-
極紫外光刻2015年商用：目標10nm
全球最大的半導體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天重申，極紫外(EUV)光刻技術(shù)將在2015年如期投入商用，各大半導體廠商都在摩拳擦掌。ASML首席執(zhí)行官兼總裁Peter Wennink公開表示：“NXE:3300B極紫外光刻掃描儀的整合
-
450毫米晶圓2018年量產(chǎn) 極紫外光刻緊隨
全球最大的半導體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天披露說，他們將按計劃在2015年提供450毫米晶圓制造設(shè)備的原型，Intel、三星電子、臺積電等預(yù)計將在2018年實現(xiàn)450毫米晶圓的商業(yè)性量產(chǎn)，與此同時，極紫外(EUV)光刻設(shè)備也
-
450毫米晶圓2018年量產(chǎn) 極紫外光刻緊隨
全球最大的半導體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天披露說，他們將按計劃在2015年提供450毫米晶圓制造設(shè)備的原型，Intel、三星電子、臺積電等預(yù)計將在2018年實現(xiàn)450毫米晶圓的商業(yè)性量產(chǎn)，與此同時，極紫外(EUV)光刻設(shè)備也
-
450毫米晶圓2018年量產(chǎn) 極紫外光刻緊隨
全球最大的半導體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天披露說，他們將按計劃在2015年提供450毫米晶圓制造設(shè)備的原型，Intel、三星電子、臺積電等預(yù)計將在2018年實現(xiàn)450毫米晶圓的商業(yè)性量產(chǎn)，與此同時，極紫外(EUV)光刻設(shè)備也
-
450毫米晶圓2018年量產(chǎn) 極紫外光刻緊隨
全球最大的半導體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天披露說，他們將按計劃在2015年提供450毫米晶圓制造設(shè)備的原型，Intel、三星電子、臺積電等預(yù)計將在2018年實現(xiàn)450毫米晶圓的商業(yè)性量產(chǎn)，與此同時，極紫外(EUV)光刻設(shè)備也
-
Rolith和SUSS MicroTec宣布安裝第2代納米光刻工具
2013年3月7日，高級納米結(jié)構(gòu)涂層和設(shè)備研發(fā)企業(yè)Rolith, Inc.宣布成功安裝 由Rolith, Inc. 獨家授權(quán)SUSS MicroTec AG建造的第 2 代納米結(jié)構(gòu)原型工具 – RML-2 工具。此原型基于 Rolith, Inc. 開發(fā)的具有顛覆性的納米光
-
先進半導體交付業(yè)界首款450mm光刻系統(tǒng)
先進半導體光刻技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導商 Molecular Imprints, Inc. （簡稱MII）18日宣布交付業(yè)界首款能夠?qū)崿F(xiàn)450mm 硅晶圓基底圖案成形的先進光刻平臺。該產(chǎn)品目前被用于支450mm晶圓工藝開發(fā)需求，有望促進半導體行業(yè)向低成
-
先進半導體交付業(yè)界首款450mm光刻系統(tǒng)
先進半導體光刻技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導商 Molecular Imprints, Inc. （簡稱MII）18日宣布交付業(yè)界首款能夠?qū)崿F(xiàn)450mm 硅晶圓基底圖案成形的先進光刻平臺。該產(chǎn)品目前被用于支450mm晶圓工藝開發(fā)需求，有望促進半導體行業(yè)向低成
-
MII 交付業(yè)界首款450mm 先進光刻系統(tǒng)
-- 該公司向領(lǐng)先半導體生產(chǎn)商交付業(yè)界首款450mm 先進光刻系統(tǒng)，為全球性450mm 計劃提供支持 -- MII 的 J-FIL(TM) 技術(shù)使半導體行業(yè)能夠提前兩年實現(xiàn)450mm 晶圓生產(chǎn) 得克薩斯州奧斯汀2013年1月18日電 /美通社/ --
-
TSMC展望7nm工藝:450mm晶圓+極紫外光刻
【IT168 應(yīng)用】臺積電近日對“遙遠”未來的半導體技術(shù)進行了展望，再次強調(diào)了450毫米大尺寸晶圓、極紫外(EUV)光刻技術(shù)的重要性，聲稱7nm工藝絕對離不開它們，甚至10nm的時候就需要。 臺積電CEO兼董事長張忠謀指出
-
國際/Molecular Imprints 將為半導體制造提供光刻設(shè)備
德克薩斯州奧斯丁2012年9月24日電 /美通社/ 奈米圖案成形系統(tǒng)與解決方案的市場與技術(shù)領(lǐng)導商Molecular Imprints, Inc. (MII) 今天宣布，該公司已經(jīng)獲得一份包含多個壓印范本的采購訂單。這些范本將被整合進某半導
-
Molecular Imprints 將為半導體大批量制造提供先進光刻設(shè)備
納米圖案成形系統(tǒng)與解決方案的市場與技術(shù)領(lǐng)導商Molecular Imprints, Inc. (MII) 9月24日宣布，該公司已經(jīng)獲得一份包含多個壓印模板的采購訂單。這些模板將被整合進某半導體設(shè)備公司的光刻機中，包括 MII 專有的最新
-
Molecular Imprints 將為半導體大批量制造提供先進光刻設(shè)備
納米圖案成形系統(tǒng)與解決方案的市場與技術(shù)領(lǐng)導商Molecular Imprints, Inc. (MII) 9月24日宣布，該公司已經(jīng)獲得一份包含多個壓印模板的采購訂單。這些模板將被整合進某半導體設(shè)備公司的光刻機中，包括 MII 專有的最新
-
Molecular Imprints 將為半導體大批量制造提供先進光刻設(shè)備
得克薩斯州奧斯汀2012年9月24日電 /美通社/ -- 納米圖案成形系統(tǒng)與解決方案的市場與技術(shù)領(lǐng)導商Molecular Imprints, Inc. (MII) 今天宣布，該公司已經(jīng)獲得一份包含多個壓印模板的采購訂單。這些模板將被整合進某半導體
-
Molecular Imprints 將為半導體大批量制造提供先進光刻設(shè)備
德克薩斯州奧斯丁2012年9月24日電 /美通社/ -- 奈米圖案成形( http://www.molecularimprints.com )系統(tǒng)與解決方案的市場與技術(shù)領(lǐng)導商Molecular Imprints, Inc. (MII) 今天宣布，該公司已經(jīng)獲得一份包含多個壓印( htt
-
制作壓力傳感器中用到的簡易雙面光刻對準技術(shù)
在壓力傳感器的微細加工技術(shù)中要求在樣品背面的掩膜上光刻出壓力腔窗口的圖形而且與正面圖形嚴格對準。待別是在設(shè)計時必須將力敏電阻安排在膜內(nèi)；有時離開膜邊的距離僅為30P”。正反圖形錯開時，力敏電阻條對壓
-
制作壓力傳感器中用到的簡易雙面光刻對準技術(shù)
在壓力傳感器的微細加工技術(shù)中要求在樣品背面的掩膜上光刻出壓力腔窗口的圖形而且與正面圖形嚴格對準。待別是在設(shè)計時必須將力敏電阻安排在膜內(nèi)；有時離開膜邊的距離僅為30P”。正反圖形錯開時，力敏電阻條對壓
-
SEMI：2013年全球光刻掩膜板市場預(yù)計可達33.5億美元規(guī)模
SEMI最新研究報告顯示，2011年全球半導體光刻掩膜板市場達到了31.2億美元規(guī)模，預(yù)估2013年這一數(shù)字可達33.5億美元。繼2010年達到高峰以后，光刻掩膜板市場2011年再次增長了3%，創(chuàng)下歷史新高。而未來兩年光刻掩膜板市
-
SEMI：2013年全球光刻掩膜板市場預(yù)計可達33.5億美元規(guī)模
SEMI最新研究報告顯示，2011年全球半導體光刻掩膜板市場達到了31.2億美元規(guī)模，預(yù)估2013年這一數(shù)字可達33.5億美元。繼2010年達到高峰以后，光刻掩膜板市場2011年再次增長了3%，創(chuàng)下歷史新高。而未來兩年光刻掩膜板市
-
SEMI研究報告稱2013年全球光刻掩膜板市場可達33.5億美元規(guī)模
SEMI最新研究報告顯示，2011年全球半導體光刻掩膜板市場達到了31.2億美元規(guī)模，預(yù)估2013年這一數(shù)字可達33.5億美元。繼2010年達到高峰以后，光刻掩膜板市場2011年再次增長了3%，創(chuàng)下歷史新高。而未來兩年光刻掩膜板市
