光刻

挺進(jìn)20nm：臺(tái)積電將在Fab12工廠裝用ASML產(chǎn)EUV光刻設(shè)備

據(jù)臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)的副總裁蔣尚義表示，2011年臺(tái)積電從荷蘭ASML公司訂購的極紫外(EUV，波長13.5nm)光刻設(shè)備將運(yùn)抵廠內(nèi)，這批訂購的設(shè)備將為臺(tái)積電公司2013年將公司制程能力升級(jí)到20nm級(jí)別鋪平道路。蔣尚義是在

挺進(jìn)20nm：臺(tái)積電2011年將開始在Fab12工廠裝用ASML產(chǎn)EUV光刻設(shè)備

據(jù)臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)的副總裁蔣尚義表示，2011年臺(tái)積電從荷蘭ASML公司訂購的極紫外(EUV，波長13.5nm)光刻設(shè)備將運(yùn)抵廠內(nèi)，這批訂 購的設(shè)備將為臺(tái)積電公司2013年將公司制程能力升級(jí)到20nm級(jí)別鋪平道路.蔣尚義是在

32nm制程用沉浸光刻設(shè)備客戶需求量劇增

據(jù)荷蘭ASML公司高管透露，由于最近半導(dǎo)體廠商對(duì)沉浸式光刻設(shè)備的需求量劇增，著名光刻廠商ASML公司最近重新召回了先前辭退的700名員工，同時(shí)還招聘了數(shù)百名新員工，這名高管表示ASML公司還需要再增加300名員工，同時(shí)

32nm制程用沉浸光刻設(shè)備客戶需求量劇增

據(jù)荷蘭ASML公司高管透露，由于最近半導(dǎo)體廠商對(duì)沉浸式光刻設(shè)備的需求量劇增，著名光刻廠商ASML公司最近重新召回了先前辭退的700名員工，同時(shí)還招聘了數(shù)百名新員工，這名高管表示ASML公司還需要再增加300名員工，同時(shí)

32nm制程用沉浸光刻設(shè)備客戶需求量劇增：ASML公司召回先前遭辭退員工

據(jù)荷蘭ASML公司高管透露，由于最近半導(dǎo)體廠商對(duì)沉浸式光刻設(shè)備的需求量劇增，著名光刻廠商ASML公司最近重新召回了先前辭退的700名員工，同時(shí)還 招聘了數(shù)百名新員工，這名高管表示ASML公司還需要再增加300名員工，同時(shí)

32nm制程用沉浸光刻設(shè)備客戶劇增：ASML召回先前遭辭退員工

據(jù)荷蘭ASML公司高管透露，由于最近半導(dǎo)體廠商對(duì)沉浸式光刻設(shè)備的需求量劇增，著名光刻廠商ASML公司最近重新召回了先前辭退的700名員工，同時(shí)還 招聘了數(shù)百名新員工，這名高管表示ASML公司還需要再增加300名員工，同時(shí)

Intel展示新材料 極紫外光刻走向?qū)嵱?/a>

SUSS MicroTec推出面向LED市場的專用光刻系統(tǒng)

SUSS MicroTec，全球知名的半導(dǎo)體行業(yè)及相關(guān)設(shè)備和工藝解決方案供應(yīng)商，推出新一代MA100e光刻機(jī)，專用于高亮度發(fā)光二極管(HB-LEDs)生產(chǎn)。MA100e基于SUSS MicroTec光刻機(jī)經(jīng)典設(shè)計(jì)，具有最大至4英寸的載片能力，每小時(shí)

光刻設(shè)備交貨延期推遲DRAM40納米戰(zhàn)局

全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤式機(jī)臺(tái)(ImmersionScanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計(jì)劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程的目標(biāo)，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺(tái)浸潤式機(jī)臺(tái)本周

ASML第一季訂單量繼續(xù)增長

荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商ASML的訂單狀況顯示今年第一季情況繼續(xù)好轉(zhuǎn)，投資者將詳細(xì)審視該公司業(yè)績，以尋找芯片行業(yè)結(jié)構(gòu)性復(fù)蘇的跡象。分析師將該公司的訂單情況視作英特爾和臺(tái)積電等大型芯片生產(chǎn)商業(yè)績預(yù)估的風(fēng)向標(biāo)。根

Maskless Lithography公司推出用于大批量PCB生產(chǎn)的直寫光刻設(shè)備

Maskless Lithography公司推出全新的可提高印制電路板（PCB） 生產(chǎn)門檻的直寫數(shù)字成像技術(shù)。這種MLI-2027直寫光刻系統(tǒng)首次在業(yè)內(nèi)同時(shí)實(shí)現(xiàn)高精度、高生產(chǎn)效率和高成品率，並采用標(biāo)準(zhǔn)的“非激光直接成像（Non-LDI）”

Maskless Lithography推出用于大批量PCB生產(chǎn)的直寫光刻設(shè)備

Maskless Lithography公司今天首次公開推出全新的可提高印制電路板(PCB) 生產(chǎn)門檻的直寫數(shù)字成像技術(shù)。這種MLI-2027直寫光刻系統(tǒng)首次在業(yè)內(nèi)同時(shí)實(shí)現(xiàn)高精度、高生產(chǎn)效率和高成品率，並采用標(biāo)準(zhǔn)的“非激光直接成像

Intel 22nm光刻工藝背后的故事

去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。 當(dāng)然了，新型半導(dǎo)體工藝的實(shí)現(xiàn)并不是Intel一家就能做到的，背后默默貢獻(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備的功臣卻往

Intel22nm光刻工藝背后的故事

去年九月底的舊金山秋季IDF2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。當(dāng)然了，新型半導(dǎo)體工藝的實(shí)現(xiàn)并不是Intel一家就能做到的，背后默默貢獻(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備的功臣卻往往不

英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米

英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補(bǔ)者,并聲稱11納米可能發(fā)生在2015年。Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術(shù)可能延伸到分別在201

450mm晶圓，EUV光刻、TSV三項(xiàng)投入應(yīng)用將推遲至2015-2016年

半導(dǎo)體技術(shù)市場權(quán)威分析公司ICInsights近日發(fā)布的報(bào)告顯示，按照他們的估計(jì)，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)（EUV）投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)將再度后延。據(jù)ICInsights預(yù)計(jì)，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望

450mm晶圓,EUV光刻、TSV三項(xiàng)投入應(yīng)用將推遲至2015-2016年

半導(dǎo)體技術(shù)市場權(quán)威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報(bào)告顯示，按照他們的估計(jì)，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)（EUV）投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)將再度后延。據(jù)IC Insights預(yù)計(jì)，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有

ISS的參會(huì)者熱辯IC制造業(yè)的未來命運(yùn)

未來IC制造業(yè)會(huì)是怎么樣?在SEMI舉行的每年一度的工業(yè)策略年會(huì)ISS上，與會(huì)者對(duì)于這個(gè)議題的討論有不同的看法。持反對(duì)意見方認(rèn)為未來450mm硅片由于摩爾定律接近終點(diǎn)及存在著巨大的研發(fā)經(jīng)費(fèi)缺口。而所有同意方認(rèn)為IC制造

光刻巨頭ASML四季度來首次盈利

隨著芯片廠商設(shè)備訂單的恢復(fù)，歐洲最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML報(bào)出了2930萬美元的凈利潤，為四個(gè)季度來首次盈利。ASML在今天的聲明中表示該公司第三季度凈利潤為1970萬歐元(2930萬美元)，即每股5歐分，低于去年同期7