先進(jìn)制程

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

英特爾總裁唱衰晶圓代工業(yè)

英特爾總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)歐德寧(Paul Otellini)上周出席科技論壇時(shí)指出，他認(rèn)為晶圓代工事業(yè)在未來幾年會(huì)出現(xiàn)極大的麻煩，最大的問題就是會(huì)出現(xiàn)十分嚴(yán)重的產(chǎn)能過剩問題，其中全球晶圓等積極擴(kuò)充產(chǎn)能，將會(huì)導(dǎo)致先進(jìn)制程市場(chǎng)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-02-23

英特爾晶圓代工先進(jìn)制程 DM
中芯國(guó)際年底加入40納米戰(zhàn)局

受惠于智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)運(yùn)算裝置銷售暢旺，帶動(dòng)晶圓代工45/40納米制程需求，臺(tái)積電、聯(lián)電及Global Foundries皆擴(kuò)大45/40納米制程產(chǎn)能，中芯國(guó)際也加緊腳步，預(yù)計(jì)于2011年下半加入戰(zhàn)局，讓競(jìng)爭(zhēng)更加激烈。

消費(fèi)電子
2011-02-22

中芯國(guó)際聯(lián)電 40納米先進(jìn)制程
中芯國(guó)際年底加入45/40納米競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)局

受惠于智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)運(yùn)算裝置銷售暢旺，帶動(dòng)晶圓代工45/40納米制程需求，臺(tái)積電、聯(lián)電及Global Foundries皆擴(kuò)大45/40納米制程產(chǎn)能，中芯國(guó)際也加緊腳步，預(yù)計(jì)于2011年下半加入戰(zhàn)局，讓競(jìng)爭(zhēng)更加激烈。

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-02-22

中芯國(guó)際聯(lián)電 40納米先進(jìn)制程
GF是元兇?歐德寧預(yù)言晶圓代工過剩

英特爾(Intel)總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)歐德寧(Paul Otellini)表示，全球領(lǐng)導(dǎo)級(jí)晶圓代工廠恐怕將在接下來幾年因產(chǎn)能過剩而陷入危機(jī)。歐德寧在一場(chǎng)日前(2月17日)于英國(guó)舉行的分析師會(huì)議上指出，晶圓代工市場(chǎng)的過剩產(chǎn)能，主要來自于

模擬
2011-02-22

GLOBALFOUNDRIES 英特爾晶圓代工先進(jìn)制程
英特爾憂代工產(chǎn)能過剩？原來是怕市場(chǎng)被瓜分

晶圓代工目前看似前景熱滾滾，但英特爾總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)Paul Otellini卻憂心表示，晶圓代工事業(yè)在未來幾年可能會(huì)出現(xiàn)大麻煩，問題所在就是會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的產(chǎn)能過剩問題。在全球晶圓廠積極擴(kuò)充產(chǎn)能之下，將導(dǎo)致先進(jìn)制程市場(chǎng)出

模擬
2011-02-22

AMD 英特爾晶圓代工先進(jìn)制程
45/40奈米需求旺　中芯年底加入戰(zhàn)局

鄭茜文／臺(tái)北受惠于智慧型手機(jī)、平板電腦等行動(dòng)運(yùn)算裝置銷售暢旺，帶動(dòng)晶圓代工45/40奈米制程需求，臺(tái)積電、聯(lián)電及Global Foundries皆擴(kuò)大45/40奈米制程產(chǎn)能，中芯國(guó)際也加緊腳步，預(yù)計(jì)于2011年下半加入戰(zhàn)局，讓競(jìng)爭(zhēng)

模擬
2011-02-21

中芯聯(lián)電臺(tái)積電先進(jìn)制程
先進(jìn)制程需求旺盛臺(tái)積電2010Q4每股盈余新臺(tái)幣1.57元

TSMC27日公布2010年第四季財(cái)務(wù)報(bào)告，合并營(yíng)收為新臺(tái)幣1101.4億元，稅后純益為新臺(tái)幣407.2億元，每股盈余為新臺(tái)幣1.57元（換算成美國(guó)存托憑證每單位為0.26美元）。與2009年同期相較，2010年第四季營(yíng)收增加19.6%，稅后

模擬
2011-01-28

晶圓臺(tái)積電 TSMC 先進(jìn)制程
先進(jìn)制程需求旺盛臺(tái)積電2010Q4每股盈余新臺(tái)幣1.57元

TSMC 27日公布2010年第四季財(cái)務(wù)報(bào)告，合并營(yíng)收為新臺(tái)幣1101.4億元，稅后純益為新臺(tái)幣407.2億元，每股盈余為新臺(tái)幣1.57元（換算成美國(guó)存托憑證每單位為0.26美元）。與2009年同期相較，2010年第四季營(yíng)收增加19.6%，稅后

模擬
2011-01-28

晶圓臺(tái)積電 TSMC 先進(jìn)制程
擴(kuò)充先進(jìn)制程　聯(lián)電今年資本支出18億美元

鄭茜文／臺(tái)北為擴(kuò)充40奈米與28奈米先進(jìn)制程產(chǎn)能，聯(lián)電宣布2011年資本支出將達(dá)約18億美元，與2010年相當(dāng)，聯(lián)電預(yù)估，2011年12吋產(chǎn)能將增加25%，65奈米制程全年?duì)I收比重將提升至40%左右，40奈米制程下半年將提升到10%

模擬
2011-01-27

聯(lián)電 LED 先進(jìn)制程 DM
聯(lián)電下半年 40/45奈米比重達(dá)1成

聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉看好今年40/45奈米制程技術(shù)業(yè)績(jī)可望逐季攀高，預(yù)期下半年?duì)I收比重可望達(dá)1成水準(zhǔn)。聯(lián)電今年資本支出將約18億美元，40奈米將是擴(kuò)充重點(diǎn)。晶圓代工廠聯(lián)電今天召開法人說明會(huì)，孫世偉表示，去年聯(lián)電65奈

模擬
2011-01-26

晶片聯(lián)電制程技術(shù) 先進(jìn)制程
臺(tái)積花29億元買力晶竹科12寸廠

臺(tái)積電昨（12）日宣布，以29億元買下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房，做為20奈米以下先進(jìn)制程的新基地。力晶29億元落袋，可提升現(xiàn)金部位，抵抗DRAM市況寒冬。市場(chǎng)原估計(jì)交易金額逾30億元，實(shí)際以29億元成交。外

模擬
2011-01-13

DRAM 臺(tái)積電 FAB 先進(jìn)制程
產(chǎn)能先進(jìn)制程推升明年臺(tái)積電市占升至52%

晶圓代工版圖競(jìng)爭(zhēng)激烈，目前臺(tái)積電持續(xù)以50%的市占率穩(wěn)居龍頭寶座，隨著擴(kuò)產(chǎn)腳步加速，以及先進(jìn)制程擴(kuò)大領(lǐng)先幅度，臺(tái)積電2011年市占率可望提升至52%，強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一的全球晶圓(GlobalFoundries)在合并特許以及大幅

模擬
2010-12-27

中芯臺(tái)積電晶圓代工先進(jìn)制程
手機(jī)芯片廠轉(zhuǎn)進(jìn)先進(jìn)制程進(jìn)展

中國(guó)大陸IC設(shè)計(jì)廠展訊預(yù)定明年1月于北京發(fā)表，采用40納米制程低耗電3G通訊基帶晶片，成為手機(jī)芯片大廠高通（Qualcomm）后，進(jìn)入40納米制程的手機(jī)芯片廠。市場(chǎng)亦傳出，高通方面已與展訊就TD芯片展開合作，法人預(yù)估，高

消費(fèi)電子
2010-12-27

芯片廠手機(jī)芯片 3G 先進(jìn)制程
臺(tái)積電產(chǎn)能先進(jìn)制程提升

晶圓代工版圖競(jìng)爭(zhēng)激烈，目前臺(tái)積電持續(xù)以50%的市占率穩(wěn)居龍頭寶座，隨著擴(kuò)產(chǎn)腳步加速，以及先進(jìn)制程擴(kuò)大領(lǐng)先幅度，臺(tái)積電2011年市占率可望提升至52%，強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一的全球晶圓(Global Foundries)在合并特許以及大

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-12-27

中芯臺(tái)積電晶圓代工先進(jìn)制程
產(chǎn)能先進(jìn)制程推升　明年臺(tái)積電市占升至52%

晶圓代工版圖競(jìng)爭(zhēng)激烈，目前臺(tái)積電持續(xù)以50%的市占率穩(wěn)居龍頭寶座，隨著擴(kuò)產(chǎn)腳步加速，以及先進(jìn)制程擴(kuò)大領(lǐng)先幅度，臺(tái)積電2011年市占率可望提升至52%，強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一的全球晶圓(Global Foundries)在合并特許以及大

模擬
2010-12-27

中芯臺(tái)積電晶圓代工先進(jìn)制程
產(chǎn)能制程推升明年臺(tái)積電市占升至52%

晶圓代工版圖競(jìng)爭(zhēng)激烈，目前臺(tái)積電持續(xù)以50%的市占率穩(wěn)居龍頭寶座，隨著擴(kuò)產(chǎn)腳步加速，以及先進(jìn)制程擴(kuò)大領(lǐng)先幅度，臺(tái)積電2011年市占率可望提升至52%，強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一的全球晶圓(Global Foundries)在合并特許以及大

模擬
2010-12-24

中芯臺(tái)積電晶圓代工先進(jìn)制程
IDM釋單/制程較勁　晶圓代工產(chǎn)能持續(xù)攀升

結(jié)束2010年終端應(yīng)用所帶動(dòng)的強(qiáng)勁成長(zhǎng)力道，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)恢復(fù)緩慢成長(zhǎng)的步調(diào)，資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所(MIC)預(yù)測(cè)，隨成長(zhǎng)力道趨緩，晶圓代工廠競(jìng)爭(zhēng)勢(shì)必更加激烈，短期來看，整合元件制造商(IDM)釋單比重增加，將帶動(dòng)晶

模擬
2010-12-24

三星晶圓代工先進(jìn)制程 DM
DRAM價(jià)格加速下滑也不能嚇阻廠商加大明年供貨

2009年第二季全球景氣在歷經(jīng)金融海嘯沖擊后自谷底逐季攀升，DRAM價(jià)格亦伴隨景氣回復(fù)同步自谷底走揚(yáng)。DIGITIMESResearch分析師柴煥欣說明，2006年以來，包括臺(tái)、美、日等DRAM廠即因產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下跌而處于長(zhǎng)期虧損窘境

模擬
2010-12-23

DRAM 40納米 GB 先進(jìn)制程
四家手機(jī)芯片廠轉(zhuǎn)進(jìn)先進(jìn)制程進(jìn)展

中國(guó)大陸IC設(shè)計(jì)廠展訊預(yù)定明年1月于北京發(fā)表，采用40納米制程低耗電3G通訊基帶晶片，成為手機(jī)芯片大廠高通（Qualcomm）后，進(jìn)入40納米制程的手機(jī)芯片廠。市場(chǎng)亦傳出，高通方面已與展訊就TD芯片展開合作，法人預(yù)估，高

模擬
2010-12-23

芯片廠手機(jī)芯片 3G 先進(jìn)制程
四家手機(jī)芯片廠轉(zhuǎn)進(jìn)先進(jìn)制程進(jìn)展

中國(guó)大陸IC設(shè)計(jì)廠展訊預(yù)定明年1月于北京發(fā)表，采用40納米制程低耗電3G通訊基帶晶片，成為手機(jī)芯片大廠高通（Qualcomm）后，進(jìn)入40納米制程的手機(jī)芯片廠。市場(chǎng)亦傳出，高通方面已與展訊就TD芯片展開合作，法人預(yù)估，高

消費(fèi)電子
2010-12-23

芯片廠手機(jī)芯片 3G 先進(jìn)制程

首頁上一頁 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 下一頁尾頁

先進(jìn)制程

英特爾總裁唱衰晶圓代工業(yè)

中芯國(guó)際年底加入40納米戰(zhàn)局

中芯國(guó)際年底加入45/40納米競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)局

GF是元兇?歐德寧預(yù)言晶圓代工過剩

英特爾憂代工產(chǎn)能過剩？原來是怕市場(chǎng)被瓜分

45/40奈米需求旺　中芯年底加入戰(zhàn)局

先進(jìn)制程需求旺盛臺(tái)積電2010Q4每股盈余新臺(tái)幣1.57元

先進(jìn)制程需求旺盛臺(tái)積電2010Q4每股盈余新臺(tái)幣1.57元

擴(kuò)充先進(jìn)制程　聯(lián)電今年資本支出18億美元

聯(lián)電下半年 40/45奈米比重達(dá)1成

臺(tái)積花29億元買力晶竹科12寸廠

產(chǎn)能先進(jìn)制程推升明年臺(tái)積電市占升至52%

手機(jī)芯片廠轉(zhuǎn)進(jìn)先進(jìn)制程進(jìn)展

臺(tái)積電產(chǎn)能先進(jìn)制程提升

產(chǎn)能先進(jìn)制程推升　明年臺(tái)積電市占升至52%

產(chǎn)能制程推升明年臺(tái)積電市占升至52%

IDM釋單/制程較勁　晶圓代工產(chǎn)能持續(xù)攀升

DRAM價(jià)格加速下滑也不能嚇阻廠商加大明年供貨

四家手機(jī)芯片廠轉(zhuǎn)進(jìn)先進(jìn)制程進(jìn)展

四家手機(jī)芯片廠轉(zhuǎn)進(jìn)先進(jìn)制程進(jìn)展

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動(dòng)

課程視頻