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VGROUP與INKRON共同開(kāi)發(fā)下代光學(xué)組件的高折射率材料和納米壓印光刻技術(shù)
在EVG的NILPhotonics ® 技術(shù)處理中心，共同合作開(kāi)發(fā)衍射光學(xué)的新材料，以應(yīng)用于波導(dǎo)管、臉部識(shí)別傳感器和其他光子組件2020年2月17日，奧地利ST. FLORIAN和芬蘭埃斯波—EV Group(EVG)，為MEMS、納米科技和半
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臺(tái)積電7nm+大量供貨：近40年終于實(shí)現(xiàn)EUV光刻
臺(tái)積電今天宣布，N7+ 7nm+工藝已經(jīng)大批量供應(yīng)給客戶，這是該公司乃至全產(chǎn)業(yè)首個(gè)商用EUV極紫外光刻技術(shù)的工藝。 EUV光刻采用波長(zhǎng)為10-14nm的極紫外光作為光源，可使曝光波長(zhǎng)直接降到13.5n
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中科院院士：中國(guó)光刻技術(shù)與國(guó)外差距15-20年
國(guó)內(nèi)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心已經(jīng)無(wú)需多言，目前國(guó)內(nèi)最薄弱的領(lǐng)域還是芯片制造，而在這方面我們又缺少尖端的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，尤其是光刻技術(shù)，這是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中的核心工藝。 在2019中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)大會(huì)上，中
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EV集團(tuán)和肖特?cái)y手證明300-MM光刻/納米壓印技術(shù)在玻璃制造中已就緒
EV集團(tuán)和肖特?cái)y手證明300-MM光刻/納米壓印技術(shù)在玻璃制造中已就緒。聯(lián)合工作將在EVG的NILPhotonics®能力中心開(kāi)展,這是一個(gè)開(kāi)放式的光刻/納米壓印(NIL)技術(shù)創(chuàng)新孵化器,同時(shí)也是全球唯一
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首次加入EUV極紫外光刻！臺(tái)積電二代7nm+工藝已量產(chǎn)
臺(tái)積電官方宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡，也領(lǐng)先Intel、三星一大步。 臺(tái)積電表示，7nm+ EVU工藝的良品率已經(jīng)提高
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Brewer Science：做半導(dǎo)體材料的領(lǐng)路人
上個(gè)世紀(jì)80年代初Brewer Science發(fā)明了Anti-Reflective Coatings(防反射涂層，簡(jiǎn)稱“ARC®”)材料，由此革新了光刻工藝，Brewer Science一直致力于通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新不斷推動(dòng)摩爾定律向前發(fā)展。
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GIGAPHOTON確定將FABSCAPE?運(yùn)用于7家大型半導(dǎo)體制造商
2018年12月19日—半導(dǎo)體光刻的制造商GIGAPHOTON株式會(huì)社宣布，因用于半導(dǎo)體制造裝置運(yùn)行監(jiān)控與分析的“FABSCAPE?”自2018年3月發(fā)布以來(lái)獲得強(qiáng)烈反響，因此已確定在2019年1月前將其運(yùn)用于7家大型半導(dǎo)體制造商。
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新思科技攜手中科院微電子所成立EUV光刻仿真聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室
近日，新思科技與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，正式組建“EUV光刻仿真聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”并舉行揭牌儀式。雙方聯(lián)合宣布將在北京合作共建國(guó)際一流、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，共同合作開(kāi)發(fā)基于EUV的光刻仿真及應(yīng)用，致力提高中國(guó)EUV研發(fā)能力并共同培養(yǎng)該領(lǐng)域尖端人才。該聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室得到了北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)國(guó)際科技合作專項(xiàng)的支持。
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Maskless Lithography推出大批量PCB生產(chǎn)用直寫(xiě)光刻設(shè)備
Maskless Lithography公司近日首次公開(kāi)推出全新的可提高印制電路板（PCB）生產(chǎn)門(mén)檻的直寫(xiě)數(shù)字成像技術(shù)。Maskless Lithography是硅谷一家由一群行業(yè)資深人士領(lǐng)導(dǎo)的新創(chuàng)企業(yè)。這種MLI-2027直寫(xiě)光刻系統(tǒng)首次在業(yè)內(nèi)同時(shí)實(shí)
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淺談光刻膠在集成電路制造中的應(yīng)用性能
（電子科技大學(xué) 微電子與固體電子學(xué)院，成都 610054）摘 要：光刻膠技術(shù)是曝光技術(shù)中重要的組成部分,高性能的曝光工具需要有與之相配套的高性能的光刻膠才能真正獲得高分辨率的加工能力。主要圍繞光刻膠在集成電路制
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上海微電子：提升中國(guó)光刻設(shè)備高端制造水平
上海微電子裝備有限公司成立于2002年，公司主要致力于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)的投影光刻機(jī)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售與服務(wù)，可廣泛應(yīng)用于IC制造與先進(jìn)封裝、MEMS、3D-TSV、OLED-TFT、LED、Power Devices等制造領(lǐng)域。這是IC制造領(lǐng)域的
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沉浸式光刻制約EUV的推出
【導(dǎo)讀】使用193nm光刻的半導(dǎo)體發(fā)展路線圖已經(jīng)走到盡頭，下一代將必定采用157nm光。TI公司前端處理部經(jīng)理Jim Blatchford剛剛完成一種前沿157nm光刻系統(tǒng)的談判，但他對(duì)這種尚未驗(yàn)證的技術(shù)仍然有點(diǎn)擔(dān)心，因此他想去負(fù)責(zé)
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LED前端設(shè)備已啟動(dòng)下一輪投資
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 Yole Développement預(yù)測(cè)， 經(jīng)過(guò)18-24個(gè)月的消化期，LED前端設(shè)備市場(chǎng)開(kāi)始緩慢復(fù)蘇，并將在2014-2016年間經(jīng)歷另一輪投資，通用照明應(yīng)用是主要需求動(dòng)力。但第二輪投資價(jià)值有限，因?yàn)樵O(shè)備
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LED前端設(shè)備市場(chǎng)復(fù)蘇 已啟動(dòng)下一輪投資
Yole Développement預(yù)測(cè)， 經(jīng)過(guò)18-24個(gè)月的消化期，LED前端設(shè)備市場(chǎng)開(kāi)始緩慢復(fù)蘇，并將在2014-2016年間經(jīng)歷另一輪投資，通用照明應(yīng)用是主要需求動(dòng)力。但第二輪投資價(jià)值有限，因?yàn)樵O(shè)備產(chǎn)能和良率有所改善，
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4寸LED芯片尺寸成2014年發(fā)展趨勢(shì)
近期包括三安光電、華燦光電等芯片龍頭紛紛開(kāi)始布局2寸轉(zhuǎn)4寸外延芯片。業(yè)內(nèi)人士稱，4寸外延芯片為趨勢(shì)。 近日三安光電董秘李雪炭對(duì)本社表示，公司2013年完成2寸轉(zhuǎn)4寸片百分比為30%，爭(zhēng)取2014年達(dá)70%以上。華燦光電在
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以光為刃，鐫刻中國(guó)產(chǎn)業(yè)的“光刻指紋”
本報(bào)記者 陳 磊 賈 婧 創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展 賀榮明清楚地記得，11年前，當(dāng)大部分專家、領(lǐng)導(dǎo)問(wèn)他，中國(guó)自主研發(fā)光刻機(jī)有決心嗎？“有！”當(dāng)時(shí)的回答并無(wú)一絲猶豫。“如今回想此事真有些后怕，那時(shí)候勇氣勝過(guò)理智?！?/p>
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三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻
硅半導(dǎo)體工藝的極限在哪里？至少短期內(nèi)，各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm，更遙遠(yuǎn)的10nm也早早被列上了議事日程。 三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻 通過(guò)與ARM、Cadence、Synops
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三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻
硅半導(dǎo)體工藝的極限在哪里?至少短期內(nèi)，各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm，更遙遠(yuǎn)的10nm也早早被列上了議事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立體晶體管)，去年底就已經(jīng)取得重大突破，完成了
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三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻
硅半導(dǎo)體工藝的極限在哪里?至少短期內(nèi)，各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm，更遙遠(yuǎn)的10nm也早早被列上了議事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立體晶體管)，去年底就已經(jīng)取得重大突破，完成了
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21ic新聞大爆炸：極紫外光刻2015年商用——目標(biāo)10nm
1、極紫外光刻2015年商用：目標(biāo)10nm全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天重申，極紫外(EUV)光刻技術(shù)將在2015年如期投入商用，各大半導(dǎo)體廠商都在摩拳擦掌。ASML計(jì)劃在今年底出貨首批三臺(tái)NXE:3300B光刻機(jī)，其中
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