SEMI研究報告最新研究報告顯示,2010年全球半導(dǎo)體光刻掩膜板市場達到了30億元規(guī)模,預(yù)估2012年這一數(shù)字可達32億美元。由于有2008和2009連續(xù)兩年的簽約保障下,半導(dǎo)體光刻掩膜板市場在2010年增長了10%,而未來兩年光刻
SEMI研究報告最新研究報告顯示,2010年全球半導(dǎo)體光刻掩膜板市場達到了30億元規(guī)模,預(yù)估2012年這一數(shù)字可達32億美元。由于有2008和2009連續(xù)兩年的簽約保障下,半導(dǎo)體光刻掩膜板市場在2010年增長了10%,而未來兩年光刻
荷蘭半導(dǎo)體光刻設(shè)備供應(yīng)商ASMLHoldingNV日前宣布,第一季度凈利潤增加兩倍以上達到3.95億歐元,季度營收同樣增加近一倍升至14.5億歐元,好于分析師預(yù)期。季度利潤升至3.95億歐元(5.70億美元)或每股0.9歐元,一年前同
Intel近日親口承認(rèn),備受關(guān)注的極遠紫外光刻(EUV)技術(shù)可能又要推遲了,要趕不上10nm工藝這一里程碑步驟希望渺茫。 Intel目前的計劃是在14nm工藝上擴展193nm沉浸式光刻技術(shù),預(yù)計2013年下半年實現(xiàn),然后2015年下半
21ic訊 微捷碼(Magma®)設(shè)計自動化有限公司日前宣布推出一款完整的代工廠分析框架——Excalibur-Litho™,支持先進光刻解決方案的開發(fā)和監(jiān)控。Excalibur-Litho是首款集成了設(shè)計數(shù)據(jù)和缺陷、度量
芯片設(shè)計軟件供應(yīng)商Magma Design Automation日前發(fā)布Excalibur-Litho,該產(chǎn)品包含完整的晶圓廠分析架構(gòu),支持先進光刻方案的開發(fā)和監(jiān)測。Magma's New Excalibur-Litho is First System to Efficiently Integrate Rea
明導(dǎo)國際(納斯達克代碼:MENT)今日宣布,由中國政府、上海聯(lián)創(chuàng)投資管理有限公司、上海華虹(集團)有限公司、上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司以及上海華虹NEC電子有限公司等合資成立的晶圓代工企業(yè)上海華力微電子有限公司采
數(shù)十年來,光刻一直是關(guān)鍵的芯片生產(chǎn)技術(shù)。今天它仍然很重要。不過,在最近的SPIE先進光刻技術(shù)大會中,一些跡象顯示,光刻界及其客戶需要的微縮──字面上的微縮──事實上幾乎已經(jīng)有點像心理安慰了。 焦慮、緊張
EVG在SEMICON China 2011展會期間推出EVG620HBL光刻系統(tǒng)。 這一全新的EVG620HBL全自動光刻系統(tǒng)以經(jīng)過實戰(zhàn)作業(yè)驗證的EVG光刻機平臺為基礎(chǔ),旨在優(yōu)化高亮度發(fā)光二極管(HB - LED)、復(fù)合半導(dǎo)體和動力電子設(shè)備的生產(chǎn)制造。
世界領(lǐng)先的先進半導(dǎo)體與封裝、微機電系統(tǒng)、硅絕緣體(SOI)和新興納米技術(shù)市場晶圓鍵合與光刻設(shè)備應(yīng)供應(yīng)商EVG宣布,其產(chǎn)品組合中再添新成員。 這一全新的EVG620HBL全自動光刻系統(tǒng)以經(jīng)過實戰(zhàn)作業(yè)驗證的EVG光刻機平臺為
Intel近日親口承認(rèn),備受關(guān)注的極遠紫外光刻(EUV)技術(shù)可能又要推遲了,要趕不上10nm工藝這一里程碑步驟希望渺茫。 Intel目前的計劃是在14nm工藝上擴展193nm沉浸式光刻技術(shù),預(yù)計2013年下半年實現(xiàn),然后2015年下半年
先進光刻材料領(lǐng)先供應(yīng)商Brewer Science欣然推出OptiStack系統(tǒng),集成了材料、軟件和工藝支持,專為突破先進光刻限制、為新設(shè)備節(jié)省時間和成本、提升光刻投資回報率而設(shè)計。Brewer Science Announces the OptiStack? S
摘 要:分析了功率MOSFET 最大額定電流與導(dǎo)通電阻的關(guān)系,討論了平面型中壓大電流VDMOS器件設(shè)計中導(dǎo)通電阻、面積和開關(guān)損耗的折衷考慮,提出了圓弧形溝道布局以增大溝道寬度,以及柵氧下部分非溝道區(qū)域采用局域氧
摘 要:分析了功率MOSFET 最大額定電流與導(dǎo)通電阻的關(guān)系,討論了平面型中壓大電流VDMOS器件設(shè)計中導(dǎo)通電阻、面積和開關(guān)損耗的折衷考慮,提出了圓弧形溝道布局以增大溝道寬度,以及柵氧下部分非溝道區(qū)域采用局域氧
在過去的2010年,被譽為“刻錄專家”的華碩光存儲保持著強勢增長,在市場上有不俗的表現(xiàn)。據(jù)最新消息,華碩光存儲將于近日推出一款全球最快的12X速內(nèi)置藍光刻錄機,繼續(xù)給力2011,產(chǎn)品參考價格:¥999-1099換玲
美國倫斯勒理工學(xué)院最近開發(fā)出一種新式液體鏡頭,能通過超小型的微流體活塞、以電氣方式調(diào)整焦距,不須外加零件。此前,液體鏡頭已經(jīng)被應(yīng)用在浸沒式光刻設(shè)備,用以提升光刻分辨率,使得目前的CMOS工藝得以繼續(xù)向90納
戶的雙倍光刻訂單(包括浸潤式光刻設(shè)備與EUV),該市場將保持強勁成長。BarclaysCapital將2011年浸潤式光刻設(shè)備市場的出貨量預(yù)測,由原先估計的130臺上修為138臺,2010年的出貨量則估計為115臺;在這138臺出貨中,內(nèi)存
藍光協(xié)會今年四月宣布了新的3層-4層藍光刻錄光盤格式BDXL,6月份正式通過成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。BDXL格式主要面向大容量數(shù)據(jù)存儲,相關(guān)BDXL光盤和藍光錄像機產(chǎn)品9月份已經(jīng)上市,先鋒近日則發(fā)布全球首款個人電腦用BDXL刻錄
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會Semicon West 2010上,GlobalFoundries公布了該公司推動極紫外(EUV)光刻技術(shù)投入量產(chǎn)的一些規(guī)劃細節(jié)。按照這份計劃書,GF將在 2014-2015年左右將極紫外光刻技術(shù)推向商用,屆時半導(dǎo)體制造工藝也會進化
Imec和ASML已合作驗證ASML的Tachyon Source Mask Optimization和可編程照明系統(tǒng)FlexRay,通過22nm SRAM單元的制造展示了其潛在應(yīng)用價值。今年10月,imec使用的ASML XT:1900i掃描光刻設(shè)備將安裝FlexRay產(chǎn)品,幫助ime