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三星公布3納米GAA架構(gòu)制程技術(shù)芯片開始生產(chǎn)
相較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16% 深圳2022年6月30日 /美通社/ -- 2022年6月30日，作為先進的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子今日宣布, 基于3納米（nm）全環(huán)繞柵極（Gate-All-Arou...
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三星3納米GAA架構(gòu)制程技術(shù)芯片開始生產(chǎn)
（全球TMT2022年6月30日訊）2022年6月30日，作為先進的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子宣布, 基于3納米（nm）全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT,簡稱 GAA）制程工藝節(jié)點的芯片已經(jīng)開始初步生產(chǎn)。 三星電子首次實現(xiàn)GAA"多橋-通道場效應(yīng)晶體...
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矽拓科技加入臺積公司開放創(chuàng)新平臺的設(shè)計中心聯(lián)盟(DCA)
臺灣新竹- Media OutReach - 2022年6月23日 - 臺灣領(lǐng)先 ASIC/SoC 版圖設(shè)計服務(wù)的供應(yīng)商矽拓科技今日宣布加入臺積公司開放創(chuàng)新平臺的設(shè)計中心聯(lián)盟(DCA)。矽拓科技專注于模擬、混合訊號、內(nèi)存和射頻(RF)集成電路版圖服務(wù)，熟悉臺積公司領(lǐng)先的制程技術(shù)，包括 7 納米, 5 納米, 4 納米, 和 3 納米技術(shù)以及其它特殊制程技術(shù)。
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新思科技和臺積公司推動芯片創(chuàng)新，開發(fā)基于N4P制程技術(shù)的最廣泛IP核組合
新思科技的DesignWare接口和基礎(chǔ)IP為基于臺積公司N4P制程的高性能計算和移動SoC設(shè)計提供優(yōu)化的功耗和性能 加利福尼亞州山景城2021年11月19日 /美通社/ -- 要點： De...
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美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術(shù)
進一步鞏固了在 DRAM 和 NAND 領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位
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Moortec在臺積電N6制程技術(shù)上面提供芯片內(nèi)傳感結(jié)構(gòu)
英格蘭普利茅斯2020年8月19日 /美通社/ -- 創(chuàng)新型芯片內(nèi)監(jiān)控解決方案方面的明確領(lǐng)導(dǎo)者Moortec今天宣布，該公司在臺積電(TSMC)
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臺積電高管再談疫情：5大應(yīng)用中將有4領(lǐng)域衰退
近日，臺積電發(fā)布由董事長劉德音與總裁魏哲家共同署名的《致股東報告書》，這是兩位臺積電最高領(lǐng)導(dǎo)人接班以來，第二次暢談臺積電策略及年度景氣展望。 報告顯示，臺積電2019年在先進制程技術(shù)、特殊制程技術(shù)，以
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臺積電年報首度提及2nm技術(shù) 去年開始研發(fā)
4月24日消息，據(jù)臺灣媒體報道，臺積電近日上傳了2019年年報，并在年報中首度提及2nm技術(shù)。 臺積電 在2018年年報中，臺積電的表述為，公司3nm技術(shù)已進入全面開發(fā)階段，而3nm以下的技術(shù)已開始
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臺積電年報首度提及2nm技術(shù)，去年開始研發(fā)
4月24日消息，據(jù)臺灣媒體報道，臺積電近日上傳了2019年年報，并在年報中首度提及2nm技術(shù)?！_積電在2018年年報中，臺積電的表述為，公司3nm技術(shù)已進入全面開發(fā)階段，而3nm以下的技術(shù)已開始定義
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密度比7nm增加18%，臺積電將推出6nm制程技術(shù)，預(yù)計明年年Q1試產(chǎn)
今天，臺積電提交公告表示，6納米技術(shù)提供客戶更多具成本效益的優(yōu)勢，并且延續(xù)7納米技術(shù)在功耗及效能上的領(lǐng)先地位。臺積電的6納米技術(shù)的邏輯密度比7納米技術(shù)增加18%。
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英特爾大裁員：涉及數(shù)百名IT員工，數(shù)萬名工廠員工
據(jù)媒體OregonLive報道，英特爾內(nèi)部多位消息人士表示，公司上周在全美多處裁減了共計數(shù)百名IT 員工。英特爾證實了裁員，但拒絕透露具體人數(shù)和原因。
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英特爾公開與GF新制程技術(shù)細節(jié)
在2017年度IEEE國際電子組件會議(IEDM)上，Intel與GlobalFoundries分別介紹了讓人眼前一亮的新一代制程技術(shù)細節(jié)...
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創(chuàng)意電子與Credo共同合作，投入 16 納米 FinFET+ 芯片開發(fā)
彈性客制化 IC 領(lǐng)導(dǎo)廠商 (Flexible ASIC LeaderTM) 創(chuàng)意電子 (GUC) 與全球高速串聯(lián)解串器 (High-speed SerDes) 創(chuàng)新技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者 Credo，于今日宣布，雙方運用臺積電 (TSMC) 的 16納米 FinFET+ 制程技術(shù)，共同合作開發(fā)高性能網(wǎng)絡(luò)芯片設(shè)計解決方案。
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臺積電加快16納米和10納米制程技術(shù)的步伐
臺積16納米 提前明年Q2量產(chǎn)臺積電提前試產(chǎn)16納米制程，并加速相關(guān)產(chǎn)能建置腳步。設(shè)備商透露，臺積電16納米產(chǎn)能預(yù)定明年第1季拉升至每月5萬片，量產(chǎn)時程可望推進至明年第2季，比預(yù)定時間提前一季，將承接蘋果下世代處
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ISSCC2007帶領(lǐng)制程技術(shù)跨越65nm障礙
每年一次的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)，2007年也在眾多業(yè)者發(fā)表最新研發(fā)成果的聲勢下，2月15日正式劃下句點，而支撐起這個句點
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歐洲半導(dǎo)體代表IMEC：臺灣仍為先進制程技術(shù)領(lǐng)先者
近日，大陸半導(dǎo)體積極布局發(fā)展是否會對臺灣半導(dǎo)體業(yè)者構(gòu)成威脅的問題引來了全球半導(dǎo)體的討論。在SEMICON Taiwan 2014上，比利時微電子(IMEC)執(zhí)行長Luc Van Den Hove表示，大陸半導(dǎo)體業(yè)者雖然積極，但先進制程腳步仍慢
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華亞科12吋二廠訂11月開始裝機，產(chǎn)能有機會拉升至6萬片
【導(dǎo)讀】華亞科12吋二廠訂11月開始裝機，產(chǎn)能有機會拉升至6萬片 華亞科昨日在臺灣半導(dǎo)體設(shè)備暨材料展上表示，華亞科12吋廠二廠將在11月份開始裝機，原先預(yù)定產(chǎn)出產(chǎn)能為3萬片，將有機會把產(chǎn)能一舉拉升至6萬片
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富士通45奈米以下制程將尋求合作伙伴
【導(dǎo)讀】富士通45奈米以下制程將尋求合作伙伴 為考慮成本 改變以往獨立開發(fā)立場 據(jù)外電報導(dǎo)，日廠富士通（Fujitsu）關(guān)于45奈米以下制程技術(shù)的開發(fā)，已經(jīng)改變以往獨立開發(fā)的立場，將敞開大
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特許拿到nVIDIA訂單，制程技術(shù)躍進
【導(dǎo)讀】特許拿到nVIDIA訂單，制程技術(shù)躍進 新加坡特許半導(dǎo)體繼取得博通（Broadcom）、邁威（Marvell）等通訊客戶訂單后，近期業(yè)界傳出，臺積電繪圖芯片大客戶恩維迪亞（nVIDIA），把現(xiàn)時0．11微米低階繪圖
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臺灣DRAM廠70nm制程量產(chǎn)競開始
【導(dǎo)讀】臺灣DRAM廠70nm制程量產(chǎn)競開始 臺DRAM廠近期法說會剛告一段落，不過，真正的競逐才要展開，據(jù)了解，業(yè)者為進一步降低成本以避免跌價損失，紛投入70nm制程量產(chǎn)的競逐賽，其中茂德可望于2007年第一季底
