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2012年光刻掩膜板市場預計可達32億美元
SEMI研究報告最新研究報告顯示，2010年全球半導體光刻掩膜板市場達到了30億元規(guī)模，預估2012年這一數字可達32億美元。由于有2008和2009連續(xù)兩年的簽約保障下，半導體光刻掩膜板市場在2010年增長了10%，而未來兩年光刻
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ASML第一季度凈利潤增至3.95億歐元 訂單規(guī)模達8.45億歐元
荷蘭半導體光刻設備供應商ASMLHoldingNV日前宣布，第一季度凈利潤增加兩倍以上達到3.95億歐元，季度營收同樣增加近一倍升至14.5億歐元，好于分析師預期。季度利潤升至3.95億歐元(5.70億美元)或每股0.9歐元，一年前同
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Intel:極遠紫外光刻恐將錯過10nm工藝
Intel近日親口承認，備受關注的極遠紫外光刻(EUV)技術可能又要推遲了，要趕不上10nm工藝這一里程碑步驟希望渺茫。 Intel目前的計劃是在14nm工藝上擴展193nm沉浸式光刻技術，預計2013年下半年實現，然后2015年下半
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微捷碼推出代工廠分析框架Excalibur-Litho
21ic訊 微捷碼（Magma®）設計自動化有限公司日前宣布推出一款完整的代工廠分析框架——Excalibur-Litho™，支持先進光刻解決方案的開發(fā)和監(jiān)控。Excalibur-Litho是首款集成了設計數據和缺陷、度量
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Magma發(fā)布全新光刻開發(fā)監(jiān)測產品Excalibur-Litho
芯片設計軟件供應商Magma Design Automation日前發(fā)布Excalibur-Litho，該產品包含完整的晶圓廠分析架構，支持先進光刻方案的開發(fā)和監(jiān)測。Magma's New Excalibur-Litho is First System to Efficiently Integrate Rea
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上海華力微電子采用明導國際Calibre? RET和OPC計算光刻平臺
明導國際(納斯達克代碼：MENT)今日宣布，由中國政府、上海聯(lián)創(chuàng)投資管理有限公司、上海華虹(集團)有限公司、上海宏力半導體制造有限公司以及上海華虹NEC電子有限公司等合資成立的晶圓代工企業(yè)上海華力微電子有限公司采
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光刻世界的期待與沮喪
數十年來，光刻一直是關鍵的芯片生產技術。今天它仍然很重要。不過，在最近的SPIE先進光刻技術大會中，一些跡象顯示，光刻界及其客戶需要的微縮──字面上的微縮──事實上幾乎已經有點像心理安慰了。 焦慮、緊張
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EVG推出EVG620HBL光刻系統(tǒng)
EVG在SEMICON China 2011展會期間推出EVG620HBL光刻系統(tǒng)。 這一全新的EVG620HBL全自動光刻系統(tǒng)以經過實戰(zhàn)作業(yè)驗證的EVG光刻機平臺為基礎，旨在優(yōu)化高亮度發(fā)光二極管(HB - LED)、復合半導體和動力電子設備的生產制造。
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應對快速增長的HB-LED市場需求 EVG推出EVG620HBL光刻系統(tǒng)
世界領先的先進半導體與封裝、微機電系統(tǒng)、硅絕緣體（SOI）和新興納米技術市場晶圓鍵合與光刻設備應供應商EVG宣布，其產品組合中再添新成員。 這一全新的EVG620HBL全自動光刻系統(tǒng)以經過實戰(zhàn)作業(yè)驗證的EVG光刻機平臺為
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Intel：極遠紫外光刻恐將錯過10nm工藝
Intel近日親口承認，備受關注的極遠紫外光刻(EUV)技術可能又要推遲了，要趕不上10nm工藝這一里程碑步驟希望渺茫。 Intel目前的計劃是在14nm工藝上擴展193nm沉浸式光刻技術，預計2013年下半年實現，然后2015年下半年
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Brewer Science推出OptiStack系統(tǒng) 降低沉浸式光刻工藝開發(fā)時間和成本
先進光刻材料領先供應商Brewer Science欣然推出OptiStack系統(tǒng)，集成了材料、軟件和工藝支持，專為突破先進光刻限制、為新設備節(jié)省時間和成本、提升光刻投資回報率而設計。Brewer Science Announces the OptiStack? S
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一種200V/100A VDMOS 器件開發(fā)
摘 要：分析了功率MOSFET 最大額定電流與導通電阻的關系，討論了平面型中壓大電流VDMOS器件設計中導通電阻、面積和開關損耗的折衷考慮，提出了圓弧形溝道布局以增大溝道寬度，以及柵氧下部分非溝道區(qū)域采用局域氧
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一種200V/100A VDMOS 器件開發(fā)
摘 要：分析了功率MOSFET 最大額定電流與導通電阻的關系，討論了平面型中壓大電流VDMOS器件設計中導通電阻、面積和開關損耗的折衷考慮，提出了圓弧形溝道布局以增大溝道寬度，以及柵氧下部分非溝道區(qū)域采用局域氧
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華碩即將推出12X速藍光刻錄機
在過去的2010年，被譽為“刻錄專家”的華碩光存儲保持著強勢增長，在市場上有不俗的表現。據最新消息，華碩光存儲將于近日推出一款全球最快的12X速內置藍光刻錄機，繼續(xù)給力2011，產品參考價格：￥999－1099換玲
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美國倫斯勒理工學院開發(fā)新式液體鏡頭有可能幫助改進浸沒式光刻設備
美國倫斯勒理工學院最近開發(fā)出一種新式液體鏡頭，能通過超小型的微流體活塞、以電氣方式調整焦距，不須外加零件。此前，液體鏡頭已經被應用在浸沒式光刻設備，用以提升光刻分辨率，使得目前的CMOS工藝得以繼續(xù)向90納
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2011年半導體設備市場十大預測
戶的雙倍光刻訂單(包括浸潤式光刻設備與EUV)，該市場將保持強勁成長。BarclaysCapital將2011年浸潤式光刻設備市場的出貨量預測，由原先估計的130臺上修為138臺，2010年的出貨量則估計為115臺；在這138臺出貨中，內存
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先鋒推首款多層藍光刻錄機 支持BDXL
藍光協(xié)會今年四月宣布了新的3層-4層藍光刻錄光盤格式BDXL，6月份正式通過成為行業(yè)標準。BDXL格式主要面向大容量數據存儲，相關BDXL光盤和藍光錄像機產品9月份已經上市，先鋒近日則發(fā)布全球首款個人電腦用BDXL刻錄
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GlobalFoundries 22/20nm工藝啟用極紫外光刻 AMD等不及
在半導體產業(yè)盛會Semicon West 2010上，GlobalFoundries公布了該公司推動極紫外(EUV)光刻技術投入量產的一些規(guī)劃細節(jié)。按照這份計劃書，GF將在 2014-2015年左右將極紫外光刻技術推向商用，屆時半導體制造工藝也會進化
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Imec和ASML共同驗證用于沉浸式光刻的新型照明系統(tǒng)
Imec和ASML已合作驗證ASML的Tachyon Source Mask Optimization和可編程照明系統(tǒng)FlexRay，通過22nm SRAM單元的制造展示了其潛在應用價值。今年10月，imec使用的ASML XT：1900i掃描光刻設備將安裝FlexRay產品，幫助ime
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挺進20nm：臺積電將在Fab12工廠裝用ASML產EUV光刻設備
據臺積電公司負責技術研發(fā)的副總裁蔣尚義表示，2011年臺積電從荷蘭ASML公司訂購的極紫外(EUV，波長13.5nm)光刻設備將運抵廠內，這批訂購的設備將為臺積電公司2013年將公司制程能力升級到20nm級別鋪平道路。蔣尚義是在
