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華邦電80納米制程下季投產(chǎn)，溝槽式陣營(yíng)暫緩顏面
【導(dǎo)讀】華邦電80納米制程下季投產(chǎn)，溝槽式陣營(yíng)暫緩顏面 臺(tái)灣DRAM業(yè)者華邦電總經(jīng)理徐英士近日于法說會(huì)時(shí)表示，華邦電于2006年完成初步擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，12寸廠月產(chǎn)能已達(dá)2.4萬(wàn)片，2007年華邦電并無(wú)大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，
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70奈米技術(shù) DRAM廠生存關(guān)鍵
【導(dǎo)讀】70奈米技術(shù) DRAM廠生存關(guān)鍵 為強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力，全球DRAM廠持續(xù)積極朝先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展。有鑒于DDR2世代來臨，今年DRAM廠商競(jìng)爭(zhēng)淘汰賽，將以90納米技術(shù)為基礎(chǔ)關(guān)卡，70納米為領(lǐng)先關(guān)鍵；今年，包括力晶、茂德
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CPU與芯片組未來將合而為一？
【導(dǎo)讀】CPU與芯片組未來將合而為一？ 制程技術(shù)的進(jìn)步可能意味著CPU和芯片組未來可能會(huì)整合在一起，但并不代表這會(huì)成為廣泛的趨勢(shì)。 近年來在PC領(lǐng)域，對(duì)于歷史悠久的PC芯片組將存在或消失的爭(zhēng)論開始升溫，
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臺(tái)積電今年65奈米制程業(yè)績(jī)上看600億 獨(dú)霸全球
【導(dǎo)讀】臺(tái)積電今年65奈米制程業(yè)績(jī)上看600億 獨(dú)霸全球 臺(tái)積電 (2330) 65奈米制程技術(shù)發(fā)展持續(xù)逐季高成長(zhǎng)，今年第二季65奈米制程業(yè)績(jī)已達(dá)新臺(tái)幣158.65億元，已是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手聯(lián)電 (2303) 的12.57倍，拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)
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臺(tái)積電18寸晶圓廠投資啟動(dòng) 2015年20納米量產(chǎn)
【導(dǎo)讀】臺(tái)積電2011年資本支出將達(dá)78億美元，年增31.4%，主要以提高研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)力為主，公司也在年關(guān)過后宣布，啟動(dòng)18寸晶圓廠投資計(jì)劃，預(yù)計(jì)于2013年導(dǎo)入試產(chǎn)線，2015年以20納米開始量產(chǎn)。 關(guān)鍵詞：臺(tái)積電，晶圓，
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GF德累斯頓工廠出貨第25萬(wàn)枚32納米HKMG晶圓
【導(dǎo)讀】2012年3月22日，中國(guó)上?！狦LOBALFOUNDRIES今日宣布，其在德國(guó)德累斯頓的Fab1工廠已經(jīng)出貨了超過25萬(wàn)個(gè)基于32納米高K金屬柵制程技術(shù)(HKMG)的半導(dǎo)體晶圓。這一里程碑體現(xiàn)了GLOBALFOUNDRIES同其它代工廠相比
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搶先攻占IC制造商機(jī) 聯(lián)電發(fā)力14納米制程技術(shù)
【導(dǎo)讀】聯(lián)電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶
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驍龍800系列采用臺(tái)積28HPM先進(jìn)制程技術(shù)
【導(dǎo)讀】美國(guó)高通公司與臺(tái)積公司今日共同宣布，美國(guó)高通公司的全資子公司美國(guó)高通技術(shù)公司將率先采用臺(tái)積公司28納米高性能移動(dòng)(28nm High Performance Mobile， 28HPM)制程生產(chǎn)芯片。臺(tái)積公司28HPM制程領(lǐng)先業(yè)界，率先
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臺(tái)積電安謀將擴(kuò)大 納入Cortex A50系列
【導(dǎo)讀】矽智財(cái)大廠英商安謀(ARM)及臺(tái)積電擴(kuò)大合作，安謀針對(duì)臺(tái)積電28納米HPM制程，推出以ARMv8指令集為架構(gòu)的Cortex-A57與Cortex-A53處理器優(yōu)化套件矽智財(cái)(POPIP)解決方案，并同時(shí)發(fā)布針對(duì)臺(tái)積電16納米鰭式場(chǎng)效晶體
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14nmFinFET制程技術(shù)助ARM提高處理器效能
【導(dǎo)讀】日前ARM已正式對(duì)外公布2013年Q1財(cái)報(bào)，營(yíng)收同樣繼續(xù)維持成長(zhǎng)，主要營(yíng)收的大多比重皆是來自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。 摘要： 日前ARM已正式對(duì)外公布2013年Q1財(cái)報(bào)，營(yíng)收同樣繼續(xù)維持成長(zhǎng)
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臺(tái)積20納米 將寫歷史驚奇
臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家昨（29）日指出，臺(tái)積電過去五年已斥資近兆元，投注于晶圓制程技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)能擴(kuò)充，締造多項(xiàng)驚人成就。其中，20納米即斥資約3,000億元，獲得高通等大廠青睞，并將創(chuàng)造五個(gè)月內(nèi)產(chǎn)能即由零到逾4
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全球半導(dǎo)體大廠營(yíng)收及版圖一覽（附晶圓代工排名）
18寸晶圓制程可望更趨成熟。為持續(xù)降低IC制造成本，半導(dǎo)體業(yè)界正積極開發(fā)18寸晶圓制程技術(shù)，并成功藉由策略聯(lián)盟與資源整合方式，克服研發(fā)資金及技術(shù)門檻過高的挑戰(zhàn)；目前包括臺(tái)積電、英特爾(Intel)與三星(Samsung)等
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2012前內(nèi)存芯片廠商重點(diǎn)不放產(chǎn)能拓展方面
據(jù)iSuppli公司分析，由于全球內(nèi)存芯片廠商在2005-2007年間已經(jīng)耗費(fèi)了大量資本進(jìn)行設(shè)備投資和產(chǎn)能擴(kuò)展,因此現(xiàn)有的產(chǎn)能已經(jīng)可以滿足2012年的市場(chǎng)需求，這便意味著在未來兩年之
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看好凹板轉(zhuǎn)印技術(shù)市場(chǎng)潛力 李長(zhǎng)榮跨足觸控面板制程
看好凹板轉(zhuǎn)印技術(shù)的市場(chǎng)潛力，李長(zhǎng)榮化工與工研院、臺(tái)大等產(chǎn)學(xué)研單位組成「精密凹板轉(zhuǎn)印技術(shù)」研發(fā)聯(lián)盟，近期并獲得經(jīng)濟(jì)部業(yè)界科專支持，未來技術(shù)指標(biāo)成功達(dá)成后，除了能提供凹板轉(zhuǎn)印制程技術(shù)完整的解決方案，相關(guān)材
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榮化 攻觸控面板制程
大尺寸觸控面板制程有大突破，工研院機(jī)械所研發(fā)的凹板轉(zhuǎn)印技術(shù)，將可取代黃光微影及ITO的觸控制程，用新材料、新制程取代，至少可節(jié)省三到四成的制程成本。這項(xiàng)核心技術(shù)已技轉(zhuǎn)榮化 （1704），并取得經(jīng)濟(jì)部科專支持進(jìn)
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更快：15納米制程N(yùn)AND閃存芯片即將量產(chǎn)
東芝和SanDisk公司共同開發(fā)并即將量產(chǎn)世界上第一批15納米制程技術(shù)的NAND閃存芯片，數(shù)據(jù)傳輸率比前代19納米制程快1.3倍，將廣泛應(yīng)用在智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域。對(duì)用戶來說，低成本結(jié)構(gòu)的殺傷力不容小覷。東芝還表示將
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14/16納米制程技術(shù)將為載板產(chǎn)業(yè)分水嶺
IC載板大廠景碩連續(xù)2年進(jìn)行高額資本支出，布建新豐廠的14/16納米制程載板產(chǎn)能，總經(jīng)理陳河旭表示，進(jìn)入14/16納米世代，全球IC載板廠將面臨又一次產(chǎn)業(yè)分水嶺，為跨越技術(shù)挑戰(zhàn)、維持產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先地位，載板廠的生產(chǎn)、管理方
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日月光：SiP出貨H2大增，Q4營(yíng)收占比拼逾2成
日月光(2311)今日召開法人說明會(huì)，財(cái)務(wù)長(zhǎng)董宏思表示，首季系統(tǒng)級(jí)封裝業(yè)績(jī)占整體業(yè)績(jī)比重約7%，第2季占比將會(huì)在下滑一些，下半年則會(huì)明顯增加，預(yù)估第4季SiP業(yè)績(jī)占比可突破20%。 日月光封測(cè)事業(yè)營(yíng)收首季為343.51億
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iPhone 6九月推？臺(tái)積電20奈米制程傳年底月產(chǎn)7萬(wàn)片
barron`s.com報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電(2330)的20奈米制程技術(shù)準(zhǔn)備進(jìn)度傳出比市場(chǎng)預(yù)期還要快，應(yīng)可順利達(dá)成蘋果(Apple Inc.)要求、為次世代iPhone與iPad制作A系列處理器。 研究機(jī)構(gòu)BlueFin Research Partners分析師John Donovan
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專家觀點(diǎn)：FD SOI是20奈米節(jié)點(diǎn)最佳方案
全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D SOI)是 28奈米與 20奈米半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)的最佳解決方案，主要原因是該技術(shù)與塊狀CMOS制程技術(shù)相比，其成本與泄漏電流較低，性能表現(xiàn)則更高。 同樣是100mm
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