賽靈思(Xilinx)將以三維晶片(3D IC)技術(shù)優(yōu)勢,迎戰(zhàn)競爭對手Altera的先進(jìn)制程新攻勢。Altera日前宣布將借力英特爾(Intel)14納米(nm)三閘極電晶體(Tri-gate Transistor)制程生產(chǎn)更先進(jìn)的現(xiàn)場可編程閘陣列(FPGA)方案,
半導(dǎo)體廠先進(jìn)制程布局在28奈米階段被炒熱,主要是受惠通訊晶片對于省電、高效能的要求,使得28奈米需求旺盛。2012年僅臺(tái)積電有產(chǎn)能,但仍無法滿足大客戶需求,到2013年初,臺(tái)積電28奈米制程的產(chǎn)能已擴(kuò)增倍數(shù),目前
半導(dǎo)體廠先進(jìn)制程布局在28奈米階段被炒熱,主要是受惠通訊晶片對于省電、高效能的要求,使得28奈米需求旺盛。2012年僅臺(tái)積電有產(chǎn)能,但仍無法滿足大客戶需求,到2013年初,臺(tái)積電28奈米制程的產(chǎn)能已擴(kuò)增倍數(shù),目前單
半導(dǎo)體先進(jìn)制程布局在28nm階段被炒熱,主要是受惠通訊晶片對于省電、高效能的要求,使得28nm需求旺盛。2012年僅臺(tái)積電有產(chǎn)能,但仍無法滿足大客戶需求,到2013年初,臺(tái)積電28nm制程的產(chǎn)能已擴(kuò)增倍數(shù),目前單月產(chǎn)能約
半導(dǎo)體廠先進(jìn)制程布局在28奈米階段被炒熱,主要是受惠通訊晶片對于省電、高效能的要求,使得28奈米需求旺盛。2012年僅臺(tái)積電有產(chǎn)能,但仍無法滿足大客戶需求,到2013年初,臺(tái)積電28奈米制程的產(chǎn)能已擴(kuò)增倍數(shù),目前
半導(dǎo)體廠先進(jìn)制程布局在28奈米階段被炒熱,主要是受惠通訊晶片對于省電、高效能的要求,使得28奈米需求旺盛。2012年僅臺(tái)積電有產(chǎn)能,但仍無法滿足大客戶需求,到2013年初,臺(tái)積電28奈米制程的產(chǎn)能已擴(kuò)增倍數(shù),目前單
半導(dǎo)體廠先進(jìn)制程布局在28奈米階段被炒熱,主要是受惠通訊晶片對于省電、高效能的要求,使得28奈米需求旺盛。2012年僅臺(tái)積電有產(chǎn)能,但仍無法滿足大客戶需求,到2013年初,臺(tái)積電28奈米制程的產(chǎn)能已擴(kuò)增倍數(shù),目前單
益華電腦(Cadence)宣布主要晶圓廠夥伴中的兩家--三星電子晶圓代工部門(Samsung Foundry)與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES),可支援以20和14奈米先進(jìn)制程設(shè)計(jì)為目標(biāo)的嶄新Cadence客制/類比技術(shù)。這兩家晶圓廠將為最近導(dǎo)入的
半導(dǎo)體巨頭上市公司臺(tái)積電(2330)、英特爾與三星今年全力沖刺28奈米以下的先進(jìn)制程,帶動(dòng)上柜公司電子束檢測設(shè)備廠漢微科(3658)、上柜公司濕制程設(shè)備廠弘塑(3131)與設(shè)備廠家登(3680)今年?duì)I運(yùn)成長表現(xiàn),國際大廠采用臺(tái)
晶圓代工龍頭臺(tái)積電昨(20日)股價(jià)上漲2元,收在109元,再創(chuàng)12年以來新高,市值超過2.82兆元,再創(chuàng)公司市值新高。外資紛紛喊贊,看好臺(tái)積電在28納米先進(jìn)制程優(yōu)勢將延續(xù)到20納米,巴黎證券一口氣將臺(tái)積電的目標(biāo)價(jià)從11
一榮俱榮 【楊喻斐╱臺(tái)北報(bào)導(dǎo)】蘋果處理器A7代工訂單今年將花落臺(tái)積電(2330),成為臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)界最為期待的大事,不僅是IC封測產(chǎn)業(yè),就連封裝載板供應(yīng)鏈也可望同步受惠,同時(shí)在智慧型手機(jī)、平板電腦成長趨勢不變
聯(lián)電(UMC-US)(2303-TW)今(6)日公布2012 年第四季財(cái)務(wù)報(bào)告,營業(yè)收入為新臺(tái)幣260.9億元,與上季的新臺(tái)幣285.3億元相比降低8.5%,較2011年同期的新臺(tái)幣244.3億元成長6.8%。2012年全年每股賺0.63元,第四季每股賺0.09元
聯(lián)電(2303)今日召開法說會(huì),公布財(cái)報(bào)。2012年第四季稅后凈利為11.7億元,季減51.5%,每股稅后獲利為0.09元。2012年全年EPS為0.63元。 聯(lián)電2012年第四季營收為260.9億元,季減8.5%,年增6.8%。單季毛利率為16.8%,比
臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今(5)日召開董事會(huì),會(huì)中擬定今年每普通股配發(fā)現(xiàn)金股利3元,此為該公司連續(xù)7年達(dá)成配發(fā)現(xiàn)金股利水準(zhǔn)。董事會(huì)并核準(zhǔn)817.32億升級先進(jìn)制程等資本預(yù)算;臺(tái)積電預(yù)定6月11日上午舉行之股東會(huì)。臺(tái)積
臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今(5)日召開董事會(huì),會(huì)中擬定今年每普通股配發(fā)現(xiàn)金股利3元,此為該公司連續(xù)7年達(dá)成配發(fā)現(xiàn)金股利水準(zhǔn)。董事會(huì)并核準(zhǔn)817.32億升級先進(jìn)制程等資本預(yù)算;臺(tái)積電預(yù)定6月11日上午舉行之股東會(huì)。 臺(tái)
封測大廠日月光和矽品今年發(fā)展先進(jìn)封裝異中有同,日月光關(guān)注系統(tǒng)級封裝等技術(shù),矽品觀察2.5D和3D IC趨勢;封測雙雄均切入新型扇出型晶圓級封裝。 展望近期先進(jìn)封裝趨勢,矽品認(rèn)為2.5D和3D IC市場還不會(huì)有明顯進(jìn)展
內(nèi)存廠旺宏去年第4季虧損持續(xù)擴(kuò)大,單季稅后凈損17.77億元,累計(jì)全年稅后凈損54.38億元,為最近7年來首次虧損。旺宏總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)30日表示,虧損主因?yàn)?2寸廠產(chǎn)能利用率偏低,今年在產(chǎn)能利用率提升后,全年力拼不虧損
聯(lián)電(2303)新任執(zhí)行長顏博文上任2個(gè)月以來積極強(qiáng)化研發(fā)部門,業(yè)界傳出他成功延攬清大材料工程教授游萃蓉回鍋,擔(dān)任聯(lián)電研發(fā)部門高階主管,與現(xiàn)任聯(lián)電工程暨矽智財(cái)研發(fā)設(shè)計(jì)支援副總簡山杰,挑起28奈米重任,加速聯(lián)電
日月光(2311)昨日舉行2012年第4季法人說明會(huì),會(huì)中營運(yùn)長吳田玉指出,日月光去年資本支出提升至10億美元,讓產(chǎn)能、技術(shù)都已提前就位,鑒于目前先進(jìn)封裝需求仍強(qiáng),且公司在銅打線制程布局持續(xù)領(lǐng)先,日月光的長線技術(shù)布
封測大廠日月光 (2311)營運(yùn)長吳田玉指出,2012年面臨半導(dǎo)體景氣劇烈變化的一年,日月光封測材料營收仍交出成長成績。吳田玉認(rèn)為,日月光2012年拉高資本支出到10億美元,產(chǎn)能、技術(shù)都已提前就位,就市況而言先進(jìn)封裝需