先進(jìn)制程

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

臺(tái)積兩岸擴(kuò)產(chǎn) 將增資松江廠

圖／經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)提供臺(tái)積電昨（10）日證實(shí)，上海松江廠0.13微米制程升級(jí)案已向投審會(huì)送件，臺(tái)積電啟動(dòng)兩岸擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，大陸先進(jìn)制程布局鳴槍起跑，藉此穩(wěn)固兩岸晶圓代工龍頭寶座。臺(tái)積電昨天舉行董事會(huì)，通過(guò)對(duì)上海松江

模擬
2010-08-11

臺(tái)積電微米 FAB 先進(jìn)制程
臺(tái)積635億投資明討論

晶圓代工龍頭臺(tái)積電明天舉行董事會(huì)，將討論12吋晶圓廠與太陽(yáng)能廠的產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，合計(jì)投資上看20億美元（約新臺(tái)幣635億元）。圖為臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀。（本報(bào)系數(shù)據(jù)庫(kù)）晶圓代工龍頭臺(tái)積電明（10）日舉行董事會(huì)

模擬
2010-08-09

晶圓廠臺(tái)積電 FAB 先進(jìn)制程
聯(lián)電毛利率挑戰(zhàn)30%

晶圓代工二哥聯(lián)電4日舉行說(shuō)法會(huì)。由于臺(tái)積電上周法說(shuō)預(yù)期下半年景氣暫時(shí)趨緩，法人對(duì)聯(lián)電下半年?duì)I運(yùn)成長(zhǎng)趨勢(shì)保守以對(duì)。不過(guò)，聯(lián)電先進(jìn)制程比重拉高，第三季毛利率有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)30%，創(chuàng)五年單季新高。聯(lián)電原規(guī)劃，今年資

模擬
2010-08-05

聯(lián)電新加坡臺(tái)積電先進(jìn)制程
聯(lián)電毛利率挑戰(zhàn)30%

晶圓代工二哥聯(lián)電4日舉行說(shuō)法會(huì)。由于臺(tái)積電上周法說(shuō)預(yù)期下半年景氣暫時(shí)趨緩，法人對(duì)聯(lián)電下半年?duì)I運(yùn)成長(zhǎng)趨勢(shì)保守以對(duì)。不過(guò)，聯(lián)電先進(jìn)制程比重拉高，第三季毛利率有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)30%，創(chuàng)五年單季新高。聯(lián)電原規(guī)劃，今年資

模擬
2010-08-05

聯(lián)電新加坡臺(tái)積電先進(jìn)制程
機(jī)構(gòu)預(yù)估臺(tái)積電上季稅后純益上看438億元

高進(jìn)制程比重提高，以臺(tái)積電（2330）為主的上下游轉(zhuǎn)投資事業(yè)業(yè)績(jī)看漲，法人預(yù)估，臺(tái)積電上季稅后純益挑戰(zhàn)440億元，是四年半來(lái)新高；世界先進(jìn)（5347）上季毛利上看21%，將創(chuàng)近一年新高；創(chuàng)意（3443）毛利率重返20

智能硬件
2010-08-04

BSP 臺(tái)積電微米先進(jìn)制程
先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換Q4全球DRAM市場(chǎng)趨向供過(guò)于求

DigitimesResearch分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(SamsungElectronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉

模擬
2010-07-30

DRAM BORDER DDR3 先進(jìn)制程
瑞薩28奈米臺(tái)積代工

日本IDM大廠瑞薩電子（Renesas）宣布今年內(nèi)將進(jìn)行大規(guī)模精簡(jiǎn)措施，將裁撤4,000名員工，同時(shí)對(duì)生產(chǎn)體制進(jìn)行重新調(diào)整，其中瑞薩將停止28奈米以下先進(jìn)制程設(shè)備投資，未來(lái)28奈米以下芯片將全數(shù)交由臺(tái)積電及全球晶圓（Glo

模擬
2010-07-30

晶圓瑞薩電子臺(tái)積電先進(jìn)制程
先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換Q4 全球DRAM市場(chǎng)趨向供過(guò)于求

DigitimesResearch分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(SamsungElectronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉

模擬
2010-07-28

DRAM DIGI DDR3 先進(jìn)制程
先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換 Q4全球DRAM市場(chǎng)趨向供過(guò)于求

Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此

智能硬件
2010-07-28

DRAM DIGI DDR3 先進(jìn)制程
晶圓代工新一波市占競(jìng)賽鳴槍起跑

半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)暌違兩年再現(xiàn)高峰，2010年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)325億美元，臺(tái)積電、三星電子(Samsung Electronics)、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)全力擴(kuò)產(chǎn)拼搶市占率，同時(shí)皆大幅擴(kuò)充40納米以下先進(jìn)制程，以往臺(tái)積電獨(dú)大

半導(dǎo)體
2010-07-27

晶圓代工 40納米臺(tái)積電先進(jìn)制程
臺(tái)積電第二季度每天賺近5億

高進(jìn)制程比重提高，以臺(tái)積電（2330）為主的上下游轉(zhuǎn)投資事業(yè)業(yè)績(jī)看漲，法人預(yù)估，臺(tái)積電上季稅后純益挑戰(zhàn)440億元，是四年半來(lái)新高；世界先進(jìn)（5347）上季毛利上看21%，將創(chuàng)近一年新高；創(chuàng)意（3443）毛利率重返20

模擬
2010-07-27

半導(dǎo)體臺(tái)積電微米先進(jìn)制程
晶圓代工新一波市占競(jìng)賽　鳴槍起跑

半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)暌違兩年再現(xiàn)高峰，2010年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)325億美元，臺(tái)積電、三星電子(Samsung Electronics)、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)全力擴(kuò)產(chǎn)拼搶市占率，同時(shí)皆大幅擴(kuò)充40奈米以下先進(jìn)制程，以往臺(tái)積電獨(dú)大

模擬
2010-07-23

晶圓代工 GLOBAL 臺(tái)積電先進(jìn)制程
晶圓三雄拚市占砸百億美元擴(kuò)產(chǎn)

晶圓代工廠紛紛提高今年資本支出，設(shè)備商預(yù)估，臺(tái)積電、聯(lián)電與全球晶圓（Globalfoundries）前三大廠在調(diào)高后，資本支出合計(jì)突破100億美元（約新臺(tái)幣3,200億元），創(chuàng)下歷史新高。個(gè)人計(jì)算機(jī)、手機(jī)通訊與多媒體應(yīng)

模擬
2010-07-22

晶圓聯(lián)電臺(tái)積電先進(jìn)制程
ASML整合微影方案獲意法采用

受惠于晶圓代工與DRAM廠推出先進(jìn)制程，對(duì)浸潤(rùn)式顯影機(jī)臺(tái)需求大增，讓半導(dǎo)體設(shè)備大廠艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺，隨著半導(dǎo)體制程推進(jìn)5x奈米以下先進(jìn)制程，制程復(fù)雜度大增，亦需加緊提高量良率，讓ASML甫于2009年推

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-07-21

ASML ECLIPSE 先進(jìn)制程
聯(lián)電：透過(guò)德州儀器購(gòu)買先進(jìn)制程設(shè)備

聯(lián)電(2303)宣布，將向德州儀器（Texas Instruments,TI）購(gòu)買大批的先進(jìn)12吋晶圓CMOS制程設(shè)備，將能近一步提升產(chǎn)能。昨日德州儀器宣布在日本完成設(shè)備資產(chǎn)購(gòu)置，聯(lián)電所購(gòu)買的設(shè)備即為其中一部分。聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表

模擬
2010-07-16

聯(lián)電 SPANSION 先進(jìn)制程
晶圓廠搶市占先進(jìn)制程產(chǎn)能恐過(guò)剩？

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner副總裁Dean Freeman表示，對(duì)采用先進(jìn)制程設(shè)計(jì)的無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體供貨商來(lái)說(shuō)，現(xiàn)在正是大好時(shí)機(jī)；原因是領(lǐng)先晶圓代工業(yè)者為了爭(zhēng)奪市占率以及醞釀代工價(jià)格下降，正積極提升40奈米與 28奈米制程產(chǎn)能

模擬
2010-07-15

晶圓廠 GLOBALFOUNDRIES FREEMAN 先進(jìn)制程
花旗環(huán)球喊買晶圓雙雄

花旗環(huán)球表示，臺(tái)積電第三季營(yíng)收動(dòng)能仍強(qiáng)，盡管臺(tái)積電對(duì)于28奈米量產(chǎn)的規(guī)劃，稍微延后，但這是市場(chǎng)對(duì)于先進(jìn)制程的需求不強(qiáng)，臺(tái)積電的技術(shù)仍然位居領(lǐng)先地位，預(yù)估臺(tái)積電今年每股純益為5.89元，明年則持續(xù)成長(zhǎng)至6.24

模擬
2010-07-12

晶圓臺(tái)積電先進(jìn)制程
Cadence宣布與臺(tái)積電在28奈米先進(jìn)制程最新合作

益華計(jì)算機(jī)(Cadence)宣布其TLM (transaction-level modeling) 導(dǎo)向設(shè)計(jì)與驗(yàn)證、 3D IC 設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)，以及整合 DFM 等先進(jìn) Cadence 設(shè)計(jì)技術(shù)與流程，已經(jīng)融入臺(tái)積電(TSMC)設(shè)計(jì)參考流程11.0版中。同時(shí) Cadence也宣布支持

模擬
2010-06-22

LM CADENCE 臺(tái)積電先進(jìn)制程
聯(lián)電南科Fab12A廠第三、四期啟動(dòng)

聯(lián)電(UMC)日前宣布，位于臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的Fab12A廠第三、四期已經(jīng)啟動(dòng)，目前也正在積極進(jìn)行無(wú)塵室的配置與機(jī)臺(tái)移入，并裝設(shè)業(yè)界最先進(jìn)的自動(dòng)化與生產(chǎn)制造系統(tǒng)，預(yù)估完成后全年產(chǎn)能將可達(dá)100 萬(wàn)片12吋晶圓。此外

模擬
2010-05-24

聯(lián)電制程技術(shù) FAB 先進(jìn)制程
聯(lián)電南部12吋廠年產(chǎn)能沖100萬(wàn)片

聯(lián)電（2303）執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉昨（20）日表示，聯(lián)電40奈米與20奈米世代制程布局將逐步展現(xiàn)成果，南科12吋廠先進(jìn)制程年產(chǎn)能，也將朝100萬(wàn)片的里程碑邁進(jìn)，隨著高階制程比重拉高，將有助提升獲利。臺(tái)積電（2330）將在

模擬
2010-05-21

低功耗聯(lián)電臺(tái)積電先進(jìn)制程

首頁(yè) 上一頁(yè) 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 下一頁(yè) 尾頁(yè)

先進(jìn)制程

臺(tái)積兩岸擴(kuò)產(chǎn) 將增資松江廠

臺(tái)積635億投資明討論

聯(lián)電毛利率挑戰(zhàn)30%

聯(lián)電毛利率挑戰(zhàn)30%

機(jī)構(gòu)預(yù)估臺(tái)積電上季稅后純益上看438億元

先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換Q4全球DRAM市場(chǎng)趨向供過(guò)于求

瑞薩28奈米臺(tái)積代工

先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換Q4 全球DRAM市場(chǎng)趨向供過(guò)于求

先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換 Q4全球DRAM市場(chǎng)趨向供過(guò)于求

晶圓代工新一波市占競(jìng)賽鳴槍起跑

臺(tái)積電第二季度每天賺近5億

晶圓代工新一波市占競(jìng)賽　鳴槍起跑

晶圓三雄拚市占砸百億美元擴(kuò)產(chǎn)

ASML整合微影方案獲意法采用

聯(lián)電：透過(guò)德州儀器購(gòu)買先進(jìn)制程設(shè)備

晶圓廠搶市占先進(jìn)制程產(chǎn)能恐過(guò)剩？

花旗環(huán)球喊買晶圓雙雄

Cadence宣布與臺(tái)積電在28奈米先進(jìn)制程最新合作

聯(lián)電南科Fab12A廠第三、四期啟動(dòng)

聯(lián)電南部12吋廠年產(chǎn)能沖100萬(wàn)片

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動(dòng)

課程視頻