成，生長(zhǎng)速度是硅的1/3甚至1/5。它可能生長(zhǎng)成為200多種不同的晶態(tài)，一點(diǎn)點(diǎn)溫度、壓力和氣體環(huán)境的偏差都會(huì)得到不同的結(jié)果。要在這么嚴(yán)苛的條件下生長(zhǎng)出符合要求的大尺寸無(wú)缺陷的材料是非常難的。氮化鎵襯底可以選用硅、碳化硅等，但是晶格失配的問(wèn)題會(huì)嚴(yán)重限制長(zhǎng)晶的速度和成品率。國(guó)外公司也是用了幾十年的時(shí)間才部分解決了量產(chǎn)問(wèn)題。“我們才剛剛起步，需要做的功課還很多?！蓖亮琳f(shuō)。 在市場(chǎng)應(yīng)用方面，童亮亮表示，因?yàn)槠淞己玫臒釋?dǎo)率、超高的擊穿電場(chǎng)等特性，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導(dǎo)體材料在電力電子和通信等領(lǐng)域會(huì)占據(jù)越來(lái)越多的份額。但是即使在這些領(lǐng)域，因?yàn)槌杀镜脑蚬枰策€是會(huì)占據(jù)大部分市場(chǎng)份額。在其他領(lǐng)域，硅依然會(huì)占據(jù)95%以上的市場(chǎng)?！白钕冗M(jìn)的數(shù)字芯片制程一定是用硅做的，硅是不可替代的半導(dǎo)體材料，是我們芯片自主可控的主戰(zhàn)場(chǎng)?！? 四、半導(dǎo)體板塊火爆，跟還是不跟? 9月4日，有關(guān)第三代半導(dǎo)體材料納入國(guó)家戰(zhàn)略的消息讓半導(dǎo)體板塊火了一把，板塊整體大漲，其中不乏創(chuàng)業(yè)板中的半導(dǎo)體公司如乾照光電(300102,股吧)、聚燦光電直接被頂上20%的漲停板，賺錢效應(yīng)明顯。 而在9月7日早盤，第三代半導(dǎo)體繼續(xù)爆發(fā)，但在隨后有所回落，但由中證指數(shù)公司編制的中證全指半導(dǎo)體產(chǎn)品與設(shè)備指數(shù)已達(dá)6476點(diǎn)，較年初時(shí)上漲了38%。機(jī)構(gòu)對(duì)第三代半導(dǎo)體后市如何展望?哪些細(xì)分板塊會(huì)受關(guān)注? 美港資本創(chuàng)始合伙人張李沖接受記者采訪時(shí)表示，當(dāng)前半導(dǎo)體板塊的上漲，最主要的推動(dòng)邏輯是來(lái)自于政府對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前所未有的扶持力度，近幾年也能看出政府對(duì)扶持國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的態(tài)度和決心非常堅(jiān)決。 目前來(lái)看，雖然我國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域仍以進(jìn)口為主，但中低端的替代趨勢(shì)已經(jīng)非常明顯，高端部分則尚需時(shí)日。 從估值來(lái)看，張李沖認(rèn)為，雖然經(jīng)過(guò)一定程度的調(diào)整，但目前半導(dǎo)體行業(yè)的個(gè)股估值普遍較高，意味著市場(chǎng)給予了較大的預(yù)期，從長(zhǎng)期看，半導(dǎo)體行業(yè)將是我國(guó)未來(lái)最重點(diǎn)的發(fā)展領(lǐng)域，從投資角度而言，他認(rèn)為需要等待國(guó)際因素等不確定性風(fēng)險(xiǎn)充分釋放后，選取相對(duì)影響小、替代空間較大的個(gè)股進(jìn)行戰(zhàn)略布局。 除了政策和事件的驅(qū)動(dòng)之外，私募排排網(wǎng)未來(lái)星基金經(jīng)理夏風(fēng)光認(rèn)為，人工智能、大數(shù)據(jù)等賽道的素質(zhì)優(yōu)異，也是部分個(gè)股增長(zhǎng)較快、市場(chǎng)關(guān)注度高的原因?！澳壳拔覈?guó)擁有半導(dǎo)體最大的市場(chǎng)和不斷更迭的技術(shù)應(yīng)用，未來(lái)國(guó)產(chǎn)替代的空間會(huì)非常大，加上面臨海外局勢(shì)動(dòng)蕩多變，在此背景下，加快半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展是必然的趨勢(shì)?！毕娘L(fēng)光表示。 但是，在他看來(lái)，需要注意的是，在板塊平均估值較高、行業(yè)逐漸成熟的過(guò)程中，集中度也在不斷提升，最終可能只有少部分企業(yè)成為最終的贏家，所以要注意把握企業(yè)的成長(zhǎng)價(jià)值，避免跟風(fēng)炒作概念。 而從科技發(fā)展的層次來(lái)看，在中期內(nèi)可以預(yù)期的，應(yīng)該是新能源車、5G通信等相關(guān)行業(yè)。

    半導(dǎo)體 國(guó)產(chǎn) 碳化硅 第三代半導(dǎo)體

  • 第三代半導(dǎo)體材料

    第三代半導(dǎo)體材料，主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用在電力電子器件、激光器和探測(cè)器、半導(dǎo)體照明、功率器及射頻器件等行業(yè)。 據(jù)說(shuō)我國(guó)已經(jīng)把第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入了正在制定的“十四五”規(guī)劃中。要想徹底了解第三代半導(dǎo)體，首先需要知道什么是第一代、二代半導(dǎo)體。 1、第一、二代半導(dǎo)體 第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅、鍺元素半導(dǎo)體材料，目前硅、鍺也是用量最大的半導(dǎo)體材料、價(jià)格相對(duì)來(lái)講比較便宜，制造技術(shù)比較成熟，主要應(yīng)用在微電子產(chǎn)業(yè)中。 其實(shí)，早在20世紀(jì)50年代，鍺在半導(dǎo)體行業(yè)占主導(dǎo)地位，主要應(yīng)用在低壓、低頻、中功率晶體管以及光電探測(cè)器中，但是它的耐高溫和抗輻射性較差所以后來(lái)基本上被硅所代替，也可以說(shuō)第一代半導(dǎo)體是硅半導(dǎo)體。 第二代半導(dǎo)體材料主要是化合物半導(dǎo)體材料，有砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb);三元化合物半導(dǎo)體，如GaAsAl、GaAsP;還有一些固溶體半導(dǎo)體，如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半導(dǎo)體(又稱非晶態(tài)半導(dǎo)體)。主要應(yīng)用在通訊以及照明產(chǎn)業(yè)中。 2、第三代半導(dǎo)體 第三代半導(dǎo)體主要是碳化硅(SiC) 、氮化鎵( GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)，這幾種材料都具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，適用于高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。 第一二代半導(dǎo)體工藝已經(jīng)接近物理極限，微電子領(lǐng)域的摩爾定律慢慢開始失效，而第三代半導(dǎo)體則是一種超越摩爾定律的。 應(yīng)用比較成熟的主要是氮化鎵、碳化硅，前者主要應(yīng)用在功率器件領(lǐng)域，由于高頻通信需要的功率相對(duì)較大，未來(lái)的6G使用這種材料的幾率較大;后者主要應(yīng)用于高溫、高頻、高效能的大功率元件，具備耐高溫、耐腐蝕、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)勢(shì)，但是這種材料比較昂貴，所以說(shuō)未來(lái)市場(chǎng)潛力較大的還是氮化鎵。 其實(shí)，某些手機(jī)廠商已經(jīng)開始使用第三代半導(dǎo)體比較熟悉的就是大功率手機(jī)充電器，在不久的將來(lái)我相信很多領(lǐng)域都會(huì)看到它的身影。 總之，第三代半導(dǎo)體從電力電子領(lǐng)域到信息工程領(lǐng)域到國(guó)防建設(shè)領(lǐng)域到新能源領(lǐng)域都有涉及。我國(guó)將它作為列入十四五規(guī)劃帶動(dòng)了一批科技企業(yè)進(jìn)行相關(guān)研發(fā)，比如三安光電、揚(yáng)杰科技、露笑科技、聚燦光電等。

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  • 蘋果自研Mac芯片，由臺(tái)積電代工

    庫(kù)克在今年6月份WWDC演講中喊出了“One more thing”，致敬完喬布斯。庫(kù)克宣布，未來(lái)蘋果將會(huì)自研Mac芯片。芯片作為消費(fèi)電子產(chǎn)品的核心器件，任何企業(yè)都不想受制于人，蘋果更是尤為重視。 蘋果MacBook 近日，有消息稱，蘋果自研Mac芯片的量產(chǎn)工作將于四季度啟動(dòng)，由臺(tái)積電代工，該芯片基于5nm工藝，晶圓月產(chǎn)能達(dá)5000~6000片。此前傳蘋果新款MacBook將自研ARM芯片(Apple Silicon)，而且電池續(xù)航可達(dá)15~20小時(shí)，當(dāng)時(shí)吸引了不少Windows PC用戶。 據(jù)稱，Apple Silicon首發(fā)芯片就是A14X，代號(hào)Tonga，將用在iPad Pro和Mac上。目前MacBook系列的銷量還在持續(xù)增長(zhǎng)。 數(shù)據(jù)顯示，隨著遠(yuǎn)程辦公的趨勢(shì)持續(xù)保持，未來(lái)MacBook的銷量將大大增加，今年二季度MacBook系列全球出貨320萬(wàn)-350萬(wàn)臺(tái);而第三季度MacBook的銷量比去年同期增長(zhǎng)了五分之一。 如果蘋果能將自研芯片用在MacBook上，相信銷量還會(huì)有巨大增長(zhǎng)。

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  • 瓴盛首推11納米AI視覺芯片

    5G時(shí)代，萬(wàn)物互聯(lián)。8月28日，瓴盛科技在智能物聯(lián)網(wǎng)這一賽道布下關(guān)鍵一子——首顆自研芯片智能物聯(lián)網(wǎng)SoC產(chǎn)品JA310。JA310的研發(fā)團(tuán)隊(duì)不僅使用了三星11nm的先進(jìn)制程，而且只用了一年的時(shí)間，就實(shí)現(xiàn)了一次流片成功，這表示團(tuán)隊(duì)強(qiáng)大的實(shí)力，更是具有劃時(shí)代的意義，也為瓴盛科技下一步的產(chǎn)品研發(fā)打下基礎(chǔ)。 JA310是一款A(yù)IoT SoC芯片，而天生具備通信血統(tǒng)的瓴盛必然會(huì)出5G芯片。移動(dòng)通信芯片和智慧物聯(lián)網(wǎng)芯片將是全球信息產(chǎn)業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力,5G+AI、5G+AIoT也是瓴盛戰(zhàn)略聚焦的主賽道。但旺盛的市場(chǎng)需求已經(jīng)吸引到一批頗有實(shí)力的企業(yè)，瓴盛如何從中突圍? 一、首推11納米AI視覺芯片 有必要先說(shuō)一說(shuō)瓴盛的誕生。2017年5月，大唐電信批露旗下大唐聯(lián)芯將與高通成立中外合資公司，股東還包括兩家投資基金:建廣基金和智路基金。2018年5月，瓴盛科技經(jīng)商務(wù)部審批正式成立，2019年3月瓴盛科技總部正式落戶成都雙流區(qū)。 為什么要從AIoT開始?“未來(lái)邊緣計(jì)算、AIoT重大的方向就是要在無(wú)線連接的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)，有線連接的成本比較高、靈活性低，無(wú)線替代有線是未來(lái)趨勢(shì)，而5G+AI、AIoT就是我們的布局方向?！毙ば∶f(shuō)，“縱觀近幾年行業(yè)發(fā)展，云是大趨勢(shì)，瓴盛把未來(lái)產(chǎn)品局限在手機(jī)上，意義并不大，所以我們將把產(chǎn)品聚焦在移動(dòng)計(jì)算上，AIoT將是智慧連接的基礎(chǔ)，與邊緣計(jì)算、云技術(shù)結(jié)合后，就不是一個(gè)簡(jiǎn)單的AIoT，它的應(yīng)用將非常廣泛，這也是我們未來(lái)的發(fā)展方向?！? JA310是一款A(yù)I視覺芯片系列。AI視覺應(yīng)用前景廣闊，僅用于智能安防就有千億級(jí)市場(chǎng)，此外還有機(jī)器視覺、車載攝像、人臉識(shí)別、智能顯示等應(yīng)用。瓴盛科技首席營(yíng)銷官成飛說(shuō)，瓴盛科技成立伊始就決策做AI視覺芯片。 視覺應(yīng)用首要的需求是畫質(zhì)清晰流暢，無(wú)論在暗光、高對(duì)比度和快速運(yùn)動(dòng)等場(chǎng)景畫面都需要有非常好的表現(xiàn)。根據(jù)瓴盛公司披露的信息，JA310采用了雙路通道專業(yè)級(jí)監(jiān)控ISP設(shè)計(jì)，單路支持4K像素、每秒30幀的分辨率，采用H.264/265視頻編碼技術(shù)，雙通道ISP設(shè)計(jì)可以支持雙攝像頭傳感器，能夠有效擴(kuò)大視野、增強(qiáng)畫面細(xì)節(jié)，適用于距離測(cè)量、監(jiān)控光學(xué)變焦、暗光效果增強(qiáng)、紅外夜視、色彩還原，以及人臉識(shí)別等; 獨(dú)立的AI硬件單元NPU，與CPU、GPU協(xié)同，混合算力達(dá)到2TOPS，支持多種流行架構(gòu)AI模型。與基于28納米的同類產(chǎn)品相比，采用11納米工藝，使功耗可以下降70%。與JA310同時(shí)推出的還有一款普惠型芯片JA308，支持2K視頻。 目前深度視覺主要有雙目視覺、結(jié)構(gòu)光和TOF三種方式，三種方案各有優(yōu)勢(shì)，可以通過(guò)技術(shù)協(xié)作實(shí)現(xiàn)更好的效果。雙目視覺的應(yīng)用越來(lái)越多，掃地機(jī)器人、無(wú)人機(jī)、汽車上都有比較好的應(yīng)用前景，需要有像JA310這樣的芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)。 二、控成本搭平臺(tái)修練成長(zhǎng)期 控制好成本，實(shí)現(xiàn)好的性價(jià)比，是做好一款電子產(chǎn)品的關(guān)鍵因素之一。 “在成本控制上，我們會(huì)跟各個(gè)供應(yīng)商緊密合作。”肖小毛說(shuō)，“大家最終關(guān)注的是整個(gè)產(chǎn)品的成本、功能、性能加起來(lái)要比較合理?！? 如何實(shí)現(xiàn)成本、功能、性能總體的合理性，其實(shí)最考驗(yàn)一個(gè)企業(yè)的能力。肖小毛表示，一方面，瓴盛科技結(jié)合自身優(yōu)勢(shì)做集成。根據(jù)客戶提出的需求，集成下游的供應(yīng)商，做成一個(gè)開放式平臺(tái)，目的是幫助客戶縮短研發(fā)時(shí)間，盡快進(jìn)入量產(chǎn)。另一方面，打造自己的生態(tài)和平臺(tái)。瓴盛希望通過(guò)補(bǔ)齊空缺，打造一個(gè)比較完整的生態(tài)，例如一些主要零部件的整合是難點(diǎn)，瓴盛作為平臺(tái)供應(yīng)商就要解決這個(gè)問(wèn)題，最終給客戶一個(gè)整體性比較好的方案，這也使成本控制在合理范圍。 JA310可以應(yīng)用場(chǎng)景比較多，包括智慧監(jiān)控、人臉識(shí)別、視頻會(huì)議、車載終端、運(yùn)動(dòng)相機(jī)等。它的開發(fā)正是走了肖小毛所說(shuō)的這段歷程?！皬娜ツ?2月JA310一次流片成功后，這款芯片在今年3月份就安裝在一款高清攝像機(jī)中，到我們正式發(fā)布這款芯片，已經(jīng)有了一段時(shí)間的應(yīng)用檢驗(yàn)了?！毙ば∶f(shuō)。 智能安防解決方案提供商安威士(中國(guó))公司市場(chǎng)總監(jiān)陳銘告訴記者，經(jīng)過(guò)前期驗(yàn)證，搭載JA310芯片的攝像機(jī)計(jì)劃在今年第四季度正式向客戶供貨?！百|(zhì)量和同類智能攝像機(jī)相仿，但價(jià)格明顯會(huì)更有競(jìng)爭(zhēng)力?！标愩懻f(shuō)。 “無(wú)論是移動(dòng)計(jì)算、邊緣計(jì)算，還是AIoT技術(shù)，做得好就會(huì)形成一個(gè)生態(tài)。在生態(tài)建設(shè)上，我們將自己研發(fā)和上下游合作結(jié)合起來(lái)，根據(jù)上下游合作方的需求，我們會(huì)打造一個(gè)應(yīng)用范圍比較廣的應(yīng)用平臺(tái)?！毙ば∶f(shuō)。 落實(shí)到產(chǎn)品上，從JA310來(lái)看，這款芯片外圍接口豐富，同時(shí)芯片平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了軟硬件解耦設(shè)計(jì)，做到BSP(板級(jí)支持包)與應(yīng)用開發(fā)分離。應(yīng)用軟件可以基于軟件模擬器進(jìn)行開發(fā)，確保其生態(tài)內(nèi)的開發(fā)者和社區(qū)資源能快速實(shí)現(xiàn)軟件開發(fā)，保證安卓的應(yīng)用可以快速?gòu)?fù)用Linux，這對(duì)后期APP應(yīng)用的開發(fā)以及生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)有幫助。 三、培養(yǎng)大個(gè)子企業(yè)有操盤手 做生態(tài)，后期的回報(bào)是長(zhǎng)久和持續(xù)的，但前期投入不菲，比較“燒錢”。作為剛剛成立兩年的公司，瓴盛科技如何去做生態(tài)，是一件值得探研的事情 。 JA310的推出揭開了瓴盛致力于泛視覺領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)的序曲，瓴盛科技未來(lái)還將推出更多的芯片以覆蓋更廣泛的領(lǐng)域。瓴盛的移動(dòng)智能手機(jī)芯片項(xiàng)目也已經(jīng)開始啟動(dòng)，根據(jù)瓴盛的工程師們?cè)贏IoT芯片開發(fā)過(guò)程中積累的FinFET工藝制程經(jīng)驗(yàn)，下一步將重點(diǎn)推進(jìn)移動(dòng)智能手機(jī)芯片的研發(fā)。 北京智路資產(chǎn)管理有限公司管理合伙人張?jiān)軐?duì)中國(guó)電子報(bào)記者表示，建廣、智路主要以做成熟型的投資為主，未來(lái)還是會(huì)以并購(gòu)為主，主要在產(chǎn)業(yè)鏈上下關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)進(jìn)行關(guān)注，通過(guò)投資會(huì)把產(chǎn)業(yè)鏈每個(gè)節(jié)點(diǎn)補(bǔ)齊，而不像風(fēng)險(xiǎn)投資，同一個(gè)賽道投若干個(gè)公司。 物聯(lián)網(wǎng)可能是未來(lái)國(guó)產(chǎn)芯片最主要的一個(gè)突破口。目前國(guó)內(nèi)的芯片設(shè)計(jì)，芯片制造領(lǐng)域可能稍微還有一些落后，主要是靠幾個(gè)大的巨頭在做。但是隨著國(guó)內(nèi)先進(jìn)人才的儲(chǔ)備越來(lái)越多，設(shè)計(jì)能力不斷提高，包括晶圓制造、封裝、設(shè)計(jì)快速發(fā)展，全產(chǎn)業(yè)鏈的生態(tài)體系已經(jīng)逐步成熟。 如果在這個(gè)領(lǐng)域精耕細(xì)作，從方方面面圍繞整個(gè)鏈條進(jìn)行系統(tǒng)化的打造，還需要通過(guò)一段時(shí)間的努力，在各方面的支持下，能夠在這個(gè)領(lǐng)域有所建樹，也希望將來(lái)若干年以后，瓴盛在這個(gè)領(lǐng)域至少在國(guó)內(nèi)是一個(gè)排頭兵的位置。

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  • “龍芯”架構(gòu)入伍芯片，中國(guó)芯片能否突出重圍？

    中科院帶來(lái)了一個(gè)重大消息，國(guó)內(nèi)的芯片將會(huì)放棄之前使用的美國(guó)架構(gòu)技術(shù)，準(zhǔn)備轉(zhuǎn)換成正在全面自主研發(fā)國(guó)產(chǎn)的“龍芯”架構(gòu)，這意味著中國(guó)“龍芯”正式開始走向產(chǎn)品。 這次轉(zhuǎn)折可以說(shuō)成是國(guó)內(nèi)芯片行業(yè)的背水一戰(zhàn)，面對(duì)國(guó)外種種壓力之下，國(guó)內(nèi)企業(yè)別無(wú)他法，只能夠自己尋找機(jī)會(huì)突破國(guó)外的封鎖。 國(guó)內(nèi)的海思在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域處在世界上領(lǐng)先的水平，甚至可以設(shè)計(jì)出5nm的芯片。 但是由于我們將重心放在了芯片的設(shè)計(jì)上，卻忽略了芯片的生產(chǎn)，只能依賴國(guó)外的技術(shù)來(lái)生產(chǎn)芯片。國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的中芯國(guó)際，在不久后也只能生產(chǎn)14nm芯片，而眼下正繼續(xù)的7nm和5nm芯片，真的是心有余而力不足。 MIPS架構(gòu)技術(shù)是美國(guó)上世紀(jì)的產(chǎn)物，到時(shí)我國(guó)龍芯一號(hào)的性能和良品率都和對(duì)手相差很遠(yuǎn)，經(jīng)過(guò)不斷的改良使我們的龍芯一號(hào)終于開始將兩者的距離不斷拉近。 啟動(dòng)龍芯，并且決定去除美國(guó)的MIPS架構(gòu)技術(shù)，不僅是為了防止美國(guó)的制裁，更是為了大力發(fā)展國(guó)內(nèi)的芯片行業(yè)，國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)越來(lái)越重視，并且在各方面給予半導(dǎo)體公司優(yōu)惠政策，鼓勵(lì)國(guó)產(chǎn)芯片的大力發(fā)展，逐漸拉近與國(guó)外芯片的距離，并超過(guò)對(duì)方，以期打破國(guó)外對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體的限制。

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  • 碳化硅，氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料爆發(fā)！

    當(dāng)前先進(jìn)半導(dǎo)體材料已上升至國(guó)家戰(zhàn)略層面，2025年目標(biāo)滲透率超過(guò)50%。底層材料與技術(shù)是半導(dǎo)體發(fā)展的基礎(chǔ)科學(xué)，《中國(guó)制造2025》分別對(duì)第三代半導(dǎo)體單晶襯底、光電子器件/模塊、電力電子器件/模塊、射頻器件/模塊等細(xì)分領(lǐng)域做出了目標(biāo)規(guī)劃。 先進(jìn)半導(dǎo)體成為當(dāng)今世界發(fā)展的重要基石，也影響著各國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的地位。而中國(guó)政府正在規(guī)劃將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入“十四五”規(guī)劃之中，計(jì)劃在2021到2025年的五年之內(nèi)，舉全國(guó)之力，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面對(duì)第三代半導(dǎo)體發(fā)展提供廣泛支持，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。下一個(gè)五年的經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)略包括向無(wú)線網(wǎng)絡(luò)到人工智能等技術(shù)領(lǐng)域投入約1.4萬(wàn)億美元。 在任務(wù)目標(biāo)中提到2025實(shí)現(xiàn)在5G通信、高效能源管理中的國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到50%;在新能源汽車、消費(fèi)電子中實(shí)現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用，在通用照明市場(chǎng)滲透率達(dá)到80%以上。 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個(gè)階段，目前已經(jīng)發(fā)展形成了三代半導(dǎo)體材料。 第一代半導(dǎo)體材料是以主要是指Si、Ge元素半導(dǎo)體，它們是半導(dǎo)體分立器件、集成電路和太陽(yáng)能電池的基礎(chǔ)材料，但是硅基芯片經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期發(fā)展，已經(jīng)正在逐漸接近材料的極限，硅基器件性能提高的潛力也越來(lái)越小。 第二代半導(dǎo)體材料主要是指如砷化鎵、銻化銦等化合物半導(dǎo)體材料。其中以砷化鎵(GaAs)為代表，砷化鎵擁有一些較硅要好的電子特性，可以用在高于250GHz的場(chǎng)合，并且砷化鎵比同樣的硅基器件更適合運(yùn)用在高功率的場(chǎng)合，可以運(yùn)用在移動(dòng)電話歷史沿革、衛(wèi)星通訊、雷達(dá)系統(tǒng)等地方。 第三代半導(dǎo)體材料是以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)等寬禁帶為代表，跟前兩代相比，第三代半導(dǎo)體具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。 第三代化合物半導(dǎo)體材料性能優(yōu)異市場(chǎng)廣闊，YOLE預(yù)計(jì)到2022年，全球GaN功率器件整體市場(chǎng)規(guī)?？蛇_(dá)到11億美元，SiC市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到4.5億美元。 圖表來(lái)源：MoneyDJ 氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為最成熟的第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料(禁帶寬度大于2.2ev)，其余包括氧化鋅、金剛石、氮化鋁的研究還處于起步階段。 GaN、SiC能過(guò)夠大幅提升電子器件的高壓、高頻、高功率的工作特性，在軍事、新能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域具有非常大的應(yīng)用前景。 和傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比，禁帶寬度越大允許材料在更高的溫度、更強(qiáng)的電壓與更快的開關(guān)頻率下運(yùn)行。SiC可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能電網(wǎng)、新能源汽車等行業(yè)。 由于其優(yōu)異的性能，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正在快速成長(zhǎng)，2018年SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模不到5億美元，預(yù)計(jì)到2024年市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至20億美元，CAGR約30%，其中汽車市場(chǎng)將成為最重要的驅(qū)動(dòng)因素，預(yù)計(jì)到2024年其在占SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占比將達(dá)50%。 氮化鎵(GaN)是氮和鎵的化合物，與硅元器件相比，GaN具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點(diǎn)，是超高頻器件的極佳選擇，目前氮化鎵的應(yīng)用主要集中在功率、發(fā)光材料、5G通信射頻領(lǐng)域等。 在GaN方面，預(yù)計(jì)消費(fèi)類電子將是前期主要的應(yīng)用領(lǐng)域，激光雷達(dá)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及新能源汽車等新興市場(chǎng)將成為后期主要驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，到2020年，全球GaN功率器件整體市場(chǎng)規(guī)?？蛇_(dá)到3億美元以上，2016年至2020年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)80%。 5G基站GaN射頻功率放大器將成為主流技術(shù)，逐漸侵占LDMOS的市場(chǎng)，GaN能較好的適用于大規(guī)模MIMO。GaN的優(yōu)點(diǎn)是禁帶寬度大，熱導(dǎo)率高，因此工作溫度高，擊穿電壓高，抗輻射能力強(qiáng)。未來(lái)，SiC襯底的GaN功率元件，在5G基站預(yù)計(jì)將得到更多的應(yīng)用。 隨著第三代半導(dǎo)體材料的成本因生產(chǎn)技術(shù)的不斷提升而下降，其應(yīng)用市場(chǎng)也將迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，給半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。 SiC產(chǎn)業(yè)鏈分為四個(gè)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)：上游襯底、中游外延片(EPI硅片)、下游器件、模組制造。 高技術(shù)門檻導(dǎo)致第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)以日美歐寡頭壟斷，全球SiC制造廠商主要是英飛凌、Cree和Rohm，三家企業(yè)占據(jù)90%的碳化硅市場(chǎng)份額。 龍頭企業(yè)Cree擴(kuò)大規(guī)模和鎖定貨源，與意法半導(dǎo)體、英飛凌等中游廠商達(dá)成多項(xiàng)戰(zhàn)略協(xié)議，在價(jià)值1億美元的長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議中，Cree為英飛凌的光伏逆變器、機(jī)器人、充電基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)電源、牽引和變速驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品提供SiC晶圓。 另一項(xiàng)為期多年的2.5億美元規(guī)模的協(xié)議中，Cree的Wolfspeed部門將會(huì)向ST供應(yīng)150mmSiC晶圓。 國(guó)際先進(jìn)技術(shù)已將SiC單晶襯底從4英寸推廣到8英寸，預(yù)期未來(lái)碳化硅成本每年下降10-15%。 根據(jù)IHS數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)未來(lái)兩三年內(nèi)MOSFET(SiC)單位成本降至IGBT2-3倍水平，即6000元左右，產(chǎn)業(yè)化值得期待。短期內(nèi)，MOSFET(SiC)路線具備相對(duì)的經(jīng)濟(jì)性和可操作性，有望成為未來(lái)三年內(nèi)的新需求。 目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)形成相對(duì)完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系，SiC襯底以4英寸為主，襯底材料方面有山東天岳、天科合達(dá)，EPI硅片有東莞天域半導(dǎo)體、廈門瀚天天成，其他器件和模組公司比如斯達(dá)半導(dǎo)、中車時(shí)代電氣、泰科天潤(rùn)等，國(guó)內(nèi)廠商與海外巨頭差距較小，根據(jù)中研網(wǎng)，本土企業(yè)已在SiC-SBD形成銷售收入，開發(fā)出1700V/1200A的混合模塊、4500V/50A等大容量全SiC功率模塊。 國(guó)內(nèi)目前已實(shí)現(xiàn)4英寸襯底的量產(chǎn);同時(shí)山東天岳、天科合達(dá)、河北同光、中科節(jié)能均已完成6英寸襯底的研發(fā);中電科裝備已成功研制出6英寸半絕緣襯底。 在GaN襯底方面，國(guó)內(nèi)企業(yè)已經(jīng)可以小批量生產(chǎn)2英寸襯底，具備4英寸襯底生產(chǎn)能力，并開發(fā)出6英寸襯底樣品。 目前已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)包括蘇州納米所的蘇州納維科技公司和北京大學(xué)的東莞市中鎵半導(dǎo)體科技公司，其中蘇州納維目前已推出4英寸襯底產(chǎn)品，并且正在開展6英寸襯底片研發(fā)。 同時(shí)，隨著化合物半導(dǎo)體重要性日漸提升，第三代半導(dǎo)體(以GaN、SiC為代表)材料和芯片生產(chǎn)線不斷涌現(xiàn)，并快速成長(zhǎng)。 硅材料在未來(lái)十年的技術(shù)革新下，將維持主流半導(dǎo)體材料的地位，朝向硅自主材料和硅襯底化合物兩條路徑發(fā)展。 即使在5G/IoT/AI等技術(shù)導(dǎo)入下，硅襯底的化合物材料也能滿足射頻芯片、功率器件對(duì)高頻、高壓、高功率的的需求，而且更具有經(jīng)濟(jì)效益。 在目前的電子產(chǎn)品應(yīng)用中，僅有軍工、安防、航天等少部分需要超高規(guī)格的應(yīng)用領(lǐng)域，才需采用化合物單晶材料。 隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動(dòng)的新計(jì)算時(shí)代的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體器件的需求日益增長(zhǎng)，對(duì)器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛。 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體開始逐漸受到市場(chǎng)的重視，國(guó)際上已形成完整的覆蓋材料，器件，模塊和應(yīng)用等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈，全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級(jí)已經(jīng)開始。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 碳化硅 氮化鎵

  • 臺(tái)積電宣布為未來(lái)發(fā)展3nm制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)做準(zhǔn)備

    據(jù)國(guó)外網(wǎng)絡(luò)媒體報(bào)道，5nm工藝在今年一季度投產(chǎn)使用之后，臺(tái)積電下一代技術(shù)工藝設(shè)計(jì)研發(fā)的重點(diǎn)發(fā)展已轉(zhuǎn)移到了3nm，目前我國(guó)正在按計(jì)劃全面推進(jìn)，計(jì)劃在2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年下半年開始大規(guī)模投產(chǎn)。 三星將從5nm節(jié)點(diǎn)跳到3nm節(jié)點(diǎn)，但臺(tái)積電似乎已經(jīng)找到了一條提升OEM競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的途徑。臺(tái)積電的3nm技術(shù)預(yù)計(jì)在2022年完成。 1、臺(tái)積電和Craphcore為3nm AI加速做準(zhǔn)備 臺(tái)積電在最近的技術(shù)研討會(huì)上的一個(gè)附帶聲明是，公司已經(jīng)在為未來(lái)發(fā)展3nm制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)做準(zhǔn)備。臺(tái)積電正在研發(fā)其3nm芯片，用于明年的風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，并將于2022年下半年進(jìn)行量產(chǎn)。因此，目前臺(tái)積電的主要合作伙伴已經(jīng)在其最初的3nm版本上開發(fā)了其未來(lái)的硅片。 臺(tái)積電重點(diǎn)提到的公司是GraphCore。Graphcore是一家讓IPU(一種“智能處理單元”)加速“機(jī)器智能”的AI硅公司。它最近公布了第二代巨像Mk2 IPU，基于臺(tái)積電N7制造工藝，擁有592億個(gè)晶體管。Mk2的有效核數(shù)為1,472個(gè)，它可以運(yùn)行9,000個(gè)線程，用于250Teraflop的FP16 AI訓(xùn)練工作負(fù)載。該公司將其中四個(gè)芯片集成到一個(gè)1U中，以支持1Petaflop以及450 GB內(nèi)存和IPU之間的自定義低延遲光纖網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)。 據(jù)臺(tái)積電介紹，GraphCore的下一代產(chǎn)品將考慮臺(tái)積電的3nm制程開發(fā)，跳過(guò)臺(tái)積電的5nm制程。巨像IPU生產(chǎn)線涉及晶體管數(shù)量高的大芯片，使用更密集的工藝節(jié)點(diǎn)提供的額外晶體管預(yù)算。 2、臺(tái)積電目前擁有超過(guò)50%的市場(chǎng)份額 最新報(bào)道指出，臺(tái)積電已確定新竹寶山將成為2nm技術(shù)開發(fā)的中心。雖然還沒有證實(shí)是哪些客戶設(shè)法從臺(tái)積電獲得了他們2nm節(jié)點(diǎn)的訂單，但報(bào)道中確實(shí)提到了可能是蘋果。據(jù)悉，蘋果已經(jīng)多次向臺(tái)積電提供其5nm訂單，而一旦蘋果準(zhǔn)備定制3nmSoC，也會(huì)尋找臺(tái)積電。 另一方面，三星似乎也在稍微放慢腳步。這家韓國(guó)廠商顯然把高通的5nm訂單輸給了臺(tái)積電。直到現(xiàn)在，一直有傳聞稱三星將擴(kuò)大生產(chǎn)以贏得Snapdragon 875和Snapdragon X60的訂單。不過(guò)，由于臺(tái)積電的技術(shù)實(shí)力，優(yōu)勢(shì)以及廠商的可靠性，他們很可能會(huì)在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候大量交付芯片，而高通會(huì)將大部分訂單分配給臺(tái)積電，而不是三星。 根據(jù)最新報(bào)道，如果臺(tái)積電繼續(xù)勝出，如果三星在高良率和改進(jìn)節(jié)點(diǎn)方面得不到回應(yīng)，那么到2030年，這家韓國(guó)巨頭可能無(wú)法擊敗臺(tái)積電。有傳聞稱臺(tái)積電將向蘋果交付8000萬(wàn)顆在5nm節(jié)點(diǎn)上制造的A14芯片，這表明該公司在代工方面與最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比已經(jīng)取得了長(zhǎng)足進(jìn)步。

    半導(dǎo)體 三星 3nm 臺(tái)積電

  • 三星AMOLED屏+7納米工藝+8核CPU，vivo NEX3S5G旗艦降價(jià)

    我們都知道降價(jià)會(huì)直接導(dǎo)致手機(jī)不能保值，但是也會(huì)產(chǎn)生降價(jià)后的刺激銷售。前段時(shí)間，在5G技術(shù)的影響下，蘋果4G手機(jī)大幅降價(jià)，銷量也有一定程度的增長(zhǎng)。近日，國(guó)產(chǎn)手機(jī)Vivo NEX3S從4998元跌至3858元，手機(jī)跳水1140元，直逼5G中端手機(jī)水平，以期銷量上漲。 vivo是現(xiàn)在市場(chǎng)上有影響力的廠商，所以vivo NEX3S的降價(jià)也影響了不少朋友。華為，小米，OPPO的5G旗艦也在vivo NEX3s的影響下出現(xiàn)了一定程度的降價(jià)。此次vivo NEX3S的降價(jià)也為其他多方帶來(lái)了勝利，畢竟不到4000元就能買到一款5G旗艦，還是很超值的。 為了看起來(lái)與眾不同，vivoNEX3S設(shè)計(jì)了一塊6.89英寸的無(wú)界瀑布屏，屏占比高達(dá)99.6%，分辨率為2256*1080，采用三星AMOLED打造。 攝像頭方面，vivo NEX3S配備了高像素三攝像頭，6400萬(wàn)像素主攝像頭+1300萬(wàn)像素廣角微距+1300萬(wàn)像素長(zhǎng)焦，其中主攝像頭功能最為強(qiáng)大，支持EIS視頻防抖，還可以在動(dòng)態(tài)條件下拍攝4K高清視頻。Vivo NEX3S的前置攝像頭比較特別。它是一款1600萬(wàn)像素的升降攝像頭。擅長(zhǎng)短視頻，夜景，動(dòng)態(tài)照片。 vivoNEX3S的性能由驍龍865提供。它由7納米工藝和8核CPU制造而成。在性能上絕對(duì)強(qiáng)悍。VivoNEX3S在電池和充電方面也有新的改進(jìn)。內(nèi)置4500毫安大容量電池，支持44W有線超級(jí)快充，短時(shí)間內(nèi)即可將電池充滿電。 存儲(chǔ)空間部分，vivo NEX3S準(zhǔn)備了256GB版本的大內(nèi)存，下載更大的應(yīng)用也不用擔(dān)心。 這款vivoNEX3S是一款用心頗多的5G旗艦。在屏幕上配備瀑布屏，性能上有驍龍865的輔助，拍照上配備高像素三攝像頭。 僅憑三大能力，絕對(duì)是5G高端手機(jī)市場(chǎng)的領(lǐng)頭羊。此外，這款vivo NEX3S還可以運(yùn)行高耗能游戲。采用均熱板散熱，X軸電機(jī)為游戲提供便利。

    半導(dǎo)體 vivo 驍龍 amoled屏

  • 繼臺(tái)積電之后，美光公開表示斷供華為

    華為重要內(nèi)存及閃存芯片供應(yīng)商美光科技高管在BMO全球技術(shù)大會(huì)上正式宣布：受美國(guó)禁令影響，美光在9月14日之后，將不能繼續(xù)向華為供貨!這是繼臺(tái)積電之后，第二個(gè)公開表示在9月14日之后斷供華為的公司。 美光科技于1978年在美國(guó)愛達(dá)荷州首府博伊西市，它的主營(yíng)業(yè)務(wù)是DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導(dǎo)體組件以及存儲(chǔ)器模塊。經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展，美光科技已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體儲(chǔ)存及影像產(chǎn)品制造商之一! 美光與華為的合作超過(guò)了二十年，是華為的主要內(nèi)存及閃存芯片供應(yīng)商，而且沒有之一!華為每年都要從美光采購(gòu)的元器件超過(guò)26億美元。 受美國(guó)禁令的影響，不但華為的發(fā)展受到了嚴(yán)重的阻礙，美光科技也將為此損失慘重。 去年，華為被列入“實(shí)體清單”的時(shí)候，美光科技就曾向美國(guó)政府講明利害，并發(fā)出警告，稱如果美光不能恢復(fù)與華為的合作，其將遭受巨額的經(jīng)濟(jì)損失，并有被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手超越的危險(xiǎn)。特朗普政府思慮再三，給美光開出了一張臨時(shí)許可證，允許其與華為合作。 如今，這張臨時(shí)許可證已經(jīng)到期，美光高管又做出如此聲明，想必是美光的再次申請(qǐng)沒有得到政府的批準(zhǔn)。 受美國(guó)禁令的影響，華為遭遇了前所未有的難題，而這些難題都是圍繞著芯片展開的。 為了解決“中國(guó)芯”之痛，讓我國(guó)科技企業(yè)的發(fā)展再無(wú)后顧之憂，近日，國(guó)務(wù)院正式下發(fā)了文件，制定了在2025年實(shí)現(xiàn)芯片自給率達(dá)到70%的這一戰(zhàn)略目標(biāo)! 我國(guó)是芯片消耗大國(guó)，然而，截止到目前，我國(guó)芯片自給率還不足30%，每年都要花費(fèi)上萬(wàn)億的外匯儲(chǔ)備從外進(jìn)口芯片。技不如人，我們?cè)敢饣ㄥX從外進(jìn)口芯片，但是，由于把命運(yùn)交給了別人，時(shí)常受到別人的凌辱、打壓，發(fā)展受到了嚴(yán)重的影響! 為了實(shí)現(xiàn)芯片自給率在五年內(nèi)達(dá)到70%這一目標(biāo)，我國(guó)在下發(fā)文件之前就已經(jīng)開始布局。 今年6月，兩大國(guó)有基金向我國(guó)芯片代工巨頭中芯國(guó)際注入百億巨資，不久，又將上?；癁槲覈?guó)半導(dǎo)體企業(yè)基地，打造成我國(guó)最大的半導(dǎo)體集群。 該文件正式下發(fā)之后，必將激發(fā)我國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的積極性，促進(jìn)我國(guó)半導(dǎo)體的發(fā)展，為我國(guó)科技企業(yè)的發(fā)展搖旗吶喊。 余承東曾說(shuō)過(guò)，美國(guó)之所以不斷升級(jí)打壓華為的手段，欲致華為于死地，是因?yàn)槿A為的發(fā)展威脅到了它的“科技霸權(quán)”。在經(jīng)濟(jì)全球化的今天，美國(guó)的打壓行為，雖然讓華為的發(fā)展受到了阻礙，但是美企同樣損失慘重，嚴(yán)重破壞了世界貿(mào)易公平貿(mào)易的規(guī)則，成為了世界文明進(jìn)步的絆腳石。

    半導(dǎo)體 華為 美光 臺(tái)積電

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